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商業(yè)、建筑和農業(yè)車輛應用中TO-247PLUS分立封裝的回流焊接
今天，功率半導體為很多應用提供高功率密度的解決方案。如何將功率器件的發(fā)熱充分散出去是解決高功率密度設計的關鍵。通過使用IGBT焊接在雙面覆銅陶瓷板(DCB)上可以幫助減少散熱系統(tǒng)的熱阻，前提是需要IGBT單管封裝支持SMD工藝。本文將展示一種可回流焊接的TO-247PLUS單管封裝，該封裝可將器件芯片到DCB基板的熱阻降至最低。
2023-11-21
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SiC MOSFET 器件特性知多少？
對于高壓開關電源應用，碳化硅或 SiC MOSFET 與傳統(tǒng)硅 MOSFET 和 IGBT 相比具有顯著優(yōu)勢。開關超過 1,000 V的高壓電源軌以數百 kHz 運行并非易事，即使是最好的超結硅 MOSFET 也難以勝任。IGBT 很常用，但由于其存在“拖尾電流”且關斷緩慢，因此僅限用于較低的工作頻率。因此，硅 MOSFET 更適合低壓、高頻操作，而 IGBT 更適合高壓、大電流、低頻應用。SiC MOSFET 很好地兼顧了高壓、高頻和開關性能優(yōu)勢。它是電壓控制的場效應器件，能夠像 IGBT 一樣進行高壓開關，同時開關頻率等于或高于低壓硅 MOSFET 的開關頻率。
2023-11-12
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能實現更高的電流密度和系統(tǒng)可靠性的IGBT模塊
隨著全球對可再生能源的日益關注以及對效率的需求，高效率，高可靠性成為功率電子產業(yè)不斷前行的關鍵。Nexperia（安世半導體）的 IGBT 產品系列優(yōu)化了開關損耗和導通損耗, 兼顧馬達驅動需求的高溫短路耐受能力，實現更高的電流密度和系統(tǒng)可靠性。
2023-11-12
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讓電動汽車延長5%里程的SiC主驅逆變器
本文闡述了如何在主驅逆變器中使用碳化硅 (SiC) 金屬氧化物半導體場效應晶體管 (MOSFET) 將電動汽車的續(xù)航里程延長多達 5%。另外，文中還討論了為什么一些原始設備制造商 (OEM) 不愿意從硅基絕緣柵雙極晶體管 (IGBT) 過渡到 SiC 器件，以及安森美 (onsemi) 為緩解 OEM 的擔憂同時提升 OEM 對這種成熟的寬禁帶半導體技術的信心所做的努力。
2023-11-12
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通過碳化硅(SiC)增強電池儲能系統(tǒng)
電池可以用來儲存太陽能和風能等可再生能源在高峰時段產生的能量，這樣當環(huán)境條件不太有利于發(fā)電時，就可以利用這些儲存的能量。本文回顧了住宅和商用電池儲能系統(tǒng) (BESS) 的拓撲結構，然后介紹了安森美(onsemi) 的EliteSiC 方案，可作為硅MOSFET 或IGBT開關的替代方案，改善 BESS 的性能。
2023-11-10
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充分利用IGBT的關鍵在于要知道何時、何地以及如何使用它們
如今，碳化硅 (SiC)和氮化鎵 (GaN) 等寬禁帶半導體風頭正盛。但在此之前，絕緣柵雙極晶體管 (IGBT)才是電力電子行業(yè)的主角。本文將介紹IGBT在哪些應用中仍能發(fā)揮所長，然后快速探討一下這些多用途器件的未來前景。
2023-11-07
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高集成度智能柵極驅動光耦通吃MOSFET和IGBT
光耦也叫光電耦合器，是以光為媒介傳輸電信號的一種電-光-電轉換器件。光耦由發(fā)光源和受光器兩部分組成，密閉于同一殼體內，彼此用透明絕緣體隔離。
2023-10-27
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IGBT／MOSFET 的基本柵極驅動光耦合器設計
本應用筆記涵蓋了計算柵極驅動光耦合器 IC 的柵極驅動器功率和熱耗散的主題。柵極驅動光耦合器用于驅動、開啟和關閉功率半導體開關、MOSFET/IGBT。柵極驅動功率計算可分為三部分；驅動器內部電路中消耗或損失的功率、發(fā)送至功率半導體開關(IGBT/MOSFET)的功率以及驅動器IC和功率半導體開關之間的外部組件處（例如外部柵極電阻器上）損失的功率。在以下示例中，我們將討論使用 Avago ACPL-332J（2.5nApeak 智能柵極驅動器）的 IGBT 柵極驅動器設計。
2023-10-25
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低損耗、高結溫！基本半導體混合碳化硅分立器件性能優(yōu)勢介紹
IGBT分立器件一般由IGBT和續(xù)流二極管（FWD）構成，續(xù)流二極管按材料可分為硅材料和碳化硅材料，按照器件結構可分為PIN二極管和肖特基勢壘二極管（SBD）。材料與結構兩兩組合就形成了4種結果：硅PIN二極管、碳化硅 PIN二極管、硅肖特基二極管、碳化硅肖特基二極管。在本篇文章中我們將重點闡述碳化硅肖特基二極管作為續(xù)流二極管的混合碳化硅分立器件（后文簡稱為混管）的特性與優(yōu)點。
2023-10-24
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電動汽車熱和集成挑戰(zhàn)
到目前為止，我們提到的每一種趨勢都帶來了獨特的技術挑戰(zhàn)。對于更高集成度的解決方案，主要挑戰(zhàn)在于創(chuàng)建節(jié)能解決方案。具體來說，隨著高性能組件之間的集成變得更加緊密，對熱密度的擔憂開始威脅到設備的可靠性。控制熱量需要高能效半導體，將少的功率轉化為熱量。因此，業(yè)界正在采用SiC MOSFET代替IGBT。高能效半導體使 xBEV 電池無需充電即可使用更長時間，從而延長汽車的行駛里程。由于行程范圍非常重要，這反過來又提高了電動汽車在市場上的價值。
2023-09-27
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搭載1200V P7芯片的PrimePACK刷新同封裝功率密度
繼英飛凌1200V IGBT7 T7芯片在中小功率模塊產品相繼量產并取得客戶認可后，英飛凌最新推出了適用于大功率應用場景的1200V IGBT7 P7芯片，并將其應用在PrimePACK?模塊中，再次刷新了該封裝的功率密度上限。
2023-09-20
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IGBT驅動芯片進入可編程時代，英飛凌新品X3有何玄機？
俗話說，好馬配好鞍，好IGBT自然也要配備好的驅動IC。一顆好的驅動不僅要提供足夠的驅動功率，最好還要有完善的保護功能，例如退飽和保護、兩電平關斷、軟關斷、欠壓保護等，為IGBT的安全運行保駕護航。
2023-09-19
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