-
IGBT雙脈沖測試詳解
電源設(shè)備硬件主功率部分的電路性能直接影響產(chǎn)品品質(zhì)，但開發(fā)過程中，在樣機(jī)測試階段才能對(duì)其性能進(jìn)行評(píng)測。有些公司為保證產(chǎn)品開發(fā)進(jìn)度，僅采取不得已的補(bǔ)救措施，產(chǎn)品不僅非最優(yōu)設(shè)計(jì)，甚至?xí)o產(chǎn)品的質(zhì)量埋下隱患。而我司在產(chǎn)品設(shè)計(jì)初期就采用IGBT雙脈沖測試，提前對(duì)硬件電路設(shè)計(jì)進(jìn)行多維度測試評(píng)估，在保證產(chǎn)品是最優(yōu)設(shè)計(jì)的基礎(chǔ)上，提高產(chǎn)品開發(fā)效率。
2021-02-07
-
使用 IGBT模塊簡化電機(jī)驅(qū)動(dòng)裝置和逆變器的設(shè)計(jì)
電機(jī)和逆變器的使用在工業(yè)自動(dòng)化、機(jī)器人、電動(dòng)汽車、太陽能、白色家電和電動(dòng)工具等應(yīng)用中日漸增長。隨著這種增長是對(duì)提高效率、降低成本、縮小封裝和簡化整體設(shè)計(jì)的需求。雖然使用分立式絕緣柵雙極型晶體管 (IGBT) 設(shè)計(jì)定制電機(jī)和逆變器功率電子器件以滿足特定要求很有誘惑力，但從長遠(yuǎn)來看，這樣做的成本很高，而且會(huì)延誤設(shè)計(jì)進(jìn)度。
2020-12-28
-
具有集成式驅(qū)動(dòng)器和自我保護(hù)功能的GaN FET如何實(shí)現(xiàn)下一代工業(yè)電源設(shè)計(jì)
氮化鎵(GaN)半導(dǎo)體的物理特性與硅器件不相上下。傳統(tǒng)的電源供應(yīng)器金屬氧化物半導(dǎo)體場效應(yīng)晶體管(MOSFET)和絕緣柵極雙極晶體管(IGBT)只有在犧牲效率、外形尺寸和散熱的前提下才能提高功率密度。
2020-12-16
-
更高能效、穩(wěn)定可靠的工業(yè)驅(qū)動(dòng)模塊和開箱即用的電機(jī)開發(fā)套件
功率集成模塊(PIM)被廣泛用于驅(qū)動(dòng)、泵、暖通空調(diào) (HVAC)、能源轉(zhuǎn)換等各個(gè)領(lǐng)域，實(shí)現(xiàn)對(duì)能源的調(diào)制及高效利用。安森美半導(dǎo)體的創(chuàng)新的壓鑄模PIM (TMPIM)，集成最佳的IGBT / FRD技術(shù)，采用可靠的基板和環(huán)氧樹脂壓鑄模技術(shù)，比普通的凝膠填充功率模塊提高熱循環(huán)使用壽命10倍，提高功率回環(huán)使用壽命3倍，有利于逆變器系統(tǒng)實(shí)現(xiàn)更高能效、更長的使用壽命及更高可靠性，適用于工業(yè)電機(jī)驅(qū)動(dòng)、泵、風(fēng)扇、熱泵、HVAC、伺服控制等多種應(yīng)用。
2020-12-09
-
隔離式柵極驅(qū)動(dòng)器的峰值電流
當(dāng)考慮使用何種柵極驅(qū)動(dòng)器時(shí)，一個(gè)常見問題是：驅(qū)動(dòng)器可以提供的峰值電流是多少？峰值電流是柵極驅(qū)動(dòng)器數(shù)據(jù)手冊中最重要的參數(shù)之一。此指標(biāo)一般被視為決定柵極驅(qū)動(dòng)器驅(qū)動(dòng)強(qiáng)度的終極因素。MOSFET/IGBT的導(dǎo)通、關(guān)斷時(shí)間與柵極驅(qū)動(dòng)器可以提供的電流有關(guān)，但并不能說明全部問題。