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安森美和極氪簽署碳化硅功率器件長(zhǎng)期供應(yīng)協(xié)議
2023 年 4 月 26日—智能電源和智能感知技術(shù)的領(lǐng)導(dǎo)者安森美（onsemi，美國(guó)納斯達(dá)克上市代號(hào)：ON）和豪華智能純電品牌極氪智能科技（ZEEKR）宣布雙方簽署長(zhǎng)期供應(yīng)協(xié)議（LTSA）。安森美將為極氪提供EliteSiC碳化硅（SiC）功率器件，以提高其智能電動(dòng)汽車(chē)（EV）的能效，從而提升性能，加快充電速度，延長(zhǎng)續(xù)航里程。
2023-05-03
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安森美向海拉交付第10億顆感應(yīng)傳感器IC
智能電源和智能感知技術(shù)的領(lǐng)導(dǎo)者安森美（onsemi，美國(guó)納斯達(dá)克上市代號(hào)：ON）宣布，已向海拉（HELLA）交付第10億顆感應(yīng)傳感器接口集成電路（IC），海拉是一家國(guó)際汽車(chē)零部件供應(yīng)商，也是佛瑞亞（FORVIA）集團(tuán)旗下公司。這顆由安森美設(shè)計(jì)的IC被用于海拉的汽車(chē)線(xiàn)控系統(tǒng)非接觸型感應(yīng)位置傳感器（CIPOS?）技術(shù)。在長(zhǎng)達(dá)25年的合作中，兩家公司開(kāi)發(fā)的創(chuàng)新設(shè)計(jì)縮小了海拉模塊和安森美IC的尺寸，以更好地適配對(duì)模塊外形尺寸有著高要求的應(yīng)用。
2023-05-03
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總結(jié)肖特基勢(shì)壘二極管對(duì)寬帶隙材料的利用
由于碳化硅 (SiC) 和氮化鎵 (GaN) 等寬帶隙材料具有優(yōu)于硅 (Si) 的固有材料特性，因此工業(yè)界采用寬帶隙材料來(lái)滿(mǎn)足功率器件應(yīng)用中的低功耗需求。這種需求導(dǎo)致了基于 SiC 和 GaN 的 SBD 的制造。
2023-04-29
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如何控制無(wú)刷直流電機(jī)
無(wú)刷直流（BLDC）電機(jī)已經(jīng)廣泛應(yīng)用于家用電器、工業(yè)設(shè)備和汽車(chē)等領(lǐng)域。相對(duì)于傳統(tǒng)有刷電機(jī)，雖然無(wú)刷直流電機(jī)能夠提供更可靠和免維護(hù)的替代方案，但卻需要更復(fù)雜的電子設(shè)備來(lái)進(jìn)行驅(qū)動(dòng)。本文將探討驅(qū)動(dòng)無(wú)刷直流電機(jī)的多種不同技術(shù)、傳感器方案以及使用的流行算法。此外，還將介紹一些來(lái)自領(lǐng)先供應(yīng)商的電機(jī)驅(qū)動(dòng)器IC以及合適的開(kāi)發(fā)和原型設(shè)計(jì)資源。
2023-04-28
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獨(dú)立式有源EMI濾波器IC如何縮小共模濾波器尺寸
功率密度是汽車(chē)車(chē)載充電器和服務(wù)器電源等高度受限系統(tǒng)環(huán)境中的主要指標(biāo)。務(wù)必要減小電磁干擾 (EMI) 濾波器元件的體積，從而確保解決方案能夠滿(mǎn)足嚴(yán)苛的外形尺寸要求。
2023-04-26
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納芯微模擬IC在光伏系統(tǒng)中的一站式解決方案
近年來(lái)，可再生能源已成為全球能源革命和應(yīng)對(duì)氣候變化的主導(dǎo)方向和一致行動(dòng)，光伏作為重要的可再生能源發(fā)電技術(shù)正在快速發(fā)展，成為清潔、低碳并具有價(jià)格競(jìng)爭(zhēng)力的能源形式。
2023-04-26
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采用SiC MOSFET的3kW圖騰柱無(wú)橋PFC和次級(jí)端穩(wěn)壓LLC電源
