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碳化硅MOS 四引腳封裝在應(yīng)用中的優(yōu)勢(shì)

發(fā)布時(shí)間:2022-09-14 來(lái)源:瑞森半導(dǎo)體 責(zé)任編輯:wenwei

【導(dǎo)讀】瑞森半導(dǎo)體科技有限公司經(jīng)過(guò)多年研發(fā),推出碳化硅MOS和SBD系列產(chǎn)品,目前已得到市場(chǎng)和客戶認(rèn)可,廣泛應(yīng)用于高端服務(wù)器電源、太陽(yáng)能逆變、UPS電源、電機(jī)驅(qū)動(dòng)、儲(chǔ)能、充電樁等領(lǐng)域。


碳化硅MOS 芯片具有優(yōu)異的高頻特性,在高頻應(yīng)用中,傳統(tǒng)的TO-247封裝會(huì)制約其高頻特性。瑞森半導(dǎo)體因應(yīng)客戶需求及為進(jìn)一步提升碳化硅MOS性能,特開(kāi)發(fā)出四引腳TO-247封裝(TO-247-4L)碳化硅MOS產(chǎn)品。


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1. TO-247 四引腳封裝和三引腳封裝差異


四引腳封裝TO-247與三引腳封裝TO-247相比較,外形上明顯多了一引腳,增加的引腳為驅(qū)動(dòng)器源極引腳。腳位排列由TO-247 三引腳封裝的G-D-S變?yōu)镈-S(P)-S(D)-G,其中第二引腳 S(P)接負(fù)載端,三引腳S(D)接驅(qū)動(dòng)端。


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對(duì)于傳統(tǒng)三引腳TO-247封裝。其反電動(dòng)勢(shì)VLS(=LS*dID/dt)由源極電源線的電感分量L和漏極電流斜率dI dID/dt產(chǎn)生,電壓VGS的是施加在芯片的柵極和源極漏極。這個(gè)反電動(dòng)勢(shì)將實(shí)際施加的電壓從設(shè)定的柵極電壓降低,且開(kāi)關(guān)速度特別是開(kāi)通速度將會(huì)減慢。


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通過(guò)增加用于柵極驅(qū)動(dòng)的信號(hào)源端子,可以分離電源線中的電流和柵極驅(qū)動(dòng)線中的電流,以減小柵源電壓電感的影響。四引腳的封裝的TO-247-4L將驅(qū)動(dòng)側(cè)的源端直接連接在芯片的位置,與負(fù)載側(cè)的源線分離,這樣使其不易受到驅(qū)動(dòng)電壓的影響。從而提高了碳化硅MOS的高速開(kāi)關(guān)性能。


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2. 四引腳封裝(TO-247-4L)優(yōu)勢(shì)


四引腳封裝的TO-247-4L碳化硅MOS,可充分發(fā)揮出碳化硅MOS 本身的高速開(kāi)關(guān)性能。與傳統(tǒng)三引腳封裝TO-247相比,開(kāi)關(guān)損耗可降低約 30-35%,能進(jìn)一步降低電路的損耗。


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導(dǎo)通損耗:與沒(méi)有驅(qū)動(dòng)器源極引腳的TO-247封裝產(chǎn)品(淺藍(lán)色虛線)相比,有驅(qū)動(dòng)器源極引腳的TO-247-4L封裝產(chǎn)品(紅色虛線)導(dǎo)通時(shí)的ID上升速度更快。通過(guò)比較,可以看出TO-247封裝產(chǎn)品(淺藍(lán)色線)的開(kāi)關(guān)損耗為 2700J,而TO-247-4L封裝產(chǎn)品(紅色線)為1700J,開(kāi)關(guān)損耗減少約35%,減幅顯著。


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關(guān)斷損耗:關(guān)斷時(shí)的波形可以看出,TO-247封裝產(chǎn)品(淺藍(lán)色實(shí)線)的開(kāi)關(guān)損耗為2100J,TO-247-4L封裝產(chǎn)品(紅色實(shí)線)為1450J,開(kāi)關(guān)損耗降低約30%。


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3. 瑞森半導(dǎo)體碳化硅MOS系列產(chǎn)品


瑞森半導(dǎo)體經(jīng)過(guò)多年研發(fā),目前已擁有完整系列碳化硅MOS產(chǎn)品,各型號(hào)產(chǎn)品同時(shí)具備TO-247-3L及TO-247-4L 兩種封裝,給客戶提供更多選擇。


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瑞森半導(dǎo)體一直致力于領(lǐng)先于行業(yè)的產(chǎn)品開(kāi)發(fā)。 未來(lái)會(huì)繼續(xù)推進(jìn)創(chuàng)新型元器件的開(kāi)發(fā), 同時(shí)提供包括碳化硅產(chǎn)品在內(nèi)的解決方案,為進(jìn)一步降低各種設(shè)備的功耗貢獻(xiàn)力量。



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