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用于SiC MOSFET的隔離柵極驅動器使用指南
SiC MOSFET 在功率半導體市場中正迅速普及，因為它最初的一些可靠性問題已得到解決，并且價位已達到非常有吸引力的水平。隨著市場上的器件越來越多，必須了解 SiC MOSFET 與 IGBT 之間的共性和差異，以便用戶充分利用每種器件。本系列文章概述了安森美 M 1 1200 V SiC MOSFET 的關鍵特性及驅動條件對它的影響，作為安森美提供的全方位寬禁帶生態(tài)系統(tǒng)的一部分，還將提供 NCP51705（用于 SiC MOSFET 的隔離柵極驅動器）的使用指南。本文為第三部分，將重點介紹NCP51705 SiC 柵極驅動器的使用指南。
2023-07-26
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深度剖析IGBT柵極驅動注意事項
IGBT晶體管的結構要比 MOSFET 或雙極結型晶體管 (BJT) 復雜得多。它結合了這兩種器件的特點，并且有三個端子：一個柵極、一個集電極和一個發(fā)射極。就柵極驅動而言，該器件的行為類似于 MOSFET。它的載流路徑與 BJT 的集電極-發(fā)射極路徑非常相似。圖 1 顯示了 n 型 IGBT 的等效器件電路。
2023-07-20
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具有更高效率與優(yōu)勢的碳化硅技術
碳化硅（SiC）技術具有比傳統(tǒng)的硅（Si）、絕緣柵雙極晶體管（IGBT）等技術具有更多優(yōu)勢，包括更高的開關頻率，更低的工作溫度，更高的電流和電壓容量，以及更低的損耗，進而可以實現更高的功率密度、可靠性和效率。本文將為您介紹SiC的發(fā)展趨勢與在儲能系統(tǒng)（ESS）上的應用，以及由Wolfspeed推出的SiC電源解決方案。
2023-07-19
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了解這些 就可以搞懂 IGBT
絕緣柵雙極晶體管（IGBT, Insulated Gate Bipolar Transistor）是一種三端功率半導體器件，主要用作電子開關，在較新的器件中以結合高效和快速開關而聞名。IGBT通過在單個器件中組合用于控制輸入的隔離柵極FET和作為開關的雙極功率晶體管，將MOSFET的簡單柵極驅動特性與雙極晶體管的高電流和低飽和電壓能力相結合。IGBT用于中到大功率應用，如開關電源、牽引電機控制和感應加熱。
2023-07-18
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絕緣柵雙極晶體管(IGBTs)簡史
盡管人們對寬帶隙(WBG)功率半導體器件感到興奮，但硅基絕緣柵雙極晶體管(IGBTs)在今天比以往任何時候都更加重要。在我們10月份發(fā)布的電動汽車電力電子報告[2]中，TechInsights預測，xEV輕型汽車動力總成的產量將從2020年的910萬增長到2026年的4310萬，這使得其復合年增長率(CAGR)達到25%。SiC MOSFET目前預計占市場的約26%，到2029年預計將占市場份額的50%。
2023-07-16
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安森美 M 1 1200 V SiC MOSFET 靜態(tài)特性分析
SiC MOSFET 在功率半導體市場中正迅速普及，因為它最初的一些可靠性問題已得到解決，并且價位已達到非常有吸引力的水平。隨著市場上的器件越來越多，必須了解 SiC MOSFET 與 IGBT 之間的共性和差異，以便用戶充分利用每種器件。本系列文章將概述安森美 M 1 1200 V SiC MOSFET 的關鍵特性及驅動條件對它的影響，作為安森美提供的全方位寬禁帶生態(tài)系統(tǒng)的一部分，還將提供 NCP51705（用于 SiC MOSFET 的隔離柵極驅動器）的使用指南。本文為第一部分，將重點介紹安森美M 1 1200 V SiC MOSFET的靜態(tài)特性。
2023-07-13
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針對電動馬達控制，在指定絕緣柵雙極晶體管 (IGBT) 時的考慮
針對所有的應用，人們越來越注意電動馬達的運作效率；因此，對高效率驅動器的需求變得日益重要。此外，使用馬達驅動的設計，例如電動馬達、泵和風扇，需要降低整體成本，且需要減低這些電動馬達應用中的能耗；因此，為電動馬達及其的驅動指定高效率的設計，以適合每項特定應用變得更加重要。
2023-06-28
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1200V TRENCHSTOP IGBT7 H7單管性能分析及其在T型三電平拓撲中的應用
英飛凌TRENCHSTOP? IGBT7系列單管具有兩種電壓等級（650V&1200V）和三個系列（T7，S7，H7）。其中，H7系列單管針對光儲、UPS、EV charger、焊機等應用進行了專門的優(yōu)化，并配備了全電流EC7 rapid二極管。憑借極低的開關損耗、導通損耗和豐富的產品系列，H7單管正在成為光伏和儲能應用的新星。
2023-06-26
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SMPD先進絕緣封裝充分發(fā)揮SiC MOSFET優(yōu)勢
SMPD可用于標準拓撲結構，如降壓、升壓、橋臂(phase-leg)，甚至是定制的組合。它們可用于各種技術產品，如Si/SiC MOSFET、IGBT、二極管、晶閘管、三端雙向可控硅，或定制組合，具有從40V到3000V不同電壓等級。
2023-06-07
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相較IGBT，SiC如何優(yōu)化混動和電動汽車的能效和性能？
隨著人們對電動汽車 (EV) 和混動汽車 (HEV) 的興趣和市場支持不斷增加，汽車制造商為向不斷擴大的客戶群提供優(yōu)質產品，競爭日益激烈。由于 EV 的電機需要高千瓦時電源來驅動，傳統(tǒng)的 12 V 電池已讓位于 400-450 V DC 數量級的電池組，成為 EV 和 HEV 的主流電池電壓。
2023-06-06
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滿足當今電源需求的全系列柵極驅動電源產品
電源是電子設備的基礎，其中的柵極驅動器是穩(wěn)定提供設備電源的關鍵。柵極驅動器是一種功率放大器，它接受來自控制器芯片的低功率輸入，并為高功率晶體管（例如IGBT或功率MOSFET）的柵極產生高電流驅動輸入。本文將為您介紹柵極驅動電源與DC-DC轉換器的技術概念，以及由Murata推出的隔離柵極驅動電源產品系列的功能特性。
2023-06-02
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安森美和上能電氣攜手引領可持續(xù)能源應用的發(fā)展
智能電源和智能感知技術的領導者安森美（onsemi，美國納斯達克上市代號：ON），宣布上能電氣（Sineng Electric）將在其公用事業(yè)級太陽能逆變器和引領業(yè)界的200 kW 儲能系統(tǒng)（ESS）中集成安森美的EliteSiC SiC MOSFET和基于IGBT的高密度功率集成模塊（PIM）。兩家公司合作開發(fā)的優(yōu)化方案，將最大程度地提高太陽能逆變器及儲能變流器的性能。
2023-05-17
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