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如何避免可控硅在其使用中出現(xiàn)過載等問題
目前交流調(diào)壓多采用雙向可控硅，它具有過載和抗干擾能力差，且在控制大電感負(fù)載時會干擾電網(wǎng)和自干擾等缺點，下面我們來談?wù)効煽毓柙谄涫褂弥腥绾伪苊馍鲜鰡栴}。
2013-01-10
可控硅 過載
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詳解TBU與傳統(tǒng)過壓過流電路中保護(hù)元件的區(qū)別
對于大型的控制電路，比如LED燈塔的電源控制線路，其保護(hù)以及維修都是一個比較復(fù)雜的工程。使用TBU方案，是否可以使過壓過流電路保護(hù)解決方案設(shè)計更輕松呢？本文從傳統(tǒng)的保護(hù)元器件入手，對比傳統(tǒng)過流過壓保護(hù)元器件和TBU方案的工作方式，深度解析TBU與傳統(tǒng)過壓過流電路保護(hù)元件的區(qū)別及其應(yīng)用限制...
2013-01-10
TBU 保護(hù)元件 TPS
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ESD的保護(hù)方法
ESD保護(hù)元件的對比分析及大電流性能鑒定。為了給電子系統(tǒng)提供ESD保護(hù)，可以從不同的角度來著手。一種方法是在半導(dǎo)體芯片內(nèi)建ESD保護(hù)架構(gòu)。不過，日趨縮小的CMOS芯片已經(jīng)越來越不足以承受進(jìn)行內(nèi)部2 kV等級的ESD保護(hù)所需要的面積。
2013-01-10
ESD 保護(hù) TLP
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詳解開關(guān)電源嘯叫的原因
測試開關(guān)電源或在實驗中有聽到類似產(chǎn)品打高壓不良的漏電聲響或高壓拉弧的聲音或大或小，或時有時無，其韻律或深沉或刺耳，或變化無常者皆有。
2013-01-10
開關(guān)電源 嘯叫 大電流
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詳解貼片鉭電容的頻率特性
貼片鉭電容的頻率特性分析。鉭電容器的電容隨溫度變化而發(fā)生變化。這種變化本身就是一個小的程度上依賴額定電壓和電容的大小。
2013-01-10
貼片鉭電容 頻率特性 能量損耗
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三星與Synopsys攜手，14納米FinFET流片首次成功實現(xiàn)
FinFET晶體管可以實現(xiàn)更低的功耗和更高的器件性能，但是它們也同時帶來了嚴(yán)峻的挑戰(zhàn)，三星與Synopsys合作實現(xiàn)首次14納米FinFET成功流片，同時雙方圍繞Synopsys IP、設(shè)計實現(xiàn)以及提取和簽核工具等領(lǐng)域進(jìn)行合作。
2013-01-10
三星 Synopsys FinFET晶體管
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適用于升壓轉(zhuǎn)換器、低功率逆變器的功率MOSFET
Vishay 率先推出PowerPAK SC-75和SC-70封裝的功率MOSFET，器件的超小PowerPAK SC-75和PowerPAK SC-70封裝可在這些應(yīng)用中節(jié)省PCB空間，其低導(dǎo)通電阻可實現(xiàn)更低的導(dǎo)通電阻，從而降低能源消耗，提高效率。
2013-01-10
功率MOSFET 轉(zhuǎn)換器 逆變器
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一種智能高頻開關(guān)電源系統(tǒng)的改造設(shè)計
變電站內(nèi)的繼電保護(hù)、自動裝置、信號裝置、事故照明和電氣設(shè)備的遠(yuǎn)距離操作，一般采取直流電源，所以直流電源的輸出質(zhì)量及可靠性直接關(guān)系到變電站的安全運行和平穩(wěn)供電。
2013-01-09
智能 高頻開關(guān)電源
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具有較好EMC性能的直流不間斷電源系統(tǒng)
本文所介紹的直流不間斷電源系統(tǒng)可靠性高，具有較好的EMC性能，電池檢測方案簡易，控制操作方便，剩余時間的預(yù)測方法簡單實用，軟硬件的設(shè)計簡單而靈活。通過在變電站現(xiàn)場使用的情況看來，效果很好
2013-01-09
EMC 直流不間斷 電源系統(tǒng)
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