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298D系列：Vishay便攜應(yīng)用固體鉭芯片電容器系列小封裝產(chǎn)品
Vishay宣布擴展其 298D系列 MicroTan? 固體鉭芯片電容器，推出0402 封裝尺寸的298D。此電容器充分利用已獲專利的MAP（多陣列封裝）裝配技術(shù)以擴展產(chǎn)品系列，現(xiàn)已可在超薄小型0402 K封裝中提供4.7μF-4V至10μF-4V的電容電壓。
2008-08-15
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安森美半導(dǎo)體ESD保護二極管榮獲《Electronic Products》2007“年度產(chǎn)品”獎
安森美半導(dǎo)體的ESD9L5.0S ESD保護二極管榮獲美國《Electronic Products》雜志頒發(fā)2007“年度產(chǎn)品”獎。產(chǎn)品評選包括技術(shù)上的重大進展、應(yīng)用、設(shè)計創(chuàng)新或性價比有出色表現(xiàn)。
2008-08-04
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P10L：Vishay Sfernice微型面板電位計
Vishay宣布推出具有長久使用壽命、溫度系數(shù)低至 ±150 ppm/°C 且具有 9.6mm 小型尺寸的新型低成本面板電位計。
2008-07-11
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Si8445DB：Vishay新型20V P通道TrenchFET功率MOSFET
日前，Vishay推出新型 20V p 通道TrenchFET功率MOSFET，該器件采用MICRO FOOT芯片級封裝，具有很小占位面積以及 1.2 V 時超低的導(dǎo)通電阻。
2008-06-18
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SiA***DJ：Vishay新型小型封裝Siliconix功率MOSFET
Vishay宣布推出15款采用 2 mm×2 mm 的 PowerPAK SC-70 封裝、厚度為 0.8 mm 的新型功率 MOSFET。
2008-05-28
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TR8系列：Vishay新型模塑MicroTan鉭芯片電容
Vishay宣布推出新型TR8系列模塑MicroTan鉭芯片電容，采用0805封裝的該類電容具有0.8Ω超低ESR（在100 kHz和47 μF條件下），而采用0603封裝的具有業(yè)內(nèi)最低的1.5Ω ESR值。
2008-05-14
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DG系列：Vishay八款高精度儀表應(yīng)用模擬多路復(fù)用器與開關(guān)
日前，Vishay推出八款面向高精度儀表應(yīng)用的新型高頻、低電荷注入模擬多路復(fù)用器與開關(guān)。這些產(chǎn)品還是同類器件中首批除標準 TSSOP 與 SOIC 封裝外還提供采用 1.8mm×2.6mm 無引線微型 QFN 封裝的器件。
2008-05-12
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Vishay的電點火器芯片電阻器榮獲 EDN無源元器件和互聯(lián)欄目第18屆年度創(chuàng)新獎
Vishay日前宣布，在4月14日加利福尼亞州圣荷西舉辦的宴會和頒獎典禮上，其電點火器芯片電阻器（EPIC）榮獲無源元器件和互聯(lián)欄目的EDN創(chuàng)新獎。
2008-04-24
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Si8441DB/Si8451DB：Vishay超薄20V P通道功率MOSFET
日前，為滿足對便攜式設(shè)備中更小元件的需求，Vishay推出 20V p 通道 TrenchFET功率 MOSFET，該器件采用 MICRO FOOT芯片級封裝，具有超薄厚度及最低導(dǎo)通電阻。
2008-04-09
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Si7192DP：Vishay Siliconix TrenchFET功率MOSFET
日前，Vishay推出新型第三代 TrenchFET功率 MOSFET 系列中的首款器件，該器件具有破紀錄的導(dǎo)通電阻規(guī)格及導(dǎo)通電阻與柵極電荷乘積。
2008-03-26
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NB3N3002/5573：安森美PureEdge高性能時鐘產(chǎn)生器
安森美半導(dǎo)體 (ON Semiconductor，美國納斯達克上市代號：ONNN)擴展其PureEdge高性能時鐘產(chǎn)生產(chǎn)品系列，推出NB3N3002和NB3N5573這兩款新器件。
2007-12-13
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PolySwitch BD280系列：Tyco Electronics汽車電路應(yīng)用電路保護器件
泰科電子今天宣布針對汽車市場推出新系列的瑞侃PolySwitch電路保護器件。這種可插拔的PolySwitch保護器件可以用在載客汽車和重型卡車的線路中，實現(xiàn)自復(fù)過電流保護，它的端子寬度為2.8 mm，便于使用，可以用在12V的汽車系統(tǒng)中一一對應(yīng)地取代小型熔斷器和II型雙金屬電路保護器件。
2007-12-10
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