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趣味解讀IGBT模塊“續(xù)流二極管”
IGBT 模塊上有一個(gè)“續(xù)流二極管”。它有什么作用呢？答：當(dāng) PWM 波輸出的時(shí)候，它是維持電機(jī)內(nèi)的電流不斷用的。
2020-03-11
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還在用硅基器件做開關(guān)電源？是時(shí)候考慮eGaN了
本文首先介紹相比基于傳統(tǒng)硅 (Si) MOSFET 或 IGBT 的高頻電源，基于 eGaN 開關(guān)元器件的高頻電源優(yōu)勢。接著會(huì)介紹如何使用 EPC、Texas Instruments 和 Navitas Semiconductor的 eGaN 功率級來構(gòu)建適用于電池充電或服務(wù)器農(nóng)場等應(yīng)用的 SMPS 設(shè)計(jì)。
2020-02-26
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IGBT 的工作原理是什么?
IGBT 的等效電路如圖1 所示。由圖1 可知,若在IGBT 的柵極和發(fā)射極之間加上驅(qū)動(dòng)正電壓,則MOSFET 導(dǎo)通,這樣PNP 晶體管的集電極與基極之間成低阻狀態(tài)而使得晶體管導(dǎo)通;若IGBT 的柵極和發(fā)射極之間電壓為0V,則MOSFET 截止,切斷PNP 晶體管基極電流的供給,使得晶體管截止。
2020-02-24
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分析IGBT短路保護(hù)電路的設(shè)計(jì)
固態(tài)電源的基本任務(wù)是安全、可靠地為負(fù)載提供所需的電能。對電子設(shè)備而言，電源是其核心部件。負(fù)載除要求電源能供應(yīng)高質(zhì)量的輸出電壓外，還對供電系統(tǒng)的可靠性等提出更高的要求。
2020-02-24
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MOSFET和IGBT柵極驅(qū)動(dòng)器電路的基本原理
從 MOSFET 技術(shù)和開關(guān)運(yùn)行概述入手，詳細(xì)介紹接地參考和高側(cè)柵極驅(qū)動(dòng)電路的設(shè)計(jì)流程，以及交流耦合和變壓器隔離解決方案。該報(bào)告還包含了一個(gè)特殊部分，專門介紹在同步整流器應(yīng)用中 MOSFET 的柵極驅(qū)動(dòng)應(yīng)用的重要性。
2020-01-17
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一文解讀碳化硅功率器件的特點(diǎn)
功率半導(dǎo)體器件作為功率變換系統(tǒng)的核心器件，目前應(yīng)用最多的仍舊是 IGBT，在很多時(shí)候還需要搭配合適的反向并聯(lián)二極管。
2020-01-08
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全面分析IGBT各種知識點(diǎn)
IGBT(絕緣柵雙極型晶體管），是由 BJT(雙極結(jié)型晶體三極管) 和 MOS(絕緣柵型場效應(yīng)管) 組成的復(fù)合全控型-電壓驅(qū)動(dòng)式-功率半導(dǎo)體器件，其具有自關(guān)斷的特征。簡單講，是一個(gè)非通即斷的開關(guān)。
2019-12-03
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新型SiC功率模塊以之Si IGBT，在更小的封裝內(nèi)提供更高的功率密度
隨著包括發(fā)電、儲(chǔ)能和交通運(yùn)輸在內(nèi)的眾多應(yīng)用轉(zhuǎn)向電力驅(qū)動(dòng)，需要構(gòu)建更高性能的電力轉(zhuǎn)換和控制系統(tǒng)，推進(jìn)以電力驅(qū)動(dòng)的系統(tǒng)的未來發(fā)展。為此，對于更緊湊、更高功率密度和可高溫工作電源模塊的需求變得越來越大。
2019-11-08
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詳解隔離式柵極驅(qū)動(dòng)器的重要特性
在功率電子（例如驅(qū)動(dòng)技術(shù)）中，IGBT經(jīng)常用作高電壓和高電流開關(guān)。這些功率晶體管由電壓控制，其主要損耗產(chǎn)生于開關(guān)期間。
2019-09-29
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IGBT的開關(guān)頻率上限有多高？
首先，開關(guān)頻率是指IGBT在一秒鐘內(nèi)開關(guān)次數(shù)。而在確定的母線電壓和導(dǎo)通電流下，IGBT每次開關(guān)都會(huì)產(chǎn)生一定的損耗，開通損耗是Eon，關(guān)斷損耗是Eoff，還有二極管反向恢復(fù)也有損耗Erec。
2019-09-23
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一文看懂IGBT相關(guān)知識
IGBT(絕緣柵雙極型晶體管），是由 BJT(雙極結(jié)型晶體三極管) 和 MOS(絕緣柵型場效應(yīng)管) 組成的復(fù)合全控型-電壓驅(qū)動(dòng)式-功率半導(dǎo)體器件,其具有自關(guān)斷的特征。本文將為大家詳細(xì)介紹IGBT相關(guān)知識。
2019-08-12
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如何選擇一款合適的隔離式柵極驅(qū)動(dòng)器？
在功率電子(例如驅(qū)動(dòng)技術(shù))中，IGBT經(jīng)常用作高電壓和高電流開關(guān)。這些功率晶體管由電壓控制，其主要損耗產(chǎn)生于開關(guān)期間。為了最大程度減小開關(guān)損耗，要求具備較短的開關(guān)時(shí)間。
2019-06-26
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