產(chǎn)品特性：

• 漏極效率大于50%
• 增益：17dB
• 達500W的耐用度
• 無毒封裝、符合ROHS標(biāo)準(zhǔn)

應(yīng)用范圍：

• L波段雷達應(yīng)用

恩智浦半導(dǎo)體（NXP Semiconductors）擴張其業(yè)界領(lǐng)先的RF Power 晶體管產(chǎn)品線，近日推出最新的針對L波段雷達應(yīng)用的橫向擴散金屬氧化物半導(dǎo)體（Laterally Diffused Metal Oxide Semiconductor，以下簡稱LDMOS)晶體管，該晶體管在1.2GHz到1.4GHz的頻率之間帶來達500W的突破性的RF輸出功率。

針對大范圍的L波段雷達應(yīng)用，恩智浦的LDMOS L波段RF功率晶體管設(shè)置了新的效率標(biāo)準(zhǔn)（漏極效率大于50%）、增益（17dB）和達500W的耐用度。

恩智浦半導(dǎo)體RF功率產(chǎn)品線全球產(chǎn)品市場經(jīng)理Mark Murphy表示：“作為首個推出L波段和S波段應(yīng)用的LDMOS的公司，恩智浦高效LDMOS RF功率晶體管產(chǎn)品線建立了一個嶄新的業(yè)界標(biāo)準(zhǔn)，為我們的客戶提供市場上表現(xiàn)最優(yōu)異和最耐用的晶體管。RF輸出功率達到500W這個突破，是恩智浦通力合作、貼近客戶需求的結(jié)果，使我們推出了可縮短上市時間的易于進行設(shè)計導(dǎo)入的晶體管。

恩智浦L波段RF晶體管(BLL6H1214-500)的主要表現(xiàn)參數(shù)包括：
 

• 500W峰值輸出功率（在1.4GHz,100µs脈沖寬度，25%占空比時）
• 17dB增益
• 50%漏極效率
• 更佳耐用度
• 能夠承受高達5dB的過驅(qū)動能力
• 更佳脈沖頂降 （低于0.2dB）
• 供電電壓50V
• 無毒封裝、符合ROHS標(biāo)準(zhǔn)

恩智浦的這款器件結(jié)合了雙極管的功率密度和適用于L波段雷達設(shè)計的LDMOS技術(shù)優(yōu)勢，其環(huán)保的陶瓷封裝，可與BeO封裝互相替代。