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25kW電動(dòng)汽車SiC直流快充設(shè)計(jì)指南：經(jīng)驗(yàn)總結(jié)
在我們的系列參考設(shè)計(jì)文檔中，我們?cè)敿?xì)描述了25 kW直流快充模塊的開發(fā)過程。本白皮書則主要探討25 kW直流快充模塊的開發(fā)和測(cè)試中硬件和固件設(shè)計(jì)以及調(diào)試階段的技巧與訣竅。我們將介紹如何測(cè)試和微調(diào)去飽和保護(hù)功能，分析SiC MOSFET漏極電壓振鈴的原因，以及添加緩沖電容的好處。此外還考慮如何在環(huán)回測(cè)試中使用比待測(cè)器件(DUT)功率更低的設(shè)備來測(cè)試DUT。最后，我們將討論相移雙有源橋控制算法設(shè)計(jì)。
2023-01-11
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使用即插即用的D類放大器輕松實(shí)現(xiàn)可穿戴和物聯(lián)網(wǎng)音頻
耗電顯示器不是與電池供電的便攜式、可穿戴和物聯(lián)網(wǎng)設(shè)備接口的最有效媒介。因此，低功耗音頻正迅速成為一種更受歡迎的替代品。在本設(shè)計(jì)解決方案中，我們回顧了D類數(shù)字音頻放大器，并討論了一些當(dāng)前解決方案的限制，然后介紹了一種巧妙封裝的IC，該IC需要最少的配置即可快速為這些應(yīng)用帶來高質(zhì)量的音頻。
2023-01-11
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滿足高度緊湊型1500-V并網(wǎng)逆變器需求的新型ANPC功率模塊
本文提出了一種優(yōu)化的ANPC拓?fù)浣Y(jié)構(gòu)。該拓?fù)浣Y(jié)構(gòu)支持最新的1200-V SiC T-MOSFET與IGBT技術(shù)優(yōu)化組合，實(shí)現(xiàn)成本效益。市場(chǎng)上將推出一款采用全集成ANPC拓?fù)浣Y(jié)構(gòu)的新型功率模塊，適用于高度緊湊型、高效率1500-V并網(wǎng)逆變器。新開發(fā)的Easy3B功率模塊在48kHz頻率條件下，可以實(shí)現(xiàn)輸出功率達(dá)到200kW以上。此外，相應(yīng)的P-Q圖幾乎呈圓形。這意味著，該功率模塊適用于儲(chǔ)能系統(tǒng)等新興應(yīng)用。
2023-01-10
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車規(guī)碳化硅功率模塊 - 襯底和外延篇
中國(guó)汽車工業(yè)協(xié)會(huì)最新數(shù)據(jù)顯示，2022年1月至11月，新能源汽車產(chǎn)銷分別完成625.3萬輛和606.7萬輛，同比均增長(zhǎng)1倍，市場(chǎng)占有率達(dá)到25%。由此可見新能源汽車的發(fā)展已經(jīng)進(jìn)入了快車道。在這里我們注意到，由于里程焦慮和快速充電的要求，800V 電池母線系統(tǒng)獲得了不少的OEM或者Tier1的青睞。談到800V母線系統(tǒng)，讓我們聚焦到其中的核心功率器件碳化硅功率模塊，由于碳化硅得天獨(dú)厚的優(yōu)勢(shì)，使得它非常適合用來制造高耐壓、高結(jié)溫、高速的MOSFET，這三高恰好契合了800V母線系統(tǒng)對(duì)于核心的功率器件的要求。安森美(onsemi)非常看好800V母線系統(tǒng)的發(fā)展，有一些研究機(jī)構(gòu)，預(yù)測(cè)截至到2026年，SiC在整個(gè)功率器件市場(chǎng)的占比將達(dá)到12%以上。
2023-01-10
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艾邁斯歐司朗與Quadric達(dá)成合作，攜智能圖像傳感器亮相CES展會(huì)