峰值電流一詞在業(yè)界使用非常普遍，許多柵極驅(qū)動(dòng)器數(shù)據(jù)手冊的標(biāo)題中包含這一術(shù)語。盡管如此，其定義還是會(huì)因器件而異。本文討論為特定應(yīng)用選擇柵極驅(qū)動(dòng)器時(shí)使用峰值電流作為決定性因素的問題，并比較數(shù)據(jù)手冊中一些較常見的峰值電流表示形式。本文對(duì)標(biāo)題中峰值電流數(shù)值相似的柵極驅(qū)動(dòng)器進(jìn)行了比較，并對(duì)柵極驅(qū)動(dòng)強(qiáng)度做了討論。
2020-12-02
-
雙電壓整流電路設(shè)計(jì)，IGBT模塊適用于整流電路嗎？
不用兩個(gè)整流橋。用一個(gè)即可，把2個(gè)18伏交流接到整流橋的交流輸入端，把變壓器抽頭0伏接地線（線路板的地線），整流橋直流輸出+ -端接電容器濾波，電容器2個(gè)串聯(lián)之后正極接整流橋正極+，電容器負(fù)極接整流橋負(fù)極-，2個(gè)串聯(lián)的電容器中間引出一根線接地線，也就是雙18伏交流的抽頭，這樣就可以在直流輸出端得到正負(fù)20伏的雙電源了。
2020-11-26
-
GaN基電源性能的簡易測試技術(shù)
今天，大多數(shù)電源路線圖都將GaN晶體管作為一個(gè)關(guān)鍵平臺(tái)集成到其中。與Si-mosfet、igbt和SiC-mosfet相比，GaN晶體管的優(yōu)點(diǎn)意味著工程師們正在將它們廣泛地設(shè)計(jì)到他們的系統(tǒng)中。然而，GaN晶體管在開關(guān)電源中的這些進(jìn)步也使得表征這些電源的性能變得越來越具有挑戰(zhàn)性。在半橋上測量高邊VGS是診斷晶體管交叉導(dǎo)通的一種傳統(tǒng)方法，對(duì)于基于GaN的設(shè)計(jì)來說是一項(xiàng)艱巨的任務(wù)。典型的解決方案是使用高成本的測量設(shè)備，這并不總是產(chǎn)生有用的結(jié)果。本文介紹了一種利用GaN晶體管的獨(dú)特特性測量交叉導(dǎo)通的簡單而經(jīng)濟(jì)的方法。
2020-11-03
-
如何使用Fly-buck為低電壓、低功耗工業(yè)應(yīng)用供電
有些工業(yè)應(yīng)用中包含分支電路，需要小型電源為跨隔離邊界的噪聲敏感型電路供電。在 PLC、數(shù)據(jù)采集以及測量設(shè)備等應(yīng)用中，該隔離邊界可提供抗噪功能。需要這種隔離式電源的典型分支電路包括隔離式 RS-232 和 RS-485 通信通道、線路驅(qū)動(dòng)器、隔離式放大器、傳感器以及 CAN 收發(fā)器。此外，我們在其它應(yīng)用中也發(fā)現(xiàn)了類似的電源需求，它們需要隔離式電源為 IGBT 提供柵極驅(qū)動(dòng)器電源，而且在一些醫(yī)療應(yīng)用中也需要隔離技術(shù)來確保安全性。
2020-09-18
-
電動(dòng)汽車空調(diào)的一項(xiàng)關(guān)鍵技術(shù)——IGBT
ROHM的RGS系列是符合AEC-Q101標(biāo)準(zhǔn)、且具有1200V 和650V寬耐壓范圍的IGBT產(chǎn)品。該系列具有更低的傳導(dǎo)損耗，有助于提高應(yīng)用產(chǎn)品的效率并實(shí)現(xiàn)小型化，是電動(dòng)壓縮機(jī)的逆變器和高壓加熱器的更佳選擇。
2020-08-10
-
門極驅(qū)動(dòng)器方案–––即插即用快速評(píng)估和測試
