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一文帶你了解降壓型穩(wěn)壓芯片原理

發(fā)布時間:2022-05-26 來源:世健 責任編輯:wenwei

【導讀】在電路系統(tǒng)設計中,總是離不開電源芯片的使用,林林總總的電源芯片非常多,比如傳統(tǒng)的線性穩(wěn)壓器7805、低壓差線性穩(wěn)壓器(LDO)、開關型降壓穩(wěn)壓器(Buck DCDC)等,那么它們到底有什么區(qū)別呢?Excelpoint世健的工程師Wolfe Yu在此對各種降壓型穩(wěn)壓芯片的原理進行了科普。


降壓型穩(wěn)壓芯片的主要分類


串聯(lián)線性穩(wěn)壓電路原理


串聯(lián)線性穩(wěn)壓電路主要思路來自于基本線性調(diào)整模型。在輸入直流電壓和負載之間串入一個三極管,其作用就是當輸出阻抗發(fā)生變化引起輸出電壓同步變化時,通過某種反饋形式使三極管的發(fā)射極也隨之變化,從而調(diào)整輸出電壓值,以保持輸出電壓基本穩(wěn)定。由于串入的三極管是起著電壓調(diào)整作用的,所以,這個三極管也稱為調(diào)整管。


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圖1 LDO基本模型


基本線性調(diào)整管的輸出電壓,主要由穩(wěn)壓管的電壓來決定,無法實現(xiàn)自動調(diào)節(jié)。為了讓輸出電壓可以自由設定,從而不受穩(wěn)壓管影響,一般會加入運算放大器,通過比例系數(shù)調(diào)節(jié)輸出電壓。


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圖2 可調(diào)LDO模型


LDO直流輸入電壓和負載調(diào)整率、輸入電壓和負載瞬態(tài)響應、電源抑制比(PSRR)、輸出噪聲和精度在各種降壓型穩(wěn)壓器中,都是最優(yōu),對于高精度模擬前端應用場合十分必要。所以,產(chǎn)品應用的核心電源,都會采用高精度LDO供電。


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圖3 LDO主要功耗模型


LDO也會面臨另一個問題,效率比較低。主要是穩(wěn)壓調(diào)整管所需擊穿飽和電流、運放反饋回路電流、以及輸出電壓與壓差和電流產(chǎn)生的熱能損耗等等。一般來說,我們把輸入電流和Iin輸出電流Iout的差值,稱為接地電流(IGND),接地電流包括靜態(tài)電流(IQ),LDO的效率公式如下。


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接地電流是影響LDO效率的一個因素,但是,相對于調(diào)整管的壓降來說,如同九牛一毛,可以忽略不計。真正影響LDO效率的是輸入輸出之間的電壓差。


一般來說,市面上常用的串聯(lián)線性穩(wěn)壓電路通常會采用五種常用的結構,大體分為:經(jīng)典NPN型結構LDO(A)、基于PNP驅(qū)動的NPN輸出型低壓差結構LDO(B)、PNP型低壓差結構LDO(C)、P溝道低壓差LDO(D)、N溝道低壓差LDO(E)。


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圖4 常見LDO產(chǎn)品架構


初步分析:經(jīng)典NPN型結構LDO,輸入輸出壓差基本要求滿足3V左右。基于PNP驅(qū)動的NPN輸出型低壓差結構LDO,輸入輸出壓差需要達到1.5V。PNP型低壓差結構LDO、P溝道低壓差LDO和N溝道低壓差LDO屬于真正的低壓差LDO,P溝道低壓差LDO對于散熱要求很高,N溝道低壓差LDO相對工藝復雜。PNP型低壓差結構LDO相對簡單,輸入輸出壓差基本控制在0.3V——0.6V之間。市面上,選擇C和D方案作為LDO架構的廠商較多。


串聯(lián)開關穩(wěn)壓電路原理


前面我們提到,LDO有著較大的負載調(diào)整率、輸入電壓和負載瞬態(tài)響應、電源抑制比(PSRR)、輸出噪聲和精度。但是由于效率太低,隨著節(jié)能減排、PCBA的布局布線等要求,在很多高壓差的場合,人們不得不尋求新的替代方案。


