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貿(mào)澤推出針對基礎(chǔ)設(shè)施和智慧城市的工程技術(shù)資源中心
貿(mào)澤電子 (Mouser Electronics) 推出內(nèi)容豐富的基礎(chǔ)設(shè)施和智慧城市資源中心，為工程師提供設(shè)計未來創(chuàng)新電子解決方案的工具?；A(chǔ)設(shè)施是所有城市的基礎(chǔ)，涵蓋從交通網(wǎng)絡(luò)到電網(wǎng)和通信系統(tǒng)的方方面面。隨著數(shù)字化程度不斷提高，智慧城市技術(shù)不僅強化了基礎(chǔ)設(shè)施，更改善了人們的日常生活，例如通過集成智能電表傳感器來收集有關(guān)能源和水的珍貴數(shù)據(jù)。
2024-10-31
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貿(mào)澤電子新品推薦：2024年第三季度推出將近7000個新物料
作為全球原廠授權(quán)代理商，貿(mào)澤電子 ( Mouser Electronics) 致力于快速引入新產(chǎn)品與新技術(shù)，為客戶提供優(yōu)勢，協(xié)助加快產(chǎn)品上市速度。超過1200家半導體和電子元器件制造商通過貿(mào)澤將自己的產(chǎn)品銷往全球市場。貿(mào)澤旨在為客戶提供全面認證的原廠產(chǎn)品，并提供全方位的制造商可追溯性。
2024-10-30
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高性能碳化硅隔離柵極驅(qū)動器如何選型，一文告訴您
電隔離式 (GI) 柵極驅(qū)動器在優(yōu)化碳化硅 (SiC) MOSFET性能方面扮演著至關(guān)重要的角色，特別是在應(yīng)對電氣化系統(tǒng)日益增長的需求時。隨著全球?qū)﹄娏υ诠I(yè)、交通和消費產(chǎn)品中依賴性的加深，SiC技術(shù)憑借其提升效率和縮小系統(tǒng)體積的能力脫穎而出。本文為第二篇，將分享電隔離柵極驅(qū)動器的隔離能力評估 ，并介紹其典型的應(yīng)用市場與安森美(onsemi)可提供的高新能產(chǎn)品選型。
2024-10-30
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英飛凌推出CoolSiC肖特基二極管2000 V 效率更高，設(shè)計更簡單
如今，許多工業(yè)應(yīng)用可以通過提高直流母線電壓，在力求功率損耗最低的同時，向更高的功率水平過渡。
2024-10-28
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打造工業(yè)頂級盛會：意法半導體工業(yè)峰會2024在深圳舉辦
服務(wù)多重電子應(yīng)用領(lǐng)域、全球排名前列的半導體公司意法半導體(STMicroelectronics，簡稱ST；紐約證券交易所代碼:STM) 將于10月29日在中國深圳福田香格里拉酒店舉辦工業(yè)峰會2024 。
2024-10-28
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電源中的分壓器
在電源設(shè)計中，可以手動設(shè)置所需的輸出電壓。大多數(shù)集成電源電路以及開關(guān)和線性穩(wěn)壓器 IC 都是通過分壓器來實現(xiàn)這一點的。兩個電阻值的比率必須合適才能設(shè)置所需的輸出電壓。圖 1 顯示了一個分壓器。
2024-10-27
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低功耗藍牙賦能的太陽鏡為摩托車手提供免分心導航體驗
技術(shù)公司Blucap推出了一副可用作摩托車導航平視顯示器(HUD)的太陽鏡。輕巧的 “Blucap Moto ”太陽鏡集成了Nordic Semiconductor公司的nRF52840 SoC，為太陽鏡和騎手的智能手機以及車把上的遙控配件提供低功耗藍牙無線連接。遙控器采用 Nordic 的 nRF52810 SoC 實現(xiàn)無線連接。
2024-10-27
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三極管電路輸入電壓阻抗
利用三極管，?搭建單管共射反向放大器，?放大器的增益與多個因素有關(guān)系，也和輸入阻抗成反比。如何來測量單管運放的輸入阻抗呢？ 下面在 LTspice中通過仿真進行測量。
2024-10-27
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貿(mào)澤電子為電子設(shè)計工程師提供先進的醫(yī)療技術(shù)資源和產(chǎn)品
貿(mào)澤電子 (Mouser Electronics) 推出內(nèi)容動態(tài)更新的醫(yī)療資源中心，探索改變醫(yī)療保健產(chǎn)業(yè)并且拯救生命的技術(shù)。隨著數(shù)字化轉(zhuǎn)型的蓬勃發(fā)展，醫(yī)療保健系統(tǒng)突飛猛進，實現(xiàn)了更快、更準確的診斷，大幅縮短了等待時間，并且還采用了各種先進的數(shù)字療法。人工智能 (AI) 的分析能力正在重新定義患者護理工作，提供前所未有的深入健康數(shù)據(jù)，同時改變慢性病和無法治愈的疾病的治療方法。
2024-10-26
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克服碳化硅制造挑戰(zhàn)，助力未來電力電子應(yīng)用
隨著行業(yè)不斷探索解決方案，寬禁帶（WBG）材料，包括碳化硅（SiC）和氮化鎵（GaN），被視為解決之道。禁帶寬度描述了價帶頂部和導帶底部之間的能量差。硅的禁帶寬度相對較窄，為1.1電子伏特（eV），而SiC和GaN的禁帶寬度分別為3.3eV和3.4eV。
2024-10-26
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第7講：SiC單晶襯底加工技術(shù)
SiC單晶是一種硬而脆的材料，切片加工難度大，磨削精度要求高，因此晶圓制造是一個長時間且難度較高的過程。本文介紹了幾種SiC單晶的切割加工技術(shù)以及近年來新出現(xiàn)的晶圓制備方法。
2024-10-23
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用Python自動化雙脈沖測試
電力電子設(shè)備中使用的半導體材料正從硅過渡到寬禁帶（WBG）半導體，比如碳化硅（SiC）和氮化鎵（GaN）等半導體在更高功率水平下具有卓越的性能，被廣泛應(yīng)用于汽車和工業(yè)領(lǐng)域中。由于工作電壓高，SiC技術(shù)正被應(yīng)用于電動汽車動力系統(tǒng)，而GaN則主要用作筆記本電腦、移動設(shè)備和其他消費設(shè)備的快速充電器。本文主要說明的是寬禁帶FET的測試，但雙脈沖測試也可應(yīng)用于硅器件、MOSFET或IGBT中。
2024-10-23
- AMTS 2025展位預(yù)訂正式開啟——體驗科技驅(qū)動的未來汽車世界，共迎AMTS 20周年！
- 貿(mào)澤電子攜手安森美和Würth Elektronik推出新一代太陽能和儲能解決方案
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- 貿(mào)澤開售Nordic Semiconductor nRF9151-DK開發(fā)套件
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