全球領(lǐng)先的光學(xué)解決方案供應(yīng)商艾邁斯歐司朗與端側(cè)AI機(jī)器學(xué)習(xí)處理器IP創(chuàng)新者Quadric宣布達(dá)成戰(zhàn)略合作，雙方將聯(lián)合開發(fā)集成傳感模塊，結(jié)合艾邁斯歐司朗前沿的Mira系列可見光和紅外光CMOS傳感器與Quadric新型Chimera? GPNPU處理器。這些模塊實(shí)現(xiàn)超低功耗，雙方的融合將為可穿戴設(shè)備、機(jī)器人、工業(yè)及安防市場(chǎng)提供創(chuàng)新的智能傳感方案。合作產(chǎn)品已在2023年1月5日至8日拉斯維加斯CES展會(huì)首次亮相，并進(jìn)行現(xiàn)場(chǎng)演示。
2023-01-09
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安森美和Ampt攜手合作，助力光伏電站供應(yīng)商提高能效
2023年1月6日 — 領(lǐng)先于智能電源和智能感知技術(shù)的安森美(onsemi，美國(guó)納斯達(dá)克股票代號(hào)：ON)，和世界頭號(hào)大型光伏（PV）太陽能和儲(chǔ)能系統(tǒng)直流優(yōu)化器公司Ampt LLC宣布攜手合作，以滿足市場(chǎng)對(duì)直流組串優(yōu)化器的高需求。Ampt在其直流組串優(yōu)化器中使用了安森美的EliteSiC系列碳化硅（SiC）技術(shù)之N溝道SiC MOSFET，用于關(guān)鍵的功率開關(guān)應(yīng)用。
2023-01-07
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數(shù)字控制回路的模擬組件（模擬控制器轉(zhuǎn)向易于編程的數(shù)字控制環(huán)路）
移動(dòng)、汽車和物聯(lián)網(wǎng) （IoT） 電氣和電子系統(tǒng)的加速部署，加上上市時(shí)間窗口的縮短，導(dǎo)致需要對(duì)支持它們的 IC 進(jìn)行更快速、更低成本的測(cè)試。
2023-01-06
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集成電路發(fā)展策略與內(nèi)外環(huán)境認(rèn)知
近年來，集成電路行業(yè)處在風(fēng)口浪尖，備受關(guān)注。在剛剛結(jié)束的2022 ICS集成電路峰會(huì)上，魏少軍教授、李珂先生等行業(yè)專家給出了他們的觀點(diǎn)，用事實(shí)和數(shù)據(jù)說明，在成熟的集成電路工藝和EDA工具上實(shí)現(xiàn)芯片產(chǎn)品創(chuàng)新，并不需要最先進(jìn)的工藝，追求能量效率這個(gè)指標(biāo)，就能實(shí)現(xiàn)產(chǎn)品創(chuàng)新特色。說到美國(guó)單向脫鉤，表示我們不想脫鉤，就會(huì)出現(xiàn)半脫鉤，美國(guó)要確保領(lǐng)先中國(guó)二代半導(dǎo)體技術(shù)。2023年他們會(huì)加大對(duì)中國(guó)遏制，不會(huì)減緩，只會(huì)加強(qiáng)。本期文章根據(jù)各位專家的觀點(diǎn)，從成熟技術(shù)創(chuàng)新，供應(yīng)鏈安全，補(bǔ)人才短板，半脫鉤下策略發(fā)展四個(gè)方面來看集成電路發(fā)展策略與內(nèi)外環(huán)境認(rèn)知。
2023-01-06
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芯片國(guó)產(chǎn)替代：替代策略與實(shí)施要?jiǎng)t干貨
在缺“芯”困局之下，國(guó)產(chǎn)替代的呼聲愈發(fā)高漲。但就目前的產(chǎn)業(yè)環(huán)境而言，國(guó)產(chǎn)芯片替代實(shí)際上機(jī)遇與挑戰(zhàn)并存。半導(dǎo)體行業(yè)由于其自身“高精尖”特質(zhì)所致，是典型的資產(chǎn)密集、技術(shù)密集、人才密集型產(chǎn)業(yè)。產(chǎn)品從研發(fā)到量產(chǎn)的周期較長(zhǎng)，需數(shù)十年。同時(shí)，芯片國(guó)產(chǎn)化的機(jī)遇也是空前的。國(guó)家利好政策不斷發(fā)布：投資補(bǔ)助、稅收優(yōu)惠等為半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)發(fā)展保駕護(hù)航，加之眾多資本持續(xù)加大對(duì)芯片產(chǎn)業(yè)的投資力度，也有助于國(guó)產(chǎn)廠商的發(fā)展及技術(shù)突破。本文內(nèi)容根據(jù)2022 ICS集成電路峰會(huì)論壇上，深圳市大盛唐科技有限公司總經(jīng)理韓軍龍帶來的國(guó)產(chǎn)替代實(shí)戰(zhàn)分享，來了解關(guān)于芯片國(guó)產(chǎn)替代的策略及實(shí)施要?jiǎng)t。
