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瞬態(tài)事件如何影響LDO的動(dòng)態(tài)性能?

發(fā)布時(shí)間:2023-01-17 來(lái)源:onsemi 責(zé)任編輯:wenwei

【導(dǎo)讀】有兩種瞬態(tài)響應(yīng)。首先,負(fù)載瞬態(tài)響應(yīng)是當(dāng)?shù)蛪航捣€(wěn)壓器(LDO)提供的負(fù)載電流發(fā)生變化時(shí),在LDO輸出端出現(xiàn)過(guò)沖或下沖。第二,線路瞬態(tài)響應(yīng)是當(dāng)連接的電壓在LDO輸入端發(fā)生變化時(shí),在LDO輸出端發(fā)生過(guò)沖或下沖,具有不同的波形。


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圖1.LDO輸出端發(fā)生下沖時(shí)的內(nèi)部構(gòu)造


讓我們看看當(dāng)LDO的輸出出現(xiàn)下沖現(xiàn)象時(shí),其內(nèi)部會(huì)發(fā)生什么。圖1顯示了LDO的內(nèi)部結(jié)構(gòu),輸出電壓為1V時(shí),瞬態(tài)響應(yīng)下沖電壓為0.02V,導(dǎo)致輸出電壓下降到0.98V。當(dāng)參考電壓穩(wěn)定到1V時(shí),那么誤差放大器的輸入端之間有0.02V的電壓差。放大器將該電壓放大,所以誤差放大器的輸出電壓VAMP下降,這意味著PMOS傳遞元件的VGS增加,PMOS傳遞元件開(kāi)始導(dǎo)通更多的通道,給輸出電容充電。所以,LDO的輸出電壓開(kāi)始回升到1V。


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圖2.LDO輸出端發(fā)生過(guò)沖時(shí)的內(nèi)部構(gòu)造


LDO輸出端過(guò)沖的情況(圖2)與下沖的情況相反。過(guò)沖電壓為0.02V,那么輸出電壓是1.02V,誤差放大器的輸入端之間有一個(gè)-0.02V的電壓差。誤差放大器再次放大這個(gè)電壓,誤差放大器的輸出電壓VAMP增加,而PMOS傳遞元件的電壓VGS減少,這意味著PMOS傳遞元件開(kāi)始關(guān)閉其通道。但正因?yàn)槿绱?,一個(gè)傳遞元件可以給輸出電容充電,以防輸出電容放電時(shí),過(guò)沖輸出電壓恢復(fù)到1V。


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圖3.在下沖和過(guò)沖期間LDO內(nèi)部的活動(dòng)


您可以在圖3中看到下沖和過(guò)沖期間LDO內(nèi)部的負(fù)載瞬態(tài)響應(yīng)和該狀態(tài)下的動(dòng)作:下沖期間更多的傳遞元件被打開(kāi),而過(guò)沖期間關(guān)閉。這種反饋動(dòng)作對(duì)于負(fù)載瞬態(tài)響應(yīng)和線性瞬態(tài)響應(yīng)是相同的,它取決于導(dǎo)致下沖或過(guò)沖的原因。過(guò)沖的幅度和穩(wěn)定時(shí)間取決于內(nèi)部反饋對(duì)瞬態(tài)事件的反應(yīng)速度--輸入電壓或負(fù)載電流的任何變化。


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圖4.NCP110的負(fù)載瞬態(tài)響應(yīng)


圖4展示了NCP110的實(shí)測(cè)負(fù)載瞬態(tài)響應(yīng):在負(fù)載變化到較高的電流水平時(shí),輸出電壓下降。一段時(shí)間后,內(nèi)部反饋對(duì)過(guò)沖作出反應(yīng),導(dǎo)通PMOS傳遞元件。當(dāng)負(fù)載變化到一個(gè)非常低的電流水平時(shí),例如1毫安,內(nèi)部反饋反應(yīng)是關(guān)閉PMOS傳遞元件:導(dǎo)致過(guò)沖,輸出電容放電。


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圖5.NCP110線性瞬態(tài)響應(yīng)


圖5展示了線性瞬態(tài)響應(yīng)。但下沖和過(guò)沖具有相同的波形,這是由于實(shí)際上負(fù)載電流沒(méi)有變化造成的。因此,輸出電容沒(méi)有擴(kuò)展放電。就像負(fù)載瞬態(tài)響應(yīng)一樣,PMOS傳遞元件也會(huì)相應(yīng)地以導(dǎo)通和關(guān)閉做出響應(yīng)。


您可以將類似的原則應(yīng)用于含NMOS傳遞元件的LDO。含PMOS傳遞元件的LDO有一個(gè)針對(duì)輸入電壓VIN的柵源電壓VGS,而含NMOS傳遞元件的LDO有一個(gè)針對(duì)輸出電壓VOUT的柵源電壓VGS。因此,當(dāng)需要導(dǎo)通更多的NMOS傳遞元件時(shí),誤差放大器的輸出電壓VAMP增加。當(dāng)需要關(guān)閉NMOS傳遞元件時(shí),誤差放大器的輸出電壓VAMP下降;這與含PMOS傳遞元件的LDO恰好相反。


來(lái)源:onsemi



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