隨著半導體技術和磁性材料的發(fā)展,通過調(diào)整開關管通斷、采用換能的方式,輸出相對穩(wěn)定的電壓的DCDC應運而生。


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圖5 Buck DCDC基本拓撲


正常工作狀態(tài)下,BUCK型DCDC主要工作在連續(xù)導通模式(CCM),這種模式下,電感器上有連續(xù)電流,這種情況也稱為重載模式,DCDC主要是通過電感電壓伏秒平衡原理,來實現(xiàn)降壓功能。


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圖6 Buck DCDC連續(xù)導通模式及輸出波形


從上圖來看,我們可以計算出BUCK型DCDC的輸出電壓和輸入電壓之間的關系,主要依賴于開關管的導通時間。


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對于開關電源來說,影響開關電源功耗的因素,主要集中在開關管MOSEFET、門極驅(qū)動、電感磁芯損耗和線損上面。


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圖7 Buck DCDC主要損耗因素


相對于線性穩(wěn)壓電源來說,開關穩(wěn)壓電源的效率可以達到90%以上,相對損耗幾乎忽略不計。所以,在很多應用場合,特別是較大輸出壓差和較大輸出功率的情況下,工程師幾乎統(tǒng)一都是采用這種Buck電源。


開關電源Buck電路的控制方案


PWM脈沖調(diào)制技術


傳統(tǒng)電流模式的開關電源,采用的方式是將采樣電流與電壓反饋環(huán)路中誤差放大器的輸出進行比較,以生成控制MOSFET的PWM脈沖。


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圖8 PWM核心控制機理


電壓模式是PWM脈沖調(diào)制一種常用的調(diào)制方式,主要采用固定頻率三角波和誤差做比較,采用三角波和誤差幅值調(diào)整占空比。


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圖9 電壓調(diào)整模式架構


峰值電流模式是PWM脈沖調(diào)制的另一種常用的調(diào)制方式,占空比主要由電流環(huán)決定,電壓環(huán)決定電流信號參考。


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圖10 峰值電流模式架構


COT調(diào)制技術


PWM頻率恒定,其在整個負載頻率范圍內(nèi)的紋波電壓和輸出噪聲都是非常低的,每個開關管在切換的時候都會產(chǎn)生開關損耗,特別是其在輕負載時,還保持較高的開關頻率,開關損耗比重加大,效率會降低。


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圖11 DCM模式電感電流環(huán)示意


我們知道,當負載電流非常小時,或者說電感器的值小于臨界電感時,轉(zhuǎn)換器開關就會工作在不連續(xù)導通模式(DCM)。極端情況下,假設負載為0,轉(zhuǎn)換器開關就會只轉(zhuǎn)換一次就不再工作。實際上,由于開關電源的ESR,反饋回路等等形成的阻抗產(chǎn)生電路損耗。此時,控制MOSFEET的PWM脈沖寬度明顯小于正常連續(xù)開通模式(CCM)的脈沖寬度。


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圖12 DCM模式電感電壓與電流波形


同時,每個MOSFEET開關管的切換時間,總是存在相對固定的開通和關斷時間,這就是開關損耗。如果我們在DCM模式下,能降低開關切換頻率。就會降低開關損耗。


基于PFM的COT可以很好的解決上述難題,與傳統(tǒng)電壓/電流模式控制相比,恒定導通時間控制(COT)結構則非常簡單,它通過反饋電阻來采樣輸出電壓,然后將輸出電壓紋波谷值直接與參考電壓進行對比,生成固定的導通時間脈沖來導通上管MOSFET。


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圖13 COT核心控制機理


COT架構無需傳統(tǒng)電壓/電流模式DC/DC控制中的補償網(wǎng)絡,只需要一個參考比較器輸出來觸發(fā)定時脈沖發(fā)生器。變換器的設計更加簡單,因為元器件變得更少,也無需花費很多時間來調(diào)整補償值。COT 變頻控制結構在輕載時,脈沖頻率得到了進一步的降低,可以保持較高的效率。COT架構也存在一些缺點:首先,每次導通時間固定,頻率會隨占空比發(fā)生變化,針對這種情況,我們一般在電路上調(diào)整假負載,控制頻率因素。其次,COT架構的另一個缺點,需要依靠FB引腳上的紋波調(diào)整占空比,輸出紋波很大。