節(jié)能標(biāo)準(zhǔn)和客戶(hù)需求正在推動(dòng)更高效率和更小尺寸的電源解決方案，對(duì)標(biāo)準(zhǔn)ACDC電源進(jìn)行功率因數(shù)校正 (PFC) 的要求日益普遍，通過(guò)減少諧波含量引起的電力線(xiàn)損耗，從而降低對(duì)交流電網(wǎng)基礎(chǔ)設(shè)施的壓力。而設(shè)計(jì)緊湊高效的 PFC 電源是一個(gè)復(fù)雜的開(kāi)發(fā)挑戰(zhàn)。
2023-04-26
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560V輸入、無(wú)光隔離反激式轉(zhuǎn)換器
在傳統(tǒng)的隔離式高壓反激式轉(zhuǎn)換器中，使用光耦合器將穩(wěn)壓信息從副邊基準(zhǔn)電壓源電路傳輸?shù)匠跫?jí)側(cè)，從而實(shí)現(xiàn)嚴(yán)格的穩(wěn)壓。問(wèn)題在于，光耦合器大大增加了隔離設(shè)計(jì)的復(fù)雜性：存在傳播延遲、老化和增益變化，所有這些都使電源環(huán)路補(bǔ)償復(fù)雜化，并可能降低可靠性。此外，在啟動(dòng)期間，需要泄放電阻或高壓?jiǎn)?dòng)電路來(lái)初始為IC上電。除非在啟動(dòng)元件上增加額外的高壓MOSFET，否則泄放電阻器是造成不受歡迎的功率損耗的來(lái)源。
2023-04-25
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Auto Accessories以及BMS的保護(hù)設(shè)計(jì)
隨著汽車(chē)功能的豐富，USB2.0/3.0、電源輸入口、按鍵、SD卡槽等被廣泛應(yīng)用。由于以下幾點(diǎn)，ESD、突入電流、拋負(fù)載以及負(fù)載短路等成為了硬件設(shè)計(jì)人員關(guān)注要點(diǎn)。例如，干燥季節(jié)，靜電通過(guò)這些接口破壞IC或設(shè)備中的任何其他ESD敏感器件；設(shè)備電源的開(kāi)關(guān)，汽車(chē)啟停以及人員的誤操作等產(chǎn)生的突入電流對(duì)電路構(gòu)成威脅，導(dǎo)致某些部件故障的發(fā)生等。另外，針對(duì)BMS系統(tǒng)，電路過(guò)電流、鋰電池過(guò)電流和電路EFT/尖峰均可能會(huì)損壞電路中的電子器件。
2023-04-24
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超共源共柵簡(jiǎn)史
盡管寬帶隙半導(dǎo)體已在功率開(kāi)關(guān)應(yīng)用中略有小成，但在由 IGBT 占主導(dǎo)的高電壓/高功率領(lǐng)域仍未有建樹(shù)。然而，使用 SiC FET 的 “超共源共柵” 將打破現(xiàn)有局面。讓我們一起來(lái)了解超共源共柵的歷史，并探討如何將其重新用于優(yōu)化現(xiàn)代設(shè)計(jì)。
2023-04-24
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SiC MOSFET的短溝道效應(yīng)
Si IGBT和SiC溝槽MOSFET之間有許多電氣及物理方面的差異，Practical Aspects and Body Diode Robustness of a 1200V SiC Trench MOSFET 這篇文章主要分析了在SiC MOSFET中比較明顯的短溝道效應(yīng)、Vth滯回效應(yīng)、短路特性以及體二極管的魯棒性。直接翻譯不免晦澀難懂，不如加入自己的理解，重新梳理一遍，希望能給大家?guī)?lái)更多有價(jià)值的信息。今天我們著重看下第一部分——短溝道效應(yīng)。
2023-04-24
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OBC充電器中的SiC FET封裝小巧，功能強(qiáng)大
EV 車(chē)載充電器和表貼器件中的半導(dǎo)體電源開(kāi)關(guān)在使用 SiC FET 時(shí)，可實(shí)現(xiàn)高達(dá)數(shù)萬(wàn)瓦特的功率。我們將了解一些性能指標(biāo)。
2023-04-23
- 授權(quán)代理商貿(mào)澤電子供應(yīng)Same Sky多樣化電子元器件
- 使用合適的窗口電壓監(jiān)控器優(yōu)化系統(tǒng)設(shè)計(jì)
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