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詳解隔離式柵極驅(qū)動(dòng)器的重要特性
詳解隔離式柵極驅(qū)動(dòng)器的重要特性

在功率電子(例如驅(qū)動(dòng)技術(shù))中,IGBT經(jīng)常用作高電壓和高電流開(kāi)關(guān)。這些功率晶體管由電壓控制,其主要損耗產(chǎn)生于開(kāi)關(guān)期間。在功率電子(例如驅(qū)動(dòng)技術(shù))中,IGBT經(jīng)常用作高電壓和高電流開(kāi)關(guān)。這些功率晶體管由電壓控制,其主要損耗產(chǎn)生于開(kāi)關(guān)期間。為了最大程度減小開(kāi)關(guān)損耗,要求具備較短的開(kāi)關(guān)時(shí)間。

然而,快速開(kāi)關(guān)同時(shí)隱含著高壓瞬變的危險(xiǎn),這可能會(huì)影響甚至損壞處理器邏輯。因此,為IGBT提供合適柵極信號(hào)的柵極驅(qū)動(dòng)器,還執(zhí)行提供短路保護(hù)并影響開(kāi)關(guān)速度的功能。然而,在選擇柵極驅(qū)動(dòng)器時(shí),某些特性至關(guān)重要。詳細(xì)閱讀>>

干貨"title="干貨" 干貨

柵極驅(qū)動(dòng)器是一種電路,它將控制器輸出的信號(hào)轉(zhuǎn)換成高電壓、高電流的脈沖來(lái)控制 MOSFET 或 IGBT 的柵極。在 MOSFET 或 IGBT 中,柵極負(fù)責(zé)控制主開(kāi)關(guān)的導(dǎo)通和截止,因此柵極驅(qū)動(dòng)器對(duì)于半導(dǎo)體開(kāi)關(guān)電路至關(guān)重要。通過(guò)使用柵極驅(qū)動(dòng)器,可以優(yōu)化 MOSFET 或 IGBT 的性能、可靠性和壽命。

【揭秘】隔離式柵極驅(qū)動(dòng)器

【揭秘】隔離式柵極驅(qū)動(dòng)器

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IGBT/功率MOSFET是一種電壓控制型器件,可用作電源電路、電機(jī)驅(qū)動(dòng)器和其它系統(tǒng)中的開(kāi)關(guān)元件。柵極是每個(gè)器件的電氣隔離控制端。MOSFET的另外兩端是源極和漏極,而對(duì)于IGBT,它們被稱為集電極和發(fā)射極。詳細(xì)閱讀>>

減小隔離式同步柵極驅(qū)動(dòng)器的尺寸并降低復(fù)雜性

減小隔離式同步柵極驅(qū)動(dòng)器的尺寸并降低復(fù)雜性

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帶同步整流功能的隔離式DC-DC轉(zhuǎn)換器的傳統(tǒng)設(shè)計(jì)方法是使用光耦合器或脈沖變壓器進(jìn)行隔離,并將其與一個(gè)柵極驅(qū)動(dòng)器IC結(jié)合在一起。本文將說(shuō)明光耦合器和脈沖變壓器的局限性,并提出一種集成度更高的方法,其性能更高,解決方案尺寸和成本則低得多。詳細(xì)閱讀>>

新型電源柵極驅(qū)動(dòng)器設(shè)計(jì)

新型電源柵極驅(qū)動(dòng)器設(shè)計(jì)

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高功率電平帶來(lái)更高的系統(tǒng)電壓,轉(zhuǎn)換器內(nèi)所用各種組件的切斷電壓也更高。單通道UCC27531作為一種小型、非隔離式柵極驅(qū)動(dòng)器,它的高電源/輸出驅(qū)動(dòng)電壓范圍為10到35V,讓其成為12V Si MOSFET應(yīng)用和IGBT/SiC FET應(yīng)用的理想選擇。詳細(xì)閱讀>>

實(shí)現(xiàn)隔離式半橋柵極驅(qū)動(dòng)器的設(shè)計(jì)基礎(chǔ)

實(shí)現(xiàn)隔離式半橋柵極驅(qū)動(dòng)器的設(shè)計(jì)基礎(chǔ)

