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安森美智能電源產(chǎn)品斬獲中國(guó)“2022年Top 10電源產(chǎn)品獎(jiǎng)”多項(xiàng)殊榮
領(lǐng)先于智能電源和智能感知技術(shù)的安森美(onsemi，美國(guó)納斯達(dá)克股票代號(hào)：ON)，宣布其創(chuàng)新的智能電源產(chǎn)品在“2022年Top 10電源產(chǎn)品獎(jiǎng)”評(píng)選中榮獲多項(xiàng)獎(jiǎng)項(xiàng)。其中，APM32系列汽車(chē)碳化硅功率模塊獲“2022 Top 10電源產(chǎn)品獎(jiǎng)”，汽車(chē)主驅(qū)碳化硅功率模塊VE-Trac? Direct SiC獲“最佳應(yīng)用獎(jiǎng)”，高功率圖騰柱PFC控制器NCP1681獲“綠色節(jié)能獎(jiǎng)”。“Top 10電源產(chǎn)品獎(jiǎng)”由21IC中國(guó)電子網(wǎng)主辦，備受行業(yè)認(rèn)可，獲得該殊榮的產(chǎn)品代表其在本年度具有極高的產(chǎn)品力和技術(shù)創(chuàng)新能力。
2022-12-13
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SiC MOSFET和Si MOSFET寄生電容在高頻電源中的損耗對(duì)比
富昌電子（Future Electronics）一直致力于以專(zhuān)業(yè)的技術(shù)服務(wù)，為客戶打造個(gè)性化的解決方案，并縮短產(chǎn)品設(shè)計(jì)周期。在第三代半導(dǎo)體的實(shí)際應(yīng)用領(lǐng)域，富昌電子結(jié)合自身的技術(shù)積累和項(xiàng)目經(jīng)驗(yàn)，落筆于SiC相關(guān)設(shè)計(jì)的系列文章。希望以此給到大家一定的設(shè)計(jì)參考，并期待與您進(jìn)一步的交流。
2022-12-13
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橋式結(jié)構(gòu)中的柵極-源極間電壓的行為：關(guān)斷時(shí)
具有驅(qū)動(dòng)器源極引腳的SiC MOSFET，與不具有驅(qū)動(dòng)器源極引腳的SiC MOSFET產(chǎn)品相比，在橋式結(jié)構(gòu)情況下的柵-源電壓的行為不同。在上一篇文章中，我們介紹了LS（低邊）SiC MOSFET導(dǎo)通時(shí)的行為。本文將介紹低邊SiC MOSFET關(guān)斷時(shí)的行為。
2022-12-12
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實(shí)現(xiàn)測(cè)試測(cè)量突破性創(chuàng)新，采用ASIC還是FPGA？
作為世界創(chuàng)新的幕后英雄，特別是在電子器件和通信技術(shù)方面，工程師們要開(kāi)發(fā)測(cè)試設(shè)備，驗(yàn)證這些新技術(shù)，以把新技術(shù)推向市場(chǎng)。這些工程師必須運(yùn)行尖端技術(shù)，處理預(yù)測(cè)行業(yè)和創(chuàng)新未來(lái)的挑戰(zhàn)。在開(kāi)創(chuàng)未來(lái)的過(guò)程中，測(cè)試測(cè)量工程師面臨的基礎(chǔ)性創(chuàng)新挑戰(zhàn)之一，是確定設(shè)計(jì)中采用專(zhuān)用集成電路(ASIC)還是現(xiàn)場(chǎng)可編程門(mén)陣列(FPGA)。
2022-12-09
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高可靠性電容式MEMS麥克風(fēng)在車(chē)載中的應(yīng)用
采用MEMS技術(shù)制造的電容式硅麥克風(fēng)在小型化、性能、可靠性、環(huán)境耐受性、成本及量產(chǎn)能力上與ECM（Electret Capacitance Microphone）相比具有巨大優(yōu)勢(shì)，一經(jīng)推出變迅速占領(lǐng)手機(jī)、PDA（Personal Digital Assistant）、耳機(jī)等消費(fèi)電子產(chǎn)品市場(chǎng)。
2022-12-09
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聚焦器件可靠性、柵極驅(qū)動(dòng)器創(chuàng)新和總體系統(tǒng)解決方案
碳化硅（SiC）技術(shù)能在大幅提高當(dāng)前電力系統(tǒng)效率的同時(shí)降低其尺寸、重量和成本，因此市場(chǎng)需求不斷攀升。但是SiC解決方案并不是硅基解決方案的直接替代品，它們并非完全相同。為了實(shí)現(xiàn)SiC技術(shù)的愿景，開(kāi)發(fā)人員必須從產(chǎn)品質(zhì)量、供貨情況和服務(wù)支持等各個(gè)方面仔細(xì)評(píng)估多家產(chǎn)品和供應(yīng)商，并了解如何優(yōu)化不同SiC功率組件到其最終系統(tǒng)的集成。
2022-12-09
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汽車(chē)IC分類(lèi)一張圖，國(guó)際大廠與中國(guó)步伐有差異
