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適用于緊湊型服務(wù)器電源的低通態(tài)電阻功率MOSFET

發(fā)布時(shí)間:2013-02-06 來源:電子元件技術(shù)網(wǎng) 責(zé)任編輯:hedyxing

【導(dǎo)讀】瑞薩近日宣布推出三種新型的低通態(tài)電阻MOSFET產(chǎn)品,包括在網(wǎng)絡(luò)服務(wù)器和存儲系統(tǒng)內(nèi)的電源裝置中作為ORingFET使用的 µPA2766T1A。

瑞薩電子低通態(tài)電阻功率MOSFET µPA2766T1A
瑞薩電子低通態(tài)電阻功率MOSFET µPA2766T1A
 

新產(chǎn)品的30V電壓通態(tài)電阻為0.72m?(典型值),較瑞薩電子之前的產(chǎn)品降低了50%,達(dá)到業(yè)內(nèi)最低水平。此外,產(chǎn)品的高效性以及小型表面封裝包(8-針HVSON)等功能可使得在更小規(guī)格的封裝內(nèi)完成高電流控制,從而降低了功耗、實(shí)現(xiàn)了相對大型服務(wù)器存儲系統(tǒng)所用電源的微型化。

對于任務(wù)關(guān)鍵系統(tǒng),常見的功能是提供冗余功率輸出,即:通過帶有對服務(wù)器存儲系統(tǒng)保持高可靠性的多電源裝置的ORing FET來完成。這些ORing FET被連接到每個(gè)電源裝置的功率輸出線上。在正常運(yùn)行過程中,它們能夠保持接通狀態(tài)。但是,如果其中一個(gè)電源失效,相應(yīng)裝置的ORing FET將會切換到斷開狀態(tài),以確保將其與其他電源裝置隔離開,并保證失效電源裝置不會中斷系統(tǒng)電源。

在正常運(yùn)行過程中,功率輸出線路能夠處理幾十到幾百安培的強(qiáng)大電流。ORing FET必須擁有低通態(tài)電阻特性以防止增加傳導(dǎo)損耗或降低電源電壓。

為了滿足這種需要,瑞薩電子在本公司新型低通態(tài)電阻工藝的基礎(chǔ)上,研發(fā)了一套(三件)MOSFET產(chǎn)品。新型µPA2764T1A、µPA2765T1A 和 µPA2766T1A能夠滿足上述需要,能以更小的規(guī)格提供行業(yè)領(lǐng)先的電源裝置內(nèi)的低通態(tài)電阻。

新型低通態(tài)電阻功率MOSFET產(chǎn)品的主要特點(diǎn)

(1) 業(yè)內(nèi)最低的通態(tài)電阻
 
新型的µPA2766T1A 可為5 mm × 6 mm 封裝內(nèi)的30V應(yīng)用程序提供0.72 m?的業(yè)內(nèi)最低通態(tài)電阻,通過降低智能領(lǐng)域關(guān)鍵應(yīng)用程序——網(wǎng)絡(luò)服務(wù)器和存儲系統(tǒng)中所使用的電源裝置的傳導(dǎo)損耗,提高了系統(tǒng)的總體功率效率。此外,該項(xiàng)功能使我們能夠抑制隨大電流產(chǎn)生的較大壓降。而且,即使在電源裝置出現(xiàn)大幅度電流波動(dòng)的情況下,也能獲得高精度電源電壓。

(2)帶小面積安裝和大電流控制支持功能的8針HVSON封裝

由于金屬板用于將封裝內(nèi)的FET模具連接到引腳上,所以8針HVSON 封裝可提供低封裝電阻。此項(xiàng)功能,加上FET模具的低通態(tài)電阻,使得即使在尺寸為5 mm × 6 mm的緊湊型封裝內(nèi),也能實(shí)現(xiàn)對高達(dá)130 A (ID (DC))大電流的控制。此外,在多個(gè)ORing FET以并聯(lián)的形式連接到每個(gè)電源裝置上以供應(yīng)較大電流的情況下,產(chǎn)品的這一特征通過實(shí)現(xiàn)最少數(shù)量的并聯(lián)連接,還有助于縮小設(shè)備尺寸。

這三種新型MOSFET產(chǎn)品,包括 µPA2766T1A,擁有0.72 m?至1.05 m?(標(biāo)準(zhǔn)值)的通態(tài)電阻額定值。這一范圍可實(shí)現(xiàn)更好的產(chǎn)品選擇,從而能夠以最佳的狀態(tài)滿足用戶在運(yùn)行電流或環(huán)境條件方面的要求。而且,它還使得客戶能夠提供最佳產(chǎn)品,有助于提高功率效率、降低空間要求。

瑞薩電子計(jì)劃進(jìn)一步加強(qiáng)產(chǎn)品線的拓展,繼續(xù)努力降低通態(tài)電阻、開發(fā)更小規(guī)格的封裝,以滿足客戶不斷變化的需求。
 
定價(jià)與供貨情況

本公司目前可提供新型低通態(tài)電阻功率MOSFET產(chǎn)品的樣品。樣品的價(jià)格將會有所變動(dòng)。µPA2764T1A的樣品價(jià)格將為1.20美元/單位,µPA2765T1A為1.00美元/單位,µPA2766T1A為1.80美元/單位。我們計(jì)劃在2013年2月開始新產(chǎn)品的批量生產(chǎn),預(yù)計(jì)到2013年10月,三種產(chǎn)品的總體產(chǎn)量將會達(dá)到5,000,000個(gè)單位/月(定價(jià)和供貨情況如有變化,恕不另行通知)。


新型低通態(tài)電阻功率MOSFET產(chǎn)品的規(guī)格


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