電力電子在當(dāng)今世界無處不在：半導(dǎo)體的隱藏功能，可實(shí)現(xiàn)廣泛應(yīng)用，從家電和消費(fèi)品到數(shù)據(jù)處理和無線網(wǎng)絡(luò)，再到日趨電子化的汽車。電力電子系統(tǒng)以極高能效在交流和直流形式之間以及直流電壓之間轉(zhuǎn)換電力，從而使更多的電能流向最終應(yīng)用。電源轉(zhuǎn)換的主要?jiǎng)恿κ情_關(guān)：功率MOSFET、IGBT、寬禁帶(WBG)半導(dǎo)體器件、SiC MOSFET和氮化鎵(GaN)高電子遷移率晶體管(HEMT)。在大多數(shù)拓?fù)渲校@些晶體管以kHz至MHz的頻率開和關(guān)。
2020-08-10
-
一文掌握 GaN 器件的直接驅(qū)動(dòng)配置！
在設(shè)計(jì)開關(guān)模式電源時(shí)，主要品質(zhì)因數(shù)（FOM）包括成本、尺寸和效率。[1]這三個(gè)FOM是耦合型，需要考慮諸多因素。例如，增加開關(guān)頻率可減小磁性元件的尺寸和成本，但會(huì)增加磁性元件的損耗和功率器件中的開關(guān)損耗。由于GaN的寄生電容低且沒有二極管反向恢復(fù)，因此與MOSFET和IGBT相比，GaN HEMT具有顯著降低損耗的潛力。
2020-08-07
-
新型功率開關(guān)技術(shù)和隔離式柵極驅(qū)動(dòng)器不斷變化的格局
基于碳化硅(SiC)和氮化鎵(GaN)等材料的新型功率開關(guān)技術(shù)的出 現(xiàn)促使性能大幅提升，超越了基于MOSFET和IGBT技術(shù)的傳統(tǒng)系 統(tǒng)。更高的開關(guān)頻率將減小元件尺寸，從而減小成本、系統(tǒng)尺 寸和重量；這些是汽車和能源等市場中的主要優(yōu)勢。新型功率 開關(guān)還將促使其控制元件發(fā)生變化，其中包括柵極驅(qū)動(dòng)器。本 文將探討GaN和SiC開關(guān)與IGBT/MOSFET的一些主要差異，以及柵 極驅(qū)動(dòng)器將如何為這些差異提供支持。
2020-08-04
- 意法半導(dǎo)體與英諾賽科簽署氮化鎵技術(shù)開發(fā)與制造協(xié)議
- 貿(mào)澤電子開售Molex的航空航天解決方案
- 利用高精度窗口監(jiān)控器有效提高電源輸出性能
- 詳解控制變壓器操作和尺寸
- 【聚焦產(chǎn)業(yè)變革?共筑創(chuàng)新生態(tài)】IIC Shanghai 2025盛大啟幕
- Wi-Fi 7頻率控制核心密碼：三大關(guān)鍵器件深度解析
- 用于電動(dòng)汽車車載充電器的 CLLLC 與 DAB 比較
- 貿(mào)澤電子開售Molex的航空航天解決方案
- 意法半導(dǎo)體與英諾賽科簽署氮化鎵技術(shù)開發(fā)與制造協(xié)議
- 解碼宿遷專班護(hù)航金天國際全球大會(huì)背后的中國創(chuàng)新密碼
- 從元件到生態(tài)：DigiKey可持續(xù)創(chuàng)新視頻系列全紀(jì)錄
- 2025廣州國際汽車技術(shù)展來襲：前沿技術(shù)、精彩論壇，不容錯(cuò)過！
- 車規(guī)與基于V2X的車輛協(xié)同主動(dòng)避撞技術(shù)展望
- 數(shù)字隔離助力新能源汽車安全隔離的新挑戰(zhàn)
- 汽車模塊拋負(fù)載的解決方案
- 車用連接器的安全創(chuàng)新應(yīng)用
- Melexis Actuators Business Unit
- Position / Current Sensors - Triaxis Hall
