五大常用的大功率LED芯片制作方法
發(fā)布時(shí)間:2017-01-10 責(zé)任編輯:sherry
【導(dǎo)讀】為了獲得大功率LED器件,有必要準(zhǔn)備一個(gè)合適的大功率LED面板燈芯片。國(guó)際社會(huì)通常是大功率LED芯片的制造方法歸納如下:
①增加發(fā)光的大小
單一的LED發(fā)光區(qū)域和有效地增加流動(dòng)的電流量,通過均勻分布層TCL,以達(dá)到預(yù)期的磁通。但是,簡(jiǎn)單地增大發(fā)光面積不解決這個(gè)問題,散熱問題,不能達(dá)到預(yù)期的效果和實(shí)際應(yīng)用中的磁通量。
②硅底板倒裝法
共晶焊料首先,準(zhǔn)備一個(gè)大的LED面板燈芯片,并準(zhǔn)備一個(gè)合適的尺寸,在硅襯底和硅襯底,使用金的共晶釬料層和導(dǎo)電層導(dǎo)體(超聲波金絲球窩接頭),以及使用所述移動(dòng)設(shè)備的被焊接在一起共晶焊料的LED芯片和大尺寸的硅襯底。這樣的結(jié)構(gòu)更加合理,不僅要考慮這個(gè)問題,考慮到光與熱的問題,這是主流的大功率 LED生產(chǎn)。
Lumileds公司,美國(guó)在2001年開發(fā)出了不同的倒裝芯片的電源的AlGaInN(FCLED)結(jié)構(gòu),制造過程:第一P型氮化鎵外延膜沉積在頂部的層厚度超過500A,并返回的反射Niau的歐姆接觸,然后選擇性地蝕刻,使用掩模,在P型層和多量子阱有源層,露出N型層淀積,蝕刻后形成的N型歐姆接觸層1的1mm&TImes;1mm的一側(cè)的P型歐姆接觸,N型歐姆接觸以梳狀插入其中,芯片尺寸,從而使當(dāng)前的擴(kuò)展距離可以縮短,以盡量減少支持和銦鎵鋁氮化物擴(kuò)散阻力的ESD保護(hù)二極管(ESD)的硅芯片安裝顛倒焊錫凸塊。
③陶瓷板倒裝法
通用裝置的晶體結(jié)構(gòu)的LED面板燈芯片的LED芯片的下一個(gè)大的,在陶瓷板和陶瓷基板的共晶釬料層和導(dǎo)電層,在該區(qū)域產(chǎn)生的相應(yīng)的引線,焊接電極中使用水晶LED芯片和大規(guī)格陶瓷薄板焊接的焊接設(shè)備。這樣的結(jié)構(gòu)是需要考慮的問題,也是需要考慮的問題,光,熱,使用高導(dǎo)熱陶瓷板,陶瓷板,散熱效果非常好,價(jià)格也比較低,更適合為當(dāng)前的基本包裝材料和空間保留給將來的集成電路一體化。
④藍(lán)寶石襯底過渡方法
在藍(lán)寶石襯底除去后的PN結(jié)的制造商,在藍(lán)寶石襯底上生長(zhǎng)InGaN芯片,然后再連接的傳統(tǒng)的四元材料,制造大型結(jié)構(gòu)的藍(lán)色LED芯片的下部電極上,通過常規(guī)的方法。
⑤AlGaInN的碳化硅(SiC)背面光的方法
美國(guó)Cree公司是世界上唯一的碳化硅基板的AlGaInN超高亮度LED制造商,多年來生產(chǎn)的AlGaInN / SICA芯片的架構(gòu)不斷完善和增加亮度。由于在P型和N型電極分別位于該芯片的頂部和底部,使用一個(gè)單一的引線鍵合,較好的相容性,易用性,因而成為主流產(chǎn)品的發(fā)展AlGaInNLED另一個(gè)。
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