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大功率二極管晶閘管知識連載——控制特性
功率二極管晶閘管廣泛應(yīng)用于AC/DC變換器，UPS，交流靜態(tài)開關(guān)，SVC和電解氫等場合，但大多數(shù)工程師對這類雙極性器件的了解不及對IGBT的了解，為此我們組織了6篇連載，包括正向特性，動態(tài)特性，控制特性，保護(hù)以及損耗與熱特性。內(nèi)容摘來自英飛凌《雙極性半導(dǎo)體技術(shù)信息》。
2021-12-22
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大功率二極管晶閘管知識連載——損耗
功率二極管晶閘管廣泛應(yīng)用于AC/DC變換器，UPS，交流靜態(tài)開關(guān)，SVC和電解氫等場合，但大多數(shù)工程師對這類雙極性器件的了解不及對IGBT的了解，為此我們組織了6篇連載，包括正向特性，動態(tài)特性，控制特性，保護(hù)以及損耗與熱特性。內(nèi)容摘來自英飛凌《雙極性半導(dǎo)體技術(shù)信息》。
2021-12-09
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IGBT的電流是如何定義的
IGBT的電流是器件基本參數(shù)之一，顯而易見FS450R12KE4就是450A 1200V IGBT模塊。這樣的理解對于日常工作交流來說是足夠了，但對于一位設(shè)計工程師是遠(yuǎn)遠(yuǎn)不夠的，而且業(yè)內(nèi)充滿著誤解和流言。
2021-11-29
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IGBT7與IGBT4在伺服驅(qū)動器中的對比測試
IGBT7作為英飛凌最新一代IGBT技術(shù)平臺，它與IGBT4的性能對比一直是工程師關(guān)心的問題。本文通過FP35R12W2T4與 FP35R12W2T7在同一平臺伺服驅(qū)動中的測試，得到了相同工況下IGBT4與IGBT7的結(jié)溫對比。實驗結(jié)果表明，在連續(xù)大功率負(fù)載工況與慣量盤負(fù)載工況的對比測試中，IGBT7的結(jié)溫均低于IGBT4。
2021-11-26
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SRII重磅亮相CICD 2021，以先進(jìn)ALD技術(shù)賦能第三代半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)
功率器件作為半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)的重要組成部分，擁有非常廣泛的技術(shù)分類以及應(yīng)用場景。例如，傳統(tǒng)的硅基二極管、IGBT和MOSFET等產(chǎn)品經(jīng)過數(shù)十年的發(fā)展，占據(jù)了絕對領(lǐng)先的市場份額。不過，隨著新能源汽車、數(shù)據(jù)中心、儲能、手機快充等應(yīng)用的興起，擁有更高耐壓等級、更高開關(guān)頻率、更高性能的新型SiC、GaN等第三代半導(dǎo)體功率器件逐漸嶄露頭角，獲得了業(yè)界的持續(xù)關(guān)注。
2021-11-10
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無刷直流 (BLDC) 電機設(shè)計：新起點
無刷直流電機(BLDC)設(shè)計很復(fù)雜。在大量的MOSFET、IGBT和門極驅(qū)動器產(chǎn)品組合中開始選擇電子器件(舊的起點) 是茫然無助的。
2021-10-22
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IGBT換流回路中雜散電感的測量
換流回路中的雜散電感會引起波形震蕩，EMI或者電壓過沖等問題。因此在電路設(shè)計的時候需要特別留意。本文給出了電路雜散電感的測量方法以及模塊數(shù)據(jù)手冊中雜散電感的定義方法。
2021-10-14
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什么情況下應(yīng)該從硅片轉(zhuǎn)換到寬帶隙技術(shù)？
自從寬帶隙 (WBG) 器件誕生以來，為功率變換應(yīng)用帶來了一股令人激動的浪潮。但是，在什么情況下從硅片轉(zhuǎn)換到寬帶隙技術(shù)才有意義呢？迄今為止，屏蔽柵極 MOSFET、超級結(jié)器件和 IGBT等基于硅的功率器件已經(jīng)很好地在業(yè)界得到大規(guī)模應(yīng)用。這些器件在品質(zhì)因數(shù) (FoM) 方面不斷改進(jìn)，加上在拓?fù)浼軜?gòu)和開關(guān)機理等方面的進(jìn)步，使工程師能夠?qū)崿F(xiàn)更高的系統(tǒng)效率。
2021-09-15
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仿真看世界之650V混合SiC單管的開關(guān)特性
英飛凌最近推出了系列650V混合SiC單管(TO247-3pin和TO-247-4pin)。用最新的650V/SiC/G6/SBD續(xù)流二極管，取代了傳統(tǒng)Si的Rapid1快速續(xù)流二極管，配合650V/TS5的IGBT芯片(S5/H5)，進(jìn)一步優(yōu)化了系統(tǒng)效率、性能與成本之間的微妙平衡。
2021-09-08
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大功率晶閘管參數(shù)解析之開關(guān)特性
功率二極管晶閘管廣泛應(yīng)用于AC/DC變換器、UPS、交流靜態(tài)開關(guān)、SVC和電解氫等場合，但大多數(shù)工程師對這類雙極性器件的了解不及對IGBT的了解，為此我們組織了6篇連載，包括正向特性，動態(tài)特性，控制特性，保護(hù)以及損耗與熱特性。內(nèi)容摘自英飛凌英文版應(yīng)用指南AN2012-01《雙極性半導(dǎo)體技術(shù)信息》。
2021-09-08
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板子上的MOSFET莫名炸機，多半是這個原因！
MOSFET、IGBT是開關(guān)電源最核心也是最容易燒壞的器件！其原因大多是過壓或過流導(dǎo)致功耗大增，從而使器件損壞，甚至可能會伴隨爆炸。而SOA安全工作區(qū)測試，就是保障其安全工作的重要測試項目！
2021-09-07
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仿真看世界之IPOSIM的散熱器熱阻Rthha解析
如何評估IGBT模塊的損耗與結(jié)溫？英飛凌官網(wǎng)在線仿真工具IPOSIM，是IGBT模塊在選型階段的重要參考。這篇文章將針對IPOSIM仿真中的散熱器熱阻參數(shù)Rthha，給大家做一些清晰和深入的解析。
2021-09-05
- 意法半導(dǎo)體與英諾賽科簽署氮化鎵技術(shù)開發(fā)與制造協(xié)議
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