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相較IGBT，SiC如何優(yōu)化混動和電動汽車的能效和性能？
隨著人們對電動汽車 (EV) 和混動汽車 (HEV) 的興趣和市場支持不斷增加，汽車制造商為向不斷擴(kuò)大的客戶群提供優(yōu)質(zhì)產(chǎn)品，競爭日益激烈。由于 EV 的電機(jī)需要高千瓦時電源來驅(qū)動，傳統(tǒng)的 12 V 電池已讓位于 400-450 V DC 數(shù)量級的電池組，成為 EV 和 HEV 的主流電池電壓。
2023-06-06
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Cirrus Logic為PC市場帶來沉浸式音頻體驗
美國德克薩斯州奧斯汀，2023年6月1日-- Cirrus Logic（納斯達(dá)克股票代碼：CRUS）今天宣布推出專為 PC 打造的優(yōu)質(zhì)音頻解決方案，無論是通過超薄筆記本電腦的小型內(nèi)置揚(yáng)聲器還是耳機(jī)進(jìn)行語音通話和聽音樂，都能帶來更響亮、更身臨其境的音頻體驗。Cirrus Logic 的 PC 優(yōu)化音頻解決方案包括Cirrus Logic CS35L56 智能功放，具有處理能力以提供更高性能的音頻，以及集成了一個 MIPI SoundWire接口 (v1.2)的低功耗 CS42L43 SmartHIFI? PC 音頻編解碼器。這種先進(jìn)的音頻解決方案還簡化了 PC 制造商的設(shè)計，并有助于減少組件總數(shù)，從而節(jié)省電路板空間并降低物料清單成本。
2023-06-05
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X-FAB率先向市場推出110納米BCD-on-SOI代工解決方案
中國北京，2023年6月2日——全球公認(rèn)的卓越的模擬/混合信號晶圓代工廠X-FAB Silicon Foundries（“X-FAB”）今日宣布，X-FAB成為業(yè)界首家推出110納米BCD-on-SOI解決方案的代工廠，由此加強(qiáng)了其在BCD-on-SOI技術(shù)領(lǐng)域的突出地位。全新XT011 BCD-on-SOI平臺反映了模擬應(yīng)用中對更高數(shù)字集成和處理能力日益增長的需求。其將SOI和DTI極具吸引力的特性結(jié)合在一起，因此與傳統(tǒng)Bulk BCD工藝相比，高密度數(shù)字邏輯和模擬功能可以更容易地集成至單個芯片。
2023-06-05
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SiC 和 GaN 功率器件的可靠性和質(zhì)量要求
在 SiC 方面，GeneSiC 使用溝槽輔助平面柵極工藝流程，確?？煽康臇艠O氧化物和具有較低傳導(dǎo)損耗的器件。測試表明，在 150-kHz、1,200-V、7.5-kW DC/DC 轉(zhuǎn)換器應(yīng)用中，溫度較低的器件運(yùn)行溫度約為 25°C。據(jù)估計，這種溫差可將器件壽命提高 3 倍。該公司對其 SiC 產(chǎn)品進(jìn)行了 100% 的雪崩測試，其示例如圖 3 所示。
2023-05-31
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為什么穩(wěn)定的開關(guān)模式電源仍會產(chǎn)生振蕩？
非常穩(wěn)定的開關(guān)模式電源(SMPS)仍可能由于其在輸出端的負(fù)電阻而產(chǎn)生振蕩。在輸入端，可以將SMPS看作一個小信號負(fù)電阻。其與輸入電感和輸入端電容一起可形成一個無阻尼振蕩電路。本文將就這一問題的分析和解決方案進(jìn)行探討。將 LTspice? 用于仿真。
2023-05-29
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使用NCP1623A設(shè)計緊湊高效的PFC級的IC控制電路設(shè)計
之前我們介紹過快速設(shè)計由 NCP1623 驅(qū)動的 CrM/DCM PFC 級的關(guān)鍵步驟中的定義關(guān)鍵規(guī)格與功率級設(shè)計。本文將詳細(xì)說明IC控制電路設(shè)計中的細(xì)節(jié)：FB引腳電路、VCTRL 引腳電路、CS/ZCD 引腳電路、CSZCD電阻器設(shè)計等內(nèi)容。
