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詳述晶振停振的原因及方法

發(fā)布時(shí)間:2019-05-27 責(zé)任編輯:lina

【導(dǎo)讀】如今的電子科技時(shí)代,我們已離不開(kāi)生活中的智能產(chǎn)品,尤其是手機(jī),在這個(gè)移動(dòng)支付的快節(jié)奏城市,也許你可以試試一天沒(méi)有手機(jī)的生活,恐怕會(huì)有諸多不便。而手機(jī)卻依賴它,一顆比米粒還要小的晶振,決定了整塊電路板的“生死”。

詳述晶振停振的原因及方法 

如今的電子科技時(shí)代,我們已離不開(kāi)生活中的智能產(chǎn)品,尤其是手機(jī),在這個(gè)移動(dòng)支付的快節(jié)奏城市,也許你可以試試一天沒(méi)有手機(jī)的生活,恐怕會(huì)有諸多不便。而手機(jī)卻依賴它,一顆比米粒還要小的晶振,決定了整塊電路板的“生死”。如果它不運(yùn)作,整個(gè)系統(tǒng)就會(huì)癱瘓,在行業(yè)中被人們堪比為電路板的心臟。
 
晶振停振
晶振是各板卡的“心跳”發(fā)生器,選擇好的晶振,保障線路板的經(jīng)久耐用性。然而難免會(huì)碰到晶振停振的問(wèn)題。晶振的作用就是向顯卡、網(wǎng)卡、主板等配件的各部分提供基準(zhǔn)頻率,它是時(shí)鐘電路中最重要的部件。晶振就像個(gè)標(biāo)尺,工作頻率不穩(wěn)定會(huì)造成相關(guān)設(shè)備工作頻率不穩(wěn)定,自然容易出現(xiàn)問(wèn)題。在實(shí)際應(yīng)用中,遇到晶振停振,要結(jié)合實(shí)際情況和產(chǎn)品規(guī)格。
 
大量晶振不起振造成整機(jī)無(wú)電問(wèn)題的原因有:
晶體本身原因:晶片碎裂、寄生、DLD不良、阻抗過(guò)大、頻率不良、晶體牽引力不足或過(guò)大。
 
電路原因:其他元件不良、負(fù)載電容或電路設(shè)計(jì)或加工造成的雜散電容離散度大、晶體兩端電壓不足、電路靜態(tài)工作點(diǎn)有問(wèn)題。
 
晶振損壞
在工作電路中,如果晶振損壞會(huì)有哪些特征現(xiàn)象呢?
 
晶振損壞分為兩大類:
徹底停振:如果晶振停振,對(duì)手機(jī)而言可能無(wú)法正常開(kāi)機(jī),就像心臟突然停止跳動(dòng),以該晶振為時(shí)鐘信號(hào)的電路都會(huì)停頓罷工。
 
具有不穩(wěn)定性:引起不穩(wěn)定性的原因有很多,可能是晶振質(zhì)量問(wèn)題,更多原因則是晶振參數(shù)與電路參數(shù)不相匹配,例如系統(tǒng)要求精度20ppm,而晶振參數(shù)只有50ppm;再或者匹配電容要求12PF,而實(shí)際電容只有9PF諸多原因。
解決辦法
 
1. 徹底損壞
徹底損壞時(shí),可將其拆下,與正常同型號(hào)集成電路對(duì)比測(cè)其每一引腳對(duì)地的正、反向電阻,總能找到其中一只或幾只引腳阻值異常。
 
2. 具有不穩(wěn)定性
咨詢的晶振供應(yīng)商,算出正確電容匹配值更換晶振,或者是更換外掛電容。更換精度合適的晶振,如果是其它問(wèn)題引起的不穩(wěn)定,用無(wú)水酒精冷卻被懷疑的集成電路,如果故障發(fā)生時(shí)間推遲或不再發(fā)生故障,即可判定。通常只能更換新集成電路來(lái)排除。
 
晶振停振注意要點(diǎn)
由于晶振在剪腳和焊錫的時(shí)候容易産生機(jī)械應(yīng)力和熱應(yīng)力,而焊錫溫度過(guò)高和作用時(shí)間太長(zhǎng)都會(huì)影響到晶體,容易導(dǎo)致晶體處于臨界狀態(tài),以至出現(xiàn)時(shí)振時(shí)不振現(xiàn)象,甚至停振。
 
在焊錫時(shí),當(dāng)錫絲透過(guò)線路板上小孔滲過(guò),導(dǎo)致引腳跟外殼連接在一塊,或是晶體在制造過(guò)程中,基座上引腳的錫點(diǎn)和外殼相連接發(fā)生單漏,都會(huì)造成短路,從而引起停振。
 
當(dāng)晶體頻率發(fā)生頻率漂移,且超出晶體頻率偏差范圍過(guò)多時(shí),以至于捕捉不到晶體的中心頻率,從而導(dǎo)致芯片不起振。
 
由于芯片本身的厚度很薄,當(dāng)激勵(lì)功率過(guò)大時(shí),會(huì)使內(nèi)部石英芯片破損,導(dǎo)致停振。
在檢漏工序中,就是在酒精加壓的環(huán)境下,晶體容易產(chǎn)生碰殼現(xiàn)象,即振動(dòng)時(shí)芯片跟外殼容易相碰,從而晶體容易發(fā)生時(shí)振時(shí)不振或停振。
 
在壓封時(shí),晶體內(nèi)部要求抽真空充氮?dú)猓绻l(fā)生壓封不良,即晶體的密封性不好時(shí),在酒精加壓的條件下,其表現(xiàn)為漏氣,稱之為雙漏,也會(huì)導(dǎo)致停振。 
 
 
 
 
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