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干貨

逆變器是用于將輸入的直流電轉(zhuǎn)換為輸出交流電的一種電路。逆變器可用于電池供電系統(tǒng)、可再生能源系統(tǒng)、不間斷電源、電機驅(qū)動等。逆變器是一種電力電子轉(zhuǎn)換器，能夠?qū)⑤斎氲闹绷麟娹D(zhuǎn)換為具有所需振幅和頻率的交流電。

簡化電動汽車充電器和光伏逆變器的高壓電流檢測

在任何電氣系統(tǒng)中，電流都是一個至關(guān)重要的參數(shù)。電動汽車 (EV) 充電系統(tǒng)和太陽能系統(tǒng)都需要檢測電流的大小，以便控制和監(jiān)測功率轉(zhuǎn)換、充電和放電。電流傳感器通過監(jiān)測分流電阻器上的壓降或?qū)w中電流產(chǎn)生的磁場來測量電流。詳細閱讀>>

本文提出一個用尺寸緊湊、高成本效益的DC/AC逆變器分析碳化硅功率模塊內(nèi)并聯(lián)裸片之間的熱失衡問題的解決方案，該分析方法是采用紅外熱像儀直接測量每顆裸片在連續(xù)工作時的溫度，分析兩個電驅(qū)逆變模塊驗證，該測溫系統(tǒng)的驗證方法是，根據(jù)柵源電壓閾值選擇每個模塊內(nèi)的裸片。我們將從實驗數(shù)據(jù)中提取一個數(shù)學模型... 詳細閱讀>>

宇泉半導體推出用于新能源汽車逆變器的1200V 600A SiC功率模塊

隨著新能源汽車市場的快速擴大，各大車企紛紛推出采用第三代半導體SiC器件的主力車型。同時，為了進一步提高系統(tǒng)效率和充電效率，800V高壓平臺已經(jīng)成為各大OEM的重點方向。宇泉半導體推出一款可滿足大功率轉(zhuǎn)換應(yīng)用的1200V 600A三相全橋SiC模塊新品...詳細閱讀>>

超高功率密度SiC模塊，助力電動車主逆變器小型化

碳化硅（SiC）作為一種第三代半導體材料，具有耐高壓、耐高頻的特性，相比傳統(tǒng)的硅基半導體，碳化硅MOSFET在功率轉(zhuǎn)換效率、損耗降低方面表現(xiàn)出色，這使得它在新能源汽車、電力電子設(shè)備等領(lǐng)域有著廣泛的應(yīng)用前景。隨著新能源汽車市場的快速增長，碳化硅MOSFET的需求也在不斷增加，尤其是在需要高效率、高可靠性... 詳細閱讀>>

將直流電轉(zhuǎn)換為交流電：逆變器的基本原理

傳統(tǒng)上，直流電源轉(zhuǎn)換是通過電動發(fā)電機組實現(xiàn)的，其中使用直流電源運行的電機直接轉(zhuǎn)動發(fā)電機以產(chǎn)生所需的交流電源。與此相反，驅(qū)動直流發(fā)電機的交流電機稱為轉(zhuǎn)換器，因此當應(yīng)用于直流到交流發(fā)電機組時，名稱為逆變器，該名稱被保留下來。另一種版本使用安裝在真空管中的機械開關(guān)機構(gòu)，該機制以適當?shù)拈g隔切換直流電的極性。詳細閱讀>>

電機逆變器：降低電器功耗

像大多數(shù)工程設(shè)計決策一樣，選擇用于驅(qū)動家用電器機構(gòu)的電動機類型是確定應(yīng)用要求與實際解決方案所能提供的折衷方案的問題。對于需要電機的家用電器——洗衣機、冰箱、空調(diào)和洗碗機等無處不在的產(chǎn)品——使用逆變電路來驅(qū)動無刷直流電機或感應(yīng)電機是節(jié)省大量電力的方式... 詳細閱讀>>

經(jīng)典案例

用于測試汽車逆變器的主動電機仿真

作為電池模擬器，可以使用標準電源。通過適當控制電機模擬器，相電流通過相線圈從 DUT 流向模擬器，并通過 DC-Link 流回 DUT，反之亦然。因此，DC-Link受到實際電流的壓力，但由于能量在兩個逆變器之間流動，因此電池模擬只需為整個系統(tǒng)的損耗提供能量。這是重要的好處之一：可以使用相對較小的電源，而無需向電網(wǎng)反饋能量。僅使用 20kW 的電源，就可以模擬約 250kW 的電機。詳細閱讀>>

碳化硅MOS管在三相逆變器上的應(yīng)用

三相逆變器的定義是將直流電能轉(zhuǎn)換為交流電能的轉(zhuǎn)換器，其基本原理就是SPWM，硬件架構(gòu)為四個功率模塊組成單相、三相橋式電路，橋式輸出至負載間串接低通濾波元件，控制回路具有兩個信號產(chǎn)生源，一個是固定幅值的三角波（調(diào)制波）發(fā)生器，一個為正弦波發(fā)生器，利用三角波對正弦波進行調(diào)制，就會得到占空比按照正弦規(guī)律變化的方波脈沖列，調(diào)制比不同... 詳細閱讀>>

讓電動汽車延長5%里程的SiC主驅(qū)逆變器

本文闡述了如何在主驅(qū)逆變器中使用碳化硅 (SiC) 金屬氧化物半導體場效應(yīng)晶體管 (MOSFET) 將電動汽車的續(xù)航里程延長多達 5%。另外，文中還討論了為什么一些原始設(shè)備制造商 (OEM) 不愿意從硅基絕緣柵雙極晶體管 (IGBT) 過渡到 SiC 器件，以及安森美 (onsemi) 為緩解 OEM 的擔憂同時提升 OEM 對這種成熟的寬禁帶半導體技術(shù)的信心所做的努力。詳細閱讀>>

隨著軟開關(guān)的引入，減少逆變器中的電磁干擾變得更加輕松。而如果想減少EMI，Cadence Clarity 3D Transient Solver 采用突破性的電磁仿真技術(shù)，以及近乎無限的容量和測量級精準度，可將系統(tǒng)級 EMI 仿真速度最高提升10倍，完成之前非常耗時且需要昂貴的消聲實驗室才能進行的產(chǎn)品原型機電磁兼容性（EMC）測試，仿真之前被視為不切實際或無法求解的大型設(shè)計，縮短設(shè)計周期并加速產(chǎn)品上市。