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名廠方案：采用MEMS陀螺儀的低噪聲反饋控制設(shè)計(jì)
MEMS陀螺儀提供了一種簡(jiǎn)單的旋轉(zhuǎn)角速率測(cè)量方法，其所在的封裝很容易安裝到印刷電路板上。因此，在許多不同類型的運(yùn)動(dòng)控制系統(tǒng)中，它們都是反饋檢測(cè)元件的常見選擇。
2017-01-18
MEMS陀螺儀 低噪聲
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筆記分享：幾種功率因數(shù)校正的小技巧
PFC意思是“功率因數(shù)校正”，功率因數(shù)指的是有效功率與總耗電量（視在功率）之間的關(guān)系，也就是有效功率除以總耗電量（視在功率）的比值。基本上功率因素可以衡量電力被有效利用的程度，當(dāng)功率因素值越大，代表其電力利用率越高。計(jì)算機(jī)開關(guān)電源是一種電容輸入型電路，其電流和電壓之間的相位差會(huì)造成...
2017-01-18
功率因素 功率校正
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如何采用電流傳感器IC實(shí)現(xiàn)共模場(chǎng)干擾最小化？
Allegro MicroSystems電流傳感器IC可以分為三大類：需要外部磁芯的傳感器、具有封裝內(nèi)置磁芯的傳感器，以及具有集成載流環(huán)（但無磁芯）的傳感器。最后一類就是具有共模場(chǎng)抑制(CMR)功能的傳感器。本文將探討CMR的機(jī)制，并重點(diǎn)介紹如何充分利用此機(jī)制來優(yōu)化電路板設(shè)計(jì)和布局。
2017-01-18
EDA/IP/IC設(shè)計(jì) EMC/EMI/ESD 傳感/MEMS
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讀書筆記：漏電保護(hù)器介紹及使用場(chǎng)合
漏電保護(hù)器是工礦企業(yè)和家庭中較為常見的一種保護(hù)電器，尤其是在手持電動(dòng)工具中使用較為普遍，但是，由于使用者認(rèn)識(shí)上有誤和使用不正確，使得漏電保護(hù)器在實(shí)際使用中起不到應(yīng)有的保護(hù)作用。
2017-01-17
漏電保護(hù)器 電路保護(hù)
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智能鎖中，為何指紋識(shí)別鎖普及率最高？
隨著生物識(shí)別技術(shù)不斷出現(xiàn)在商業(yè)領(lǐng)域，越來越多的生物識(shí)別技術(shù)設(shè)備或功能被人們所應(yīng)用，在智能鎖領(lǐng)域除常見的指紋鎖，還出現(xiàn)了人臉識(shí)別鎖、瞳孔識(shí)別智能鎖、靜脈識(shí)別智能鎖等。然而各種生物識(shí)別技術(shù)又有那些特點(diǎn)呢？
2017-01-17
指紋識(shí)別 傳感器
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小白入門FPGA必備基礎(chǔ)知識(shí)
FPGA已成為現(xiàn)今的技術(shù)熱點(diǎn)之一，無論學(xué)生還是工程師都希望跨進(jìn)FPGA的大門。那么我們要玩轉(zhuǎn)FPGA必須具備哪些基礎(chǔ)知識(shí)呢？下面我們慢慢道來，希望能夠?yàn)閷W(xué)習(xí)FPGA的人帶來幫助。
2017-01-17
FPGA 基礎(chǔ)知識(shí) 設(shè)計(jì)法則
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非常靈活的系統(tǒng)故障保護(hù)電路設(shè)計(jì)方案
許多系統(tǒng)必須能夠自動(dòng)斷開正在運(yùn)行的電路的電源，此類系統(tǒng)包括雷達(dá)及X射線系統(tǒng)的高壓電源的熱關(guān)斷，關(guān)斷控制能夠限制上電及熱插拔期間的浪涌電流，確保板卡在上電之前處于就緒狀態(tài)。總之，發(fā)生任何系統(tǒng)故障時(shí)電源都應(yīng)保持關(guān)閉。
2017-01-17
故障保護(hù) 電流檢測(cè) 電路斷路器
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如何通過元件擺放來改善電路板的EMI？
在設(shè)計(jì)好電路結(jié)構(gòu)和器件位置后，PCB的EMI把控對(duì)于整體設(shè)計(jì)就變得異常重要。如何對(duì)開關(guān)電源當(dāng)中的PCB電磁干擾進(jìn)行避免就成了一個(gè)開發(fā)者們非常關(guān)心的話題。在本文中，小編將為大家介紹如何通過元件布局的把控來對(duì)EMI進(jìn)行控制。
2017-01-17
ESD/EMI/EMC PCB 元器件
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詳解控制系統(tǒng)中常見的幾種地線技術(shù)
無論是在模擬電路中還是在數(shù)字電路中都存在著個(gè)種各樣的“地”，為便于大家了解和掌握，現(xiàn)在總結(jié)出控制系統(tǒng)中常見的幾種接地，供大家參考學(xué)習(xí)。
2017-01-13
接地 控制系統(tǒng)
- 如何解決在開關(guān)模式電源中使用氮化鎵技術(shù)時(shí)面臨的挑戰(zhàn)？
- 不同拓?fù)浣Y(jié)構(gòu)中使用氮化鎵技術(shù)時(shí)面臨的挑戰(zhàn)有何差異？
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