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隔離式半橋柵極驅(qū)動(dòng)器可用于許多應(yīng)用,從要求高功率密度和效率的隔離式DC-DC電源模塊,到高隔離電壓和長(zhǎng)期可靠性至關(guān)重要的太陽(yáng)能逆變器等等,不一而足。本文將詳細(xì)闡述這些設(shè)計(jì)理念,探索隔離式半橋柵極驅(qū)動(dòng)器解決方案在提供高性能和小尺寸解決方案方面的卓越能力。詳細(xì)閱讀>>

低側(cè)柵極驅(qū)動(dòng)器中MOSFET的設(shè)計(jì)技巧

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低側(cè)柵極驅(qū)動(dòng)器中MOSFET的設(shè)計(jì)技巧

在照明、功率轉(zhuǎn)換和電機(jī)控制等負(fù)載應(yīng)用中電壓不穩(wěn)很常見(jiàn),這主要是低側(cè)柵極驅(qū)動(dòng)器的MOSFET在作祟。柵極驅(qū)動(dòng)器能設(shè)計(jì)為可提供能高效驅(qū)動(dòng)所需的高峰值電流,那么如何降低不穩(wěn)定因素呢?首先要了解驅(qū)動(dòng)它們所需的功率MOSFET管的基本特征和驅(qū)動(dòng)所需信號(hào)。下文將針對(duì)MOSFET在低側(cè)柵極驅(qū)動(dòng)器如何設(shè)計(jì)做一些經(jīng)驗(yàn)分享。詳細(xì)閱讀>>

高速柵極驅(qū)動(dòng)器如何實(shí)現(xiàn)更高的系統(tǒng)效率?

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高速柵極驅(qū)動(dòng)器如何實(shí)現(xiàn)更高的系統(tǒng)效率?

高速柵極驅(qū)動(dòng)器可以通過(guò)降低FET的體二極管功耗來(lái)提高效率。體二極管是寄生二極管,大多數(shù)類型的FET固有。它由p-n結(jié)點(diǎn)形成并且位于漏極和源極之間。本文主要來(lái)討論過(guò)高速柵極驅(qū)動(dòng)器如何幫助系統(tǒng)實(shí)現(xiàn)更高的效率。詳細(xì)閱讀>>

經(jīng)典案例 經(jīng)典案例
英飛凌推出帶有微控制器、柵極驅(qū)動(dòng)器

英飛凌推出帶有微控制器、柵極驅(qū)動(dòng)器

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集成了電機(jī)控制器、三相柵驅(qū)動(dòng)器600V/2A和600V/4A IPM, 在沒(méi)有散熱器情況可以驅(qū)動(dòng)50W/70W電機(jī),目標(biāo)應(yīng)用為大小家電和風(fēng)機(jī)水泵。詳細(xì)閱讀>>

Allegro面向48V電池系統(tǒng)的ASIL BLDC MOSFET柵極驅(qū)動(dòng)器

Allegro推出N溝道功率MOSFET驅(qū)動(dòng)器

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AMT49100和AMT49101是Allegro針對(duì)48V電池系統(tǒng)而開(kāi)發(fā)的N溝道功率MOSFET驅(qū)動(dòng)器,能夠控制以三相橋式布局設(shè)置的MOSFET,可用于具有高功率電感性負(fù)載的48V汽車功率應(yīng)用。詳細(xì)閱讀>>

英飛凌推出-1A/2A,160V MOTIX三相SOI柵極驅(qū)動(dòng)器

英飛凌推出-1A/2A,160V MOTIX三相SOI柵極驅(qū)動(dòng)器

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-1A/2A,160V MOTIX?三相柵極驅(qū)動(dòng)器,帶有集成的電源管理單元(PMU)、電流感應(yīng)放大器(CSA)和過(guò)流保護(hù)(ITRIP)。詳細(xì)閱讀>>

總之,柵極驅(qū)動(dòng)器是一種非常重要的半導(dǎo)體器件,可以顯著提高 MOSFET 和 IGBT 的性能和可靠性。通過(guò)使用柵極驅(qū)動(dòng)器,可以確保控制器能夠更好地控制這兩種器件的操作,并擴(kuò)展它們的使用壽命。同時(shí),柵極驅(qū)動(dòng)器也為工程師提供了一個(gè)簡(jiǎn)單、安全、可靠的方法來(lái)控制 MOSFET 和 IGBT,從而降低了系統(tǒng)的成本和復(fù)雜性。