【導讀】該技術文獻全面介紹了氮化鎵在物理特性方面自帶的優(yōu)勢特性以及常閉型d-mode 氮化鎵解決方案如何發(fā)揮最大的自身優(yōu)勢，用于創(chuàng)建具有更高可靠性、可設計性、可驅動性、可制造性和多樣性的卓越平臺。
加利福尼亞州戈萊塔 – 2023 年 10 月 19 日 –氮化鎵功率半導體產品的全球領先企業(yè) Transphorm, Inc. (Nasdaq: TGAN) 今日發(fā)布了題為『Normally-off D-Mode 氮化鎵晶體管的根本優(yōu)勢』的最新白皮書。該技術文獻科普了共源共柵 (常閉) d-mode氮化鎵平臺固有的優(yōu)勢。重要的是，該文章還解釋了e-mode平臺為實現常閉型解決方案，從根本上 (物理層面) 削弱了諸多氮化鎵自身的性能優(yōu)勢。
要點
白皮書介紹了 normally-off d-mode 氮化鎵平臺的幾個關鍵優(yōu)勢，包括：
1.性能更高：優(yōu)越的 TCR (~25%)，更低的動態(tài)與靜態(tài)導通電阻比 (~25%)，從而降低損耗，獲得更高的效率和更優(yōu)越的品質因數 (FOM)。
2.高功率級應用更加容易：Transphorm d-mode 具有較高的飽和電流，而 e-mode 則必須通過并聯才能提供相同的電流，但這會導致功率密度和可靠性下降。
3.穩(wěn)健性且易驅動性：采用最穩(wěn)健的硅MOSFET SiO2柵極，不受 e-mode 的 p 柵極限制，可兼容硅基驅動器和控制器。
Transphorm業(yè)務開發(fā)和營銷高級副總裁Philip Zuk表示，“長期以來，寬禁帶行業(yè)一直圍繞兩種不同架構氮化鎵晶體管爭論高下——常閉型 d-mode和e-mode氮化鎵。我們最初進入市場時，對這兩種技術路線都進行了研究探討，最終決定采用常閉型d-mode解決方案，因為該方案不僅最可靠，且具有最高的性能和廣泛的驅動器兼容性。而且，從系統(tǒng)設計角度出發(fā)，常閉型 d-mode具備更全面和長遠的技術發(fā)展路線，而我們尚未在e-mode方案看到這一優(yōu)勢。本白皮書用意是在明確解釋我們?yōu)槭裁催@樣設計氮化鎵器件，從而幫助客戶更了解選擇氮化鎵器件時需要關注哪些性能指標?！?/p>
十多年來，Transphorm 憑借最可靠的氮化鎵平臺成功引領行業(yè)，目前，Transphorm器件的現場運行時間已超過 2000 億小時，覆蓋了從低功率到高功率系統(tǒng)最廣泛的應用領域。Transphorm公司不僅率先獲得 JEDEC 資格認證，而且也是首家取得 AEC-Q101 (汽車級)認證的企業(yè)，并率先發(fā)布 900V氮化鎵平臺。目前正在開發(fā)可用于 800 V 電動汽車電池應用且已獲驗證的1200 V平臺。
Transphorm 也展示了一款四象限開關開關管，在微型逆變器和雙向系統(tǒng)等目標設計中可顯著減少器件使用數量（2～4個）。此外，Transphorm還實現了在氮化鎵器件上耐受5微秒的短路電路(SCCL)技術，有望可開啟數十億美元的電機控制和電動汽車動力應用市場。
白皮書概要
該技術文獻全面介紹了氮化鎵在物理特性方面自帶的優(yōu)勢特性以及常閉型d-mode 氮化鎵解決方案如何發(fā)揮最大的自身優(yōu)勢，用于創(chuàng)建具有更高可靠性、可設計性、可驅動性、可制造性和多樣性的卓越平臺。
本白皮書還特別探討了二維電子氣通道 (2DEG) 的作用。2DEG是氮化鎵 HEMT 異質結結構中自發(fā)形成的自然現象，由于所有氮化鎵平臺 (包括e-mode) 本質上都是常閉型d-mode 平臺，本文詳細說明了選擇 d-mode 或 e-mode的方式關斷器件，將如何影響2DEG 和整個平臺的性能 。
該白皮書還糾正了業(yè)內常見的有關常閉型 d-mode 和 e-mode 器件性能的一些誤區(qū)。
憑借著全方位的產品平臺，Transphorm器件已經成功應用于從數十瓦至7.5kW的設計及量產產品，應用領域涵蓋計算(數據中心或網絡的電源、高性能游戲、高算力應用、人工智能計算)、能源/工業(yè) (任務關鍵型UPS和微型逆變器) 以及消費類適配器/快充電源(筆記本電腦、移動設備、家用電器)。而這個成就歸功于一開始即采用常閉型d-mode設計方案。
白皮書獲取方式
本白皮書（中文版）免費提供，可通過以下鏈接下載：https://transphormusa.cn/zh/document/wp-dmode-gan-advantages/
關于Transphorm
Transphorm, Inc.是氮化鎵革命的全球領導者，致力于設計、制造和銷售用于高壓電源轉換應用的高性能、高可靠性的氮化鎵半導體功率器件。Transphorm擁有最龐大的功率氮化鎵知識產權組合之一，持有或取得授權的專利超過1,000多項，在業(yè)界率先生產經JEDEC和AEC-Q101認證的高壓氮化鎵半導體器件。得益于垂直整合的業(yè)務模式，公司能夠在產品和技術開發(fā)的每一個階段進行創(chuàng)新：設計、制造、器件和應用支持。Transphorm的創(chuàng)新使電力電子設備突破硅的局限性，以使效率超過99%、將功率密度提高50%以及將系統(tǒng)成本降低20%。Transphorm的總部位于加州戈利塔，并在戈利塔和日本會津設有制造工廠。如需了解更多信息，請訪問https://transphormusa.cn/zh/。歡迎在Twitter @transphormusa和微信@Transphorm_GaN上關注我們。
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