滿足工業(yè)需求的高性能、高精度、4–20mA電流環(huán)變送器
發(fā)布時間:2017-05-15 來源:Yuriy Kurtsevoy,Stuart Smith 責(zé)任編輯:wenwei
【導(dǎo)讀】該參考設(shè)計(jì)顯示了如何開發(fā)一款適合工業(yè)過程控制和智能傳感器的高性能、高壓2-wire或3-wire 4–20mA電流環(huán)變送器。此外,還提供誤差分析測試數(shù)據(jù)、熱特征數(shù)據(jù)、原理圖以及分析軟件。
引言
4–20mA電流環(huán)廣泛用作工業(yè)領(lǐng)域的模擬通信接口,可以方便地通過雙絞線將遠(yuǎn)端傳感器數(shù)據(jù)傳送到控制中心的可編程邏輯控制器(PLC)。這種接口簡單、可實(shí)現(xiàn)數(shù)據(jù)的長距離可靠傳輸,具有良好的抗噪性,實(shí)施成本較低,非常適合長期的工業(yè)過程控制以及遠(yuǎn)端自動監(jiān)測。
毫無疑問,工業(yè)發(fā)展和當(dāng)今所有的電子應(yīng)用一樣,需求強(qiáng)勁,要求精度更高、功耗更低,并在-40°C至+105°C擴(kuò)展工業(yè)級溫度范圍內(nèi)可靠工作,具備更高的安全性和系統(tǒng)保護(hù),還要求支持高速可尋址遠(yuǎn)端傳感器(HART®)協(xié)議??偠灾?,這些要求使得當(dāng)今的4–20mA電流環(huán)設(shè)計(jì)頗具挑戰(zhàn)性。
本文介紹了如何開發(fā)4–20mA電流環(huán)變送并進(jìn)行性能分析,以及如何選擇滿足嚴(yán)苛工業(yè)要求的元器件。提供誤差分析測試數(shù)據(jù)、熱特征數(shù)據(jù)、原理圖以及分析軟件。
工作原理及關(guān)鍵設(shè)計(jì)參數(shù)
我們首先從參考設(shè)計(jì)入手,圖1所示為高性能、低功耗、4–20mA電流環(huán)變送器的方框圖,該設(shè)計(jì)大幅減少了元件數(shù)量,具有最高性價比。
圖1. 4–20mA環(huán)路供電變送器參考設(shè)計(jì),由MAX5216 16位DAC (U1)、MAX9620運(yùn)算放大器(U2)、MAX6133電壓基準(zhǔn)(U3)和MAX15007 LDO (U4)組成。
該參考設(shè)計(jì)采用低功耗、高性能元件,25°C時精度優(yōu)于0.01%;整個溫度范圍內(nèi),精度優(yōu)于0.05%,支持工業(yè)上最嚴(yán)格的4–20mA電流環(huán)要求。該設(shè)計(jì)采用了MAX5216,低功耗16位DAC (U1);MAX9620,零失調(diào)、滿擺幅輸入輸出(RRIO)、高性能運(yùn)算放大器(U2);MAX6133,電壓基準(zhǔn)(U3);以及MAX15007,40V低靜態(tài)電流LDO (U4)。
U3電壓基準(zhǔn)為U1提供低噪聲、5ppm/°C (最大值)低溫漂和高的2.500V電壓。智能傳感器微控制器通過3線SPI總線向U1發(fā)送命令。U1輸出經(jīng)過分壓并被Q1功率MOSFET、10Ω (±0.1%)檢流電阻(11111)以及U2轉(zhuǎn)換為環(huán)路電流。U1、U2和U3器件由U4供電,后者由環(huán)路直接供電。Q2、BJT晶體管和檢測電阻(R6)構(gòu)成限流電路,將環(huán)路電流限制在大約30mA,防止失控條件以及損壞PLC側(cè)的ADC。肖特基二極管(D1)保護(hù)變送器不受反向電流損害。
性能分析
