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JFET 共源共柵提高了電流源性能
許多過程控制傳感器，例如熱敏電阻和應變計電橋，都需要的偏置電流。通過添加單個電流設置電阻器 R 1，您可以配置電壓參考電路 IC 1 以產(chǎn)生恒定且的電流源（圖 1 ）。然而，信號源的誤差取決于 R 1 和 IC 1的精度 ，并影響測量精度和分辨率。盡管您可以指定精度超過常用電壓基準 IC 精度的高精度電阻，但基準電壓源的誤差決定了該電流源的精度。盡管制造商限度地降低了電壓基準的溫度敏感性和輸出電壓誤差，但對電源變化的敏感性可能會影響其精度，特別是在必須在較寬電源電壓范圍內(nèi)運行的過程控制應用中。
2024-12-31
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對比雙電源分立式和集成式儀表放大器
設計分立式儀表放大器 (IA) 與集成式 IA 的優(yōu)點和缺點有很多，而且經(jīng)常爭論不休。需要考慮的一些變量包括印刷電路板 (PCB) 面積、增益范圍、性能（隨溫度變化）和成本。本文的目的是比較三種雙電源 IA 電路：使用四路運算放大器 (op amp) 的分立式 IA、具有集成增益設置電阻器 (RG) 的通用 IA 和帶有外部 RG 的精密 IA。
2024-12-13
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干貨 使用分流電阻器測量電流
分流電阻器是一種插入電路中測量電流的精密元件。在使用靈敏表頭測量電流的電流表中，將分流電阻器與表頭并聯(lián)，就可以將部分電流從表頭中“分流”出去。如今，一般通過將電阻器插入電路來進行“分流”，電阻器會相應地小幅降低電路中的電流電壓。然后可以使用電壓表或示波器測量該電壓降，并利用歐姆定律將測得的電壓除以電阻值，即可計算得出流經(jīng)電路的電流。
2024-12-09
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利用電容測試方法開創(chuàng)鍵合線檢測新天地
鍵合線廣泛應用于電子設備、半導體產(chǎn)業(yè)和微電子領域。它能夠將集成電路（IC）中的裸片與其他電子元器件（如晶體管和電阻器）進行連接。鍵合線可在芯片的鍵合焊盤與封裝基板或另一塊芯片的相應焊盤之間建立電氣連接。
2024-10-17
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第4講：SiC的物理特性
SiC作為半導體功率器件材料，具有許多優(yōu)異的特性。4H-SiC與Si、GaN的物理特性對比見表1。與Si相比，4H-SiC擁有10倍的擊穿電場強度，可實現(xiàn)高耐壓。與另一種寬禁帶半導體GaN相比，物理特性相似，但在p型器件導通控制和熱氧化工藝形成柵極氧化膜方面存在較大差異，4H-SiC在多用途功率MOS晶體管的制備方面具有優(yōu)勢。此外，由于GaN是直接躍遷型半導體，少數(shù)載流子壽命較短，因此通過電導調制效應來實現(xiàn)低導通電阻器件的效果并不理想。
2024-09-11
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開關模式電源問題分析及其糾正措施：檢測電阻器違規(guī)
本文是系列文章中的第二篇，該系列文章將討論常見的開關模式電源(SMPS)的設計問題及其糾正方案。本文旨在解決DC-DC開關穩(wěn)壓器的反饋級設計中面臨的復雜難題，重點關注檢測電阻器(RSENSE)元件。RSENSE對于確保反饋網(wǎng)絡（負責維持輸出電壓）接收來自電感電流的準確信號而言至關重要。失真的信號可能會使電感紋波看起來比實際更大或更小，從而導致反饋網(wǎng)絡出現(xiàn)意外行為。
2024-09-10
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電流測量分流電阻
大多數(shù)電流表都內(nèi)置電阻器來測量電流。但是，當電流對于電流表來說太高時，需要不同的設置。解決方案是將電流表與的分流電阻器并聯(lián)。有時用于此類電阻器的另一個術語是電流表分流器。
2024-07-26
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如何計算放大器的輸入電阻（通俗易懂）
單片差分放大器是集成電路，包含一個運算放大器（運放）以及不少于四個采用相同封裝的精密電阻器。對需要將差分信號轉換成單端信號同時抑制共模信號的模擬設計人員而言，它們是非常有用的構建塊。例如，圖1所示的INA134目的是用作適合差分音頻接口的線路接收器。
2024-04-15
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發(fā)光二極管中的電阻器
當電流通過時，LED（發(fā)光二極管）就會發(fā)光。為 LED 供電的簡單電路是一個帶有串聯(lián)電阻和 LED 的電壓源。這種電阻器通常稱為鎮(zhèn)流電阻器。鎮(zhèn)流電阻用于限制通過 LED 的電流并防止電流過大而燒壞 LED。如果電壓源等于 LED 的壓降，則不需要電阻。LED 還可采用集成封裝，并配有用于 LED 操作的正確電阻器。
2024-03-11
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使用分流電阻器增強電流感應以提高效率
電力電子集成系統(tǒng)帶來了許多優(yōu)勢，例如提高效率、增強可靠性以及簡化設計和組裝。隨著各行業(yè)快速電氣化，對集成系統(tǒng)和模塊的需求不斷增加。碳化硅和氮化鎵晶體管（稱為寬帶隙 (WBG) 半導體）等先進功率半導體器件的出現(xiàn)，進一步推動了對集成解決方案的需求，以實現(xiàn)性能和成本效益。
2023-11-13
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IGBT／MOSFET 的基本柵極驅動光耦合器設計
本應用筆記涵蓋了計算柵極驅動光耦合器 IC 的柵極驅動器功率和熱耗散的主題。柵極驅動光耦合器用于驅動、開啟和關閉功率半導體開關、MOSFET/IGBT。柵極驅動功率計算可分為三部分；驅動器內(nèi)部電路中消耗或損失的功率、發(fā)送至功率半導體開關(IGBT/MOSFET)的功率以及驅動器IC和功率半導體開關之間的外部組件處（例如外部柵極電阻器上）損失的功率。在以下示例中，我們將討論使用 Avago ACPL-332J（2.5nApeak 智能柵極驅動器）的 IGBT 柵極驅動器設計。
2023-10-25
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使用霍爾效應電流傳感器簡化高壓電流檢測
在電動汽車(EV)充電系統(tǒng)和光伏逆變器系統(tǒng)中，電流傳感器通過監(jiān)測分流電阻器上的壓降或導體中電流產(chǎn)生的磁場來測量電流。這些高壓系統(tǒng)使用電流信息控制和監(jiān)測電源轉換、充電和放電。
2023-10-07
- 貿(mào)澤與Cinch聯(lián)手發(fā)布全新電子書深入探討惡劣環(huán)境中的連接應用
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