多相交錯并聯(lián)降壓技術


如果變換器的開關頻率一致,并且在各變換器之間加一定的相移,可以減少輸入輸出電流紋波,這種稱之為多相交錯并聯(lián)降壓技術。


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圖14 多相交錯并聯(lián)移向技術架構


多相交錯并聯(lián)Buck型DCDC變換器是由多個變換器并聯(lián),共同為負載提供電流。每個驅(qū)動信號頻率相同,相位錯開。


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圖15多相交錯并聯(lián)移向電流紋波


用交錯并聯(lián)后電流由交錯電流疊加,如果疊加相位匹配控制得好,電流紋波會隨相位增加而降低,電壓紋波也會相應降低。


多相交錯并聯(lián)COT架構電源對于輕載、重載自由切換的大功率通信應用場合意義十分重大,特別是5G通信電源,需要滿足超大射頻發(fā)射功率等應用場景。


Microchip基于雙相交錯先進COT Buck電源的解決方案


Excelpoint世健代理的產(chǎn)品線Microchip推出基于雙相交錯先進恒定導通時間(COT)同步降壓控制器的MIC21LV33系列電源芯片。該芯片采用獨特的自適應導通時間控制架構,支持超輕負載模式和切相功能。控制部分采用超高速控制器,在中等負載至重負載條件下支持超快速瞬態(tài)響應。支持從外部通過電容編程軟啟動,實現(xiàn)安全啟動進入重載模式。該芯片還集成一個遠程檢測放大器,用于精確控制輸出電壓。


MIC21LV33提供全套保護功能,確保在故障狀態(tài)期間保護芯片。包括:電源電壓跌落條件下正常工作的欠壓鎖定、降低浪涌電流的可編程軟啟動、過壓放電、“打嗝”模式短路保護、以及熱關斷。


MIC21LV33產(chǎn)品主要特征:


-輸入電壓范圍:4.5V——36V


-輸出電壓、電流:0.6V——28V,最低0.6V,精度±1%。最大輸出電流:50A。


-開關頻率范圍:100kHz——1MHz/Phase


-MIC21LV33集成遠程檢測放大器,用于精確控制輸出電壓。


-封裝:32腳 5mm x 5mm VQFN


-溫度范圍:-40℃——125℃。


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圖16 MIC21LV33 評估板


MIC21LV33該產(chǎn)品可應用于:分布式電源系統(tǒng)、通信/網(wǎng)絡基礎設施、打印機、掃描儀、視頻設備、以及FPGA/CPU/MEM/GPU內(nèi)核電源。該產(chǎn)品可以支持最大8相堆疊,電流輸出高達200A。滿足各種應用場景,Excelpoint世健可提供相應技術指導及樣品支持。


關于世健——亞太區(qū)領先的元器件授權代理商


世健是完整解決方案的供應商,為亞洲電子廠商包括原設備生產(chǎn)商(OEM)、原設計生產(chǎn)商(ODM)和電子制造服務提供商(EMS)提供優(yōu)質(zhì)的元器件、工程設計及供應鏈管理服務。世健與供應商及電子廠商緊密協(xié)作,為新的科技與趨勢作出定位,并幫助客戶把這些最先進的科技揉合于他們的產(chǎn)品當中。集團分別在新加坡、中國及越南設有研發(fā)中心,專業(yè)的研發(fā)團隊不斷創(chuàng)造新的解決方案,幫助客戶提高成本效益并縮短產(chǎn)品上市時間。世健研發(fā)的完整解決方案及參考設計可應用于工業(yè)、無線通信及消費電子等領域。世健是新加坡的主板上市公司,總部設于新加坡,擁有約650名員工,業(yè)務范圍已擴展至亞太區(qū)40多個城市和地區(qū),遍及新加坡、馬來西亞、泰國、越南、中國、印度、印度尼西亞、菲律賓及澳大利亞等十多個國家。世健集團在2020年的年營業(yè)額超過11億美元。1993年,世健在香港設立區(qū)域總部——世健系統(tǒng)(香港)有限公司,正式開始發(fā)展中國業(yè)務。目前,世健在中國擁有十多家分公司和辦事處,遍及中國主要大中型城市。憑借專業(yè)的研發(fā)團隊、頂尖的現(xiàn)場應用支持以及豐富的市場經(jīng)驗,世健在中國業(yè)內(nèi)享有領先地位。



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