2023-01-06
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瑞薩電子推出首款支持新Matter協(xié)議的Wi-Fi開發(fā)套件
2023 年 1 月 5 日，中國(guó)北京訊 - 全球半導(dǎo)體解決方案供應(yīng)商瑞薩電子（TSE：6723）今日宣布，推出首款支持新Matter協(xié)議的開發(fā)套件，同時(shí)宣布將在未來所有Wi-Fi、低功耗藍(lán)牙?（BLE），和IEEE 802.15.4（Thread）方案中，以及最近收購(gòu)的Dialog Semiconductor和Celeno Communications產(chǎn)品上，提供對(duì)Matter的支持。
2023-01-05
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安森美的主驅(qū)逆變器碳化硅功率模塊被現(xiàn)代汽車選中用于高性能電動(dòng)汽車
2023年1月5日 —領(lǐng)先于智能電源和智能感知技術(shù)的安森美(onsemi，美國(guó)納斯達(dá)克股票代號(hào)：ON)，宣布安森美的EliteSiC系列碳化硅（SiC）功率模塊已被起亞（Kia Corporation）選中用于EV6 GT車型。這款電動(dòng)汽車（EV）從零速加速到60英里/小時(shí)只需3.4秒，最高時(shí)速達(dá)161英里/小時(shí)。在該高性能電動(dòng)汽車的主驅(qū)逆變器中，EliteSiC功率模塊實(shí)現(xiàn)了從電池的直流800V到后軸交流驅(qū)動(dòng)的高效電源轉(zhuǎn)換。安森美會(huì)繼續(xù)與現(xiàn)代起亞汽車集團(tuán)（Hyundai Motor Company and Kia Corporation，簡(jiǎn)稱HMC/KIA）合作，將EliteSiC技術(shù)用于其即將推出的基于電動(dòng)化全球模塊型平臺(tái)（E-GMP）的高性能電動(dòng)汽車。
2023-01-05
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OBC DC/DC SiC MOSFET驅(qū)動(dòng)選型及供電設(shè)計(jì)要點(diǎn)
新能源汽車動(dòng)力域高壓化、小型化、輕型化是大勢(shì)所趨。更高的電池電壓如800V系統(tǒng)要求功率器件具有更高的耐壓小型化要求功率拓?fù)渚哂懈叩拈_關(guān)頻率。碳化硅（SiC）作為第三代半導(dǎo)體代表，具有高頻率、高效率、小體積等優(yōu)點(diǎn)，更適合車載充電機(jī)OBC、直流變換器 DC/DC、電機(jī)控制器等應(yīng)用場(chǎng)景高頻驅(qū)動(dòng)和高壓化的技術(shù)發(fā)展趨勢(shì)。本文主要針對(duì)SiC MOSFET的應(yīng)用特點(diǎn)，介紹了車載充電機(jī)OBC和直流變換器DC/DC應(yīng)用中的SiC MOSFET的典型使用場(chǎng)景，并針對(duì)SiC MOSFET的特性推薦了驅(qū)動(dòng)芯片方案。最后，本文根據(jù)SiC MOSFET驅(qū)動(dòng)對(duì)供電的特殊要求，對(duì)不同供電設(shè)計(jì)方案的優(yōu)劣勢(shì)進(jìn)行了分析。
2023-01-05
- 授權(quán)代理商貿(mào)澤電子供應(yīng)Same Sky多樣化電子元器件
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