汽車(chē)IC就是車(chē)規(guī)級(jí)產(chǎn)品，滿足汽車(chē)質(zhì)量管理體系，符合可靠性和功能安全要求的集成電路。中國(guó)汽車(chē)芯片產(chǎn)業(yè)創(chuàng)新戰(zhàn)略聯(lián)盟（以下簡(jiǎn)稱“聯(lián)盟”）在2020年發(fā)布了《純電動(dòng)乘用車(chē)車(chē)規(guī)級(jí)芯片一般要求》團(tuán)體標(biāo)準(zhǔn)，將汽車(chē)半導(dǎo)體分為10個(gè)大類(lèi)和60個(gè)小類(lèi)，10個(gè)大類(lèi)分別包括控制芯片、存儲(chǔ)芯片、計(jì)算芯片、信息安全芯片、驅(qū)動(dòng)芯片、通信芯片、功率芯片、電源芯片、模擬芯片以及傳感器。
2022-12-09
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恒流負(fù)載導(dǎo)致的啟動(dòng)故障
內(nèi)置折返式限流電路的線性穩(wěn)壓器IC，在IC啟動(dòng)前輸出端被施加恒流負(fù)載時(shí)，可能會(huì)出現(xiàn)無(wú)法啟動(dòng)的問(wèn)題。
2022-12-08
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提高電源轉(zhuǎn)換器性能的低 RDS(on) SiC FET（SiC FET 架構(gòu)顯示出多項(xiàng)優(yōu)勢(shì)）
近年來(lái)隨著高性能計(jì)算需求的持續(xù)增長(zhǎng)，HBM（High Bandwidth Memory，高帶寬存儲(chǔ)器）總線接口被應(yīng)用到越來(lái)越多的芯片產(chǎn)品中，然而HBM的layout實(shí)現(xiàn)完全不同于傳統(tǒng)的Package/PCB設(shè)計(jì)，其基于2.5D interposer的設(shè)計(jì)中，由于interposer各層厚度非常薄且信號(hào)線細(xì)，使得直流損耗、容性負(fù)載、容性/感性耦合等問(wèn)題嚴(yán)重，給串?dāng)_和插損指標(biāo)帶來(lái)了非常大的挑戰(zhàn)。
2022-12-08
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復(fù)雜電源系統(tǒng)中的明星：數(shù)字化多路電源模塊將即將嶄露頭角
近幾年來(lái)，板級(jí)電源模塊產(chǎn)品呈現(xiàn)爆炸式發(fā)展態(tài)勢(shì)，其集成度高、體積緊湊的優(yōu)點(diǎn)，吸引了越來(lái)越多的終端客戶選擇。而越來(lái)越多的應(yīng)用類(lèi)型、越來(lái)越復(fù)雜的使用場(chǎng)景，也對(duì)電源模塊產(chǎn)品提出了更高的挑戰(zhàn)。如何達(dá)到性能最優(yōu)？如何提升用戶設(shè)計(jì)體驗(yàn)？如何增強(qiáng)可靠性？各種尖銳的問(wèn)題，促使IC電源廠商不斷追求著控制策略優(yōu)化、工藝優(yōu)化、設(shè)計(jì)結(jié)構(gòu)優(yōu)化。MPS在電源模塊產(chǎn)品設(shè)計(jì)方面有著自己獨(dú)到的理解和技術(shù)沉淀，并藉此推動(dòng)電源模塊產(chǎn)品的交付量迅猛增長(zhǎng)。
2022-12-07
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適用于下一代大功率應(yīng)用的XHP2封裝
軌道交通牽引變流器的平臺(tái)化設(shè)計(jì)和易擴(kuò)展性是其主要發(fā)展方向之一，其對(duì)半導(dǎo)體器件也提出了新的需求。一方面需要半導(dǎo)體器件能滿足更寬的電壓等級(jí)和電流等級(jí)，另一方面也要兼容電力電子器件的新技術(shù)，比如IGBT5/.XT或SiC MOSFET。這樣既有利于電力電子系統(tǒng)的平臺(tái)化設(shè)計(jì)，也可以增加系統(tǒng)的功率密度，減小系統(tǒng)的尺寸和體積。因此，半導(dǎo)體器件需要具有更低的雜散電感、更大的電流等級(jí)和對(duì)稱的結(jié)構(gòu)布局。本文介紹了一種新的用于大功率應(yīng)用的XHP? 2 IGBT模塊，包括低雜散電感設(shè)計(jì)原理、開(kāi)關(guān)特性和采用IGBT5/.XT技術(shù)可以延長(zhǎng)模塊的使用壽命等關(guān)鍵點(diǎn)。
2022-12-05
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用于 EV 充電系統(tǒng)柵極驅(qū)動(dòng)的隔離式 DC／DC 轉(zhuǎn)換器
電動(dòng)汽車(chē)充電系統(tǒng)正在不斷發(fā)展。目前通常使用 400V 電池充電總線電壓的 AC Level 2 壁掛式充電盒正在向需要 800V 總線電壓的直流快速充電 (DCFC) 系統(tǒng)遷移。像碳化硅這樣的寬帶隙功率器件非常適合這些應(yīng)用，與硅 IGBT 相比具有更低的傳導(dǎo)和開(kāi)關(guān)損耗。然而，SiC 更快的開(kāi)關(guān)速率以及更高的電壓會(huì)對(duì)柵極驅(qū)動(dòng)器電路提出一些獨(dú)特的要求。在本文中，我們將重點(diǎn)介紹 Murata 產(chǎn)品經(jīng)理 Ann-Marie Bayliss 在近的 electronica 2022電源論壇上關(guān)于該公司用于此類(lèi)柵極驅(qū)動(dòng)應(yīng)用的隔離式 DC/DC 轉(zhuǎn)換器的演講的某些方面。
2022-12-05
- 授權(quán)代理商貿(mào)澤電子供應(yīng)Same Sky多樣化電子元器件
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