參考設(shè)計(jì)工作于低功耗,所選元件的最大耗流在+25°C時小于200µA;在-40°C至+105°C溫度范圍內(nèi)小于300µA。U2運(yùn)算放大器在時間和整個溫度范圍的輸入失調(diào)電壓為25µV (最大值),理想用于高精度、高可靠性系統(tǒng)。10Ω檢流電阻允許使用較低的環(huán)路供電電壓;小電阻耗散功率較低,允許使用小封裝,從而進(jìn)一步減小變送器尺寸。例如,如果只有10Ω 和10Ω負(fù)載,其上最大壓降在30mA時為600mV。U4 LDO在提供3.3V輸出時只需連接4V電源電壓即可正常工作,最小環(huán)路電壓可低至5V。但是,如果PLC負(fù)載為250Ω,那么最小環(huán)路電源電壓必須為4V + 30mA × (10 + 250)Ω = 11.8V。
注意,為了更精確地估算最小環(huán)路供電電壓,還必須考慮環(huán)路電源內(nèi)阻。
測試期間,輸出在10Ω時呈現(xiàn)出一定的噪聲。增大電阻值將增大功耗和最小環(huán)路供電電壓,但也降低了環(huán)路噪聲。這種綜合平衡可由用戶控制。
U2運(yùn)算放大器跟蹤R2和上的壓降,在其兩個輸入節(jié)點(diǎn)維持0V。該電路滿足以下關(guān)系式:
(式1)
(式2)
式中為環(huán)路電流 I(R2)為通過R2的電流。 I(R1)為通過R1的電流。 I(R3)為通過R3的電流。 式2中,我們假設(shè)U2的IN+和IN-輸入電流為0。按照式1和式2,4mA初始環(huán)路電流由I(R3)電流設(shè)置,而I(R1)為0。所以:
(式3)
通過R3的電流等于U3電壓基準(zhǔn)輸出除以R3。式3可重寫為:
(式4)
根據(jù)有關(guān)通過4–20mA電流環(huán)路發(fā)送故障信息的Namur NE43建議,測量信息的信號范圍為3.8mA至20.5mA,允許過程讀數(shù)發(fā)生略微的線性超量程。有些情況下,當(dāng)定義了附加故障條件時,甚至?xí)枰蟮膭討B(tài)范圍,比如3.2mA至24mA。因此,選擇R2 = 24.9kΩ,161616=3.2mA,從式4求解R3,得到:
(式5)
1.945MΩ電阻成本較高,更重要的是,不太適合自動化生產(chǎn),也不利于現(xiàn)場校準(zhǔn)。因此,更好的方法是采用標(biāo)準(zhǔn)的1%容限電阻,通過校準(zhǔn)確保U1 DAC的4mA失調(diào)電流和20mA滿幅電流精度。這種情況下,需要校準(zhǔn)部分?jǐn)?shù)字編碼,以確保要求的精度。所以,I(R1) =/R1,其中為U1 DAC輸出電壓。上式重寫為:
(式6)
及
(式7)
最后,式1可重寫為:
(式8)
誤差分析和性能優(yōu)化
+25°C下變送器誤差
表1所示為+25°C時4–20mA電流環(huán)路中的無源元件和的誤差分析,數(shù)據(jù)基于式8。該表可供下載,建議設(shè)計(jì)者利用數(shù)據(jù)表進(jìn)行結(jié)果分析,找到4mA、20mA及24mA 的對應(yīng)編碼。
表1. 4–20mA電流環(huán)變送器誤差分析
因此,如果R3電阻為1%容限的2MΩ標(biāo)準(zhǔn)電阻,將U1 DAC設(shè)置為2682十進(jìn)制碼,那么得到的初始環(huán)路電流為4.00015mA。注意,由于高分辨率U1 DAC校準(zhǔn)消除了個體元件的誤差,計(jì)算得到的總誤差遠(yuǎn)遠(yuǎn)小于個體元件的容限。
4–20mA電流環(huán)變送器的有效位數(shù)(ENOB)計(jì)算如下:
ENOB = (LOG(20mA DAC code - 4mA DAC code))/(LOG(2)) (式9)
根據(jù)表1中的數(shù)據(jù),ENOB等于15.56位。所以,總分辨率誤差小于0.5位允許自動校準(zhǔn),也可節(jié)省昂貴的精密元件數(shù)量。
表1所選電阻覆蓋了3.2mA至24.6mA電流環(huán)動態(tài)范圍。R1、R2、R3和的不同組合可縮小動態(tài)范圍,應(yīng)密切注意每個電阻的溫度系數(shù)(TC)。
