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Si8445DB:Vishay新型20V P通道TrenchFET功率MOSFET
日前,Vishay推出新型 20V p 通道TrenchFET功率MOSFET,該器件采用MICRO FOOT芯片級封裝,具有很小占位面積以及 1.2 V 時超低的導(dǎo)通電阻。
2008-06-18
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SiA***DJ:Vishay新型小型封裝Siliconix功率MOSFET
Vishay宣布推出15款采用 2 mm×2 mm 的 PowerPAK SC-70 封裝、厚度為 0.8 mm 的新型功率 MOSFET。
2008-05-28
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TR8系列:Vishay新型模塑MicroTan鉭芯片電容
Vishay宣布推出新型TR8系列模塑MicroTan鉭芯片電容,采用0805封裝的該類電容具有0.8Ω超低ESR(在100 kHz和47 μF條件下),而采用0603封裝的具有業(yè)內(nèi)最低的1.5Ω ESR值。
2008-05-14
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DG系列:Vishay八款高精度儀表應(yīng)用模擬多路復(fù)用器與開關(guān)
日前,Vishay推出八款面向高精度儀表應(yīng)用的新型高頻、低電荷注入模擬多路復(fù)用器與開關(guān)。這些產(chǎn)品還是同類器件中首批除標(biāo)準(zhǔn) TSSOP 與 SOIC 封裝外還提供采用 1.8mm×2.6mm 無引線微型 QFN 封裝的器件。
2008-05-12
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Vishay的電點火器芯片電阻器榮獲 EDN無源元器件和互聯(lián)欄目第18屆年度創(chuàng)新獎
Vishay日前宣布,在4月14日加利福尼亞州圣荷西舉辦的宴會和頒獎典禮上,其電點火器芯片電阻器(EPIC)榮獲無源元器件和互聯(lián)欄目的EDN創(chuàng)新獎。
2008-04-24
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Si8441DB/Si8451DB:Vishay超薄20V P通道功率MOSFET
日前,為滿足對便攜式設(shè)備中更小元件的需求,Vishay推出 20V p 通道 TrenchFET功率 MOSFET,該器件采用 MICRO FOOT芯片級封裝,具有超薄厚度及最低導(dǎo)通電阻。
2008-04-09
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Si7192DP:Vishay Siliconix TrenchFET功率MOSFET
日前,Vishay推出新型第三代 TrenchFET功率 MOSFET 系列中的首款器件,該器件具有破紀(jì)錄的導(dǎo)通電阻規(guī)格及導(dǎo)通電阻與柵極電荷乘積。
2008-03-26
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NB3N3002/5573:安森美PureEdge高性能時鐘產(chǎn)生器
安森美半導(dǎo)體 (ON Semiconductor,美國納斯達(dá)克上市代號:ONNN)擴(kuò)展其PureEdge高性能時鐘產(chǎn)生產(chǎn)品系列,推出NB3N3002和NB3N5573這兩款新器件。
2007-12-13
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PolySwitch BD280系列:Tyco Electronics汽車電路應(yīng)用電路保護(hù)器件
泰科電子今天宣布針對汽車市場推出新系列的瑞侃PolySwitch電路保護(hù)器件。這種可插拔的PolySwitch保護(hù)器件可以用在載客汽車和重型卡車的線路中,實現(xiàn)自復(fù)過電流保護(hù),它的端子寬度為2.8 mm,便于使用,可以用在12V的汽車系統(tǒng)中一一對應(yīng)地取代小型熔斷器和II型雙金屬電路保護(hù)器件。
2007-12-10
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南方芯源成為Philips全球MOSFET供應(yīng)商
2007年5月1日,經(jīng)過5輪審核及多次產(chǎn)品可靠性認(rèn)證,Samwin正式成為Philips(Lighting Electronics)的全球MOSFET供應(yīng)商。首批通過認(rèn)證的產(chǎn)品有:SW P 2N60,SW P 4N60及SW P 7N60產(chǎn)品,用于Philips 原廠生產(chǎn)的螢光燈Ballast。
2007-05-07
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模擬ic是什么,模擬ic的作用,特點及分類
模擬ic是什么,模擬ic的作用,特點及分類
1970-01-01
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無刷電機(jī)控制器
單片機(jī)PICl6F72是目前電瓶車控制器主流控制芯片,配合2只74HC27(3輸入或非門電路);1只74HC04D(反相器);1只74HC08D(雙輸入與門)和一片LM358(雙運(yùn)放),組成一款比較典型的無刷電瓶車控制器,具有60°和120°驅(qū)動模式自動切換功能。
1970-01-01
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