2023-05-25
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【CMOS邏輯IC基礎(chǔ)知識】—解密組合邏輯背后的強(qiáng)大用途！（上）
在前面的芝識課堂中，我們跟大家簡單介紹了邏輯IC的基本知識和分類，并且特別提到CMOS邏輯IC因為成本、系統(tǒng)復(fù)雜度和功耗的平衡性很好，因此得到了最廣泛應(yīng)用，同時也和大家一起詳細(xì)了解了CMOS邏輯IC的基本操作。邏輯IC作為一種對一個或多個數(shù)字輸入信號執(zhí)行基本邏輯運(yùn)算以產(chǎn)生數(shù)字輸出信號的半導(dǎo)體器件，其應(yīng)用也是非常豐富的，今天就來和芝子一起了解一下吧。
2023-05-25
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現(xiàn)代電源開關(guān)在的電流檢測中歸零
STMicroelectronics 近推出了新一代汽車智能開關(guān)，使用內(nèi)部 A/D 轉(zhuǎn)換器提供有關(guān)負(fù)載電流的數(shù)字信息。在本文中，我們將探討具有電流感應(yīng)功能的電源開關(guān)的必要性，并了解現(xiàn)代開關(guān)如何實現(xiàn)此功能。
2023-05-25
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櫛風(fēng)沐雨50載！貿(mào)澤電子慶祝全球總裁兼首席執(zhí)行官Glenn Smith服務(wù)50周年里程碑
2023年5月25日 – 提供超豐富半導(dǎo)體和電子元器件?的業(yè)界知名新品引入 (NPI) 代理商貿(mào)澤電子 (Mouser Electronics) 隆重宣布貿(mào)澤電子全球總裁兼首席執(zhí)行官Glenn Smith先生任職50周年里程碑, 半個世紀(jì)的努力，帶領(lǐng)貿(mào)澤跨越發(fā)展，并將攜手大家迎接下一個全新挑戰(zhàn)。
2023-05-25
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拿什么追趕英偉達(dá)、AMD？“AI芯片大戰(zhàn)”最新進(jìn)展
未來國產(chǎn)廠商有望在ASIC領(lǐng)域繼續(xù)保持技術(shù)優(yōu)勢，突破國外廠商在AI芯片的壟斷格局。
2023-05-24
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采用增強(qiáng)互連封裝技術(shù)的1200 V SiC MOSFET單管設(shè)計高能效焊機(jī)
近年來，為了更好地實現(xiàn)自然資源可持續(xù)利用，需要更多節(jié)能產(chǎn)品，因此，關(guān)于焊機(jī)能效的強(qiáng)制性規(guī)定應(yīng)運(yùn)而生。經(jīng)改進(jìn)的碳化硅CoolSiC? MOSFET 1200 V采用基于.XT擴(kuò)散焊技術(shù)的TO-247封裝，其非常規(guī)封裝和熱設(shè)計方法通過改良設(shè)計提高了能效和功率密度。
2023-05-23
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如何利用1200 V EliteSiC MOSFET 模塊，打造充電更快的車載充電器？
要能快速高效地為電動車更大的電池充電，電動車才能在市場普及并發(fā)展。2021 年，市場上排名前 12 位的電動汽車的平均電池容量為 80 kW-hr。消費者主要在家中使用車輛的車載充電器(OBC) 進(jìn)行充電。為確保合理的車輛充電時間，OEM 還將 OBC 的功率容量從 6.6 kW 提高到 11 kW，甚至高達(dá) 22 kW。使用 6.6 kW OBC 時，這些電動汽車需要 12.1 小時才能充滿電。而將 OBC 功率增加到 11 kW 后，充電時間縮短至 7.3 小時，而使用 22 kW OBC 時，只需 3.6 小時即可充滿電。
2023-05-23
- 授權(quán)代理商貿(mào)澤電子供應(yīng)Same Sky多樣化電子元器件
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