變送器溫度漂移誤差分析
無源元件和VREF的溫度漂移誤差分析如表2所示。
表2. 4–20mA電流環(huán)路發(fā)送器的溫度誤差分析
利用下式計(jì)算最小和最大電阻偏移:
(式10)
(式11)
式中,TC為溫度系數(shù),單位為ppm/°C;ΔT為總溫度范圍145°C。
從表2可知,當(dāng)R1、R2、R3和RSENSE的溫度系數(shù)取以下值時,得到的誤差為0.05% FS。
注意,總誤差為每個誤差源的平方和的平方根:元件容限、元件溫度系數(shù)、測量值等。
如果智能傳感器的耗流超過3.4mA,則不能用于環(huán)路供電的2線變送器。例如,當(dāng)微控制器或ADC的耗流超過3mA,或者檢測元件需要較高供電電流來提高動態(tài)范圍和/或分辨率時,就會發(fā)生這種情況。此時,額外的電流必須通過附加的第三根線??筛倪M(jìn)這種配置(稱為3線發(fā)送器),如圖2所示,該設(shè)計(jì)使其成為通用的2線或3線智能傳感器變送器。
圖2. 通用2線或3線智能變送器框圖。
圖2中的U5運(yùn)算放大器和Q3緩沖器監(jiān)測虛地,持續(xù)維持智能變送器的公共端,使其保持在U4輸出的恒定電壓。U5運(yùn)算放大器必須能夠支持12V最大供電電壓,檢測電阻值高達(dá)250Ω。C8和R8負(fù)反饋網(wǎng)絡(luò)穩(wěn)定環(huán)路電流,以及確保正常預(yù)期條件下的穩(wěn)定性。
選擇功率晶體管和保護(hù)元件
Q1功率晶體管無特殊要求,可以是MOSFET或雙極型功率晶體管,滿足最大安全、工作區(qū)要求即可。例如,如果環(huán)路電源為36V,最大限流為35mA,那么最大功耗要求為1.26W。要謹(jǐn)慎處理PCB布局、走線寬度及散熱能力。
肖特基二極管(D1) (見圖1)為安全器件,防止反向電流損壞變送器。此外,可在LOOP+和LOOP-輸入之間增加一個瞬態(tài)電壓抑制器(D2,方框圖中未顯示),防止過壓浪涌條件。D1和D2的要求取決于具體應(yīng)用的安全規(guī)格。
設(shè)計(jì)方案測試
設(shè)計(jì)4–20mA環(huán)路供電變送器評估板(EV) MAX5216LPT,采用1000ft 22線規(guī)屏蔽通信電纜和249Ω ±0.1%電阻進(jìn)行特征分析。利用Agilent® HP3458A DVM測量負(fù)載電阻壓降,測得環(huán)路電流。MAX5216 DAC的特征數(shù)據(jù)繪制于圖3至圖9。更多關(guān)于器件和電路板布局的信息,請參考MAX5216LPT評估板數(shù)據(jù)資料。
圖3. 25°C C下變送器誤差,MAX5216 DAC數(shù)據(jù)。
圖4. 變送器誤差變化與溫度的關(guān)系曲線,12V環(huán)路電源。
圖5. 變送器誤差變化與溫度的關(guān)系曲線,24V環(huán)路電源。
圖6. 變送器誤差變化與溫度關(guān)系曲線,36V環(huán)路電源。
圖7. 電流門限與環(huán)路電壓的關(guān)系曲線, 24.3Ω檢測電阻。
圖8. 電流門限與溫度關(guān)系曲線,24.3Ω檢測電阻。
圖9. 輸出噪音。
該變送器參考設(shè)計(jì)也支持HART®協(xié)議,可以方便地連接HART調(diào)制解調(diào)器,例如DS8500 (見圖12)。圖10和圖11所示為249Ω負(fù)載電阻時1000ft 4–20mA電流環(huán)上的HART信號。
圖10. 4–20mA電流環(huán)上的HART通信。
圖11. 兩個調(diào)制解調(diào)器之間的HART通信。
圖12. HART調(diào)制解調(diào)器連接框圖。
本文來源于Maxim。
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