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從過流、過壓、過熱三方面講述IGBT保護(hù)電路如何設(shè)計
本文從過流保護(hù)、過壓保護(hù)與過熱保護(hù)三個方面，論述了IGBT的相關(guān)問題，并從實際應(yīng)用中總結(jié)出各種保護(hù)方法，這些方法實用性強(qiáng)，保護(hù)效果好，是IGBT保護(hù)電路設(shè)計必備知識。
2013-01-05
IGBT 保護(hù)電路 過流保護(hù)
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鋰電池保護(hù)電路如何設(shè)計？
隨著便攜式設(shè)備不斷小型化、輕量化和高性能化的日益提高，作為其電源的二次電池市場正迅速拓寬，而鋰離子電池的眾多優(yōu)點使其成為了二次電池的主流產(chǎn)品。
2013-01-05
鋰電池 保護(hù)電路 電路設(shè)計
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PCB工程師必看
在PCB設(shè)計中如何最大限度地實現(xiàn)電路的性能指標(biāo)，以達(dá)到電磁兼容要求。
2013-01-05
PCB 設(shè)計 電磁兼容
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MEMS設(shè)計的高度復(fù)雜性的體現(xiàn)
針對困擾MEMS發(fā)展的制約因素，人們一直在尋求相應(yīng)的解決辦法。國外的研究結(jié)果顯示，MEMS的加工能力強(qiáng)于其設(shè)計能力。因此，提高M(jìn)EMS的設(shè)計能力就更為迫切。
2013-01-05
MEMS 器件 微機(jī)電
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適用于用于電信系統(tǒng)和POE網(wǎng)絡(luò)應(yīng)用程序的MOSFET
AON7280的80V和100V AON7290提供超低RDS的27％和10％，比主要競爭對手，分別構(gòu)建。的低導(dǎo)通電阻減小導(dǎo)通損耗，并允許器件工作在較低的溫度下。
2013-01-05
MOSFET 電信系統(tǒng) 網(wǎng)絡(luò)應(yīng)用
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比較不同的電路保護(hù)技術(shù)及濾波技術(shù)
消費者要求智能手機(jī)等便攜/無線設(shè)備具有更多功能特性及采用纖薄型工業(yè)設(shè)計，這就要求設(shè)計人員要求更加注重小外形封裝之中的ESD及EMI性能。靜電放電(ESD)保護(hù)及電磁干擾(EMI)正在成為所有電氣設(shè)備越來越重要的考慮因素。本文將分析電路保護(hù)要求，比較不同的電路保護(hù)技術(shù)及濾波技術(shù)，介紹安森美半導(dǎo)體...
2013-01-05
電路保護(hù) 濾波 安森美
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低鉗位電壓的TVS，非常實用USB3.0 接口保護(hù)
由于USB3.0的速率非?？欤丝诘腅SD保護(hù)越來越重要，這就要求保護(hù)器件不能影響這個信號質(zhì)量。Semtech新的TVS最大的優(yōu)勢在于非常低的ESD鉗位電壓，這對敏感的USB3.0芯片起到很好的保護(hù)作用。
2013-01-05
TVS USB3.0 ESD
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適用于智能電網(wǎng)的新型鋰離子電容器
太陽誘電開發(fā)出最高使用溫度高達(dá)85℃的圓筒型鋰離子電容器，在3.8V電壓下也可于70℃環(huán)境下工作，適用于智能電網(wǎng)、為SSD儲存服務(wù)器。
2013-01-05
電網(wǎng) 鋰離子 電容
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MDO能夠很好的解決EMI和EMC
MDO擁有獨特的功能，可以把多個域中的原因和結(jié)果關(guān)聯(lián)起來，這標(biāo)志著測試設(shè)備的根本性變革，在調(diào)試EMI問題時打開了新的、當(dāng)然也是更簡便的道路。
2013-01-05
MDO EMI EMC
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