新聞事件：

• 恩智浦與華為攜手成立射頻功放聯(lián)合研發(fā)及創(chuàng)新實驗中心

事件影響：

• 智浦和華為的業(yè)務聯(lián)系與技術合作進入新階段

恩智浦半導體與華為技術有限公司攜手成立的首個射頻功放聯(lián)合研發(fā)及創(chuàng)新實驗中心正式落戶上海。恩智浦射頻功率產(chǎn)品部總經(jīng)理Reiner Beltman 和華為技術有限公司無線產(chǎn)品線中射頻與基站平臺部部長酈舟劍出席了實驗中心的開幕慶典，宣布即日起實驗中心正式投入使用。這標志著恩智浦和華為技術有限公司的業(yè)務聯(lián)系與技術合作進入了新的階段，恩智浦在射頻功率器件領域的領導地位獲得廣泛認可。 　　

恩智浦與華為全力支持實驗中心建設，包括購買相關的儀器設備、建立自動化測試平臺、人員配備等。實驗中心秉承恩智浦與華為在射頻應用設計領域的經(jīng)驗和創(chuàng)新理念，在無線基站相關的射頻功率領域，對前沿技術進行更為深入的合作和拓展開發(fā)，進一步推動無線基站向著綠色、環(huán)保、經(jīng)濟的方向演進。

恩智浦射頻產(chǎn)品種類豐富，覆蓋從用于功率放大器的高功率LDMOS到用于RF/IF單片微波集成電路的最新SiGe:C BiCMOS。此外，先進的高速轉(zhuǎn)換器CMOS工藝滿足客戶對射頻前端系統(tǒng)的市場需求。恩智浦所有技術均由公司內(nèi)部設計和生產(chǎn)，可根據(jù)具體應用進行有針對性的定制開發(fā)。