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IGBT集電極電壓超過額定電壓會(huì)發(fā)生什么?

發(fā)布時(shí)間:2022-01-25 來源:英飛凌, 趙佳 責(zé)任編輯:wenwei

【導(dǎo)讀】我們常常被告誡:實(shí)際應(yīng)用中,IGBT集電極電壓絕對不能超過額定值,否則器件有可能被擊穿。然后有的同學(xué)并不死心:如果我只超了一點(diǎn)點(diǎn)呢,1210V就會(huì)擊穿嗎?如果只是一個(gè)非常短非常短,比如只有1us的脈沖呢?功率器件也沒那么脆弱啊對不對?


在IGBT數(shù)據(jù)手冊中,顯眼的位置都會(huì)給出最大額定電壓的定義,例如:


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FF450R12ME4中關(guān)于最大額定電壓的定義


我們常常被告誡:實(shí)際應(yīng)用中,IGBT集電極電壓絕對不能超過額定值,否則器件有可能被擊穿。


然后有的同學(xué)并不死心:如果我只超了一點(diǎn)點(diǎn)呢,1210V就會(huì)擊穿嗎?如果只是一個(gè)非常短非常短,比如只有1us的脈沖呢?功率器件也沒那么脆弱啊對不對?


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要回答這個(gè)問題,我們真的給它加上過電壓試試!


我們把1200V IGBT門極和發(fā)射極連接在一起,在集電極和發(fā)射極之間施加電壓,并且逐步增加電壓值,同時(shí)觀測漏電流。當(dāng)漏電流急劇上升時(shí),我們稱器件發(fā)生了雪崩擊穿。


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為什么會(huì)發(fā)生雪崩擊穿?


在IGBT結(jié)構(gòu)中,P阱和N襯底會(huì)形成一個(gè)PN結(jié)。集電極和發(fā)射極之間加電壓時(shí),相當(dāng)于給PN結(jié)加了一個(gè)反向電壓,PN結(jié)兩邊形成空間電荷區(qū)。當(dāng)PN結(jié)反向電壓增加時(shí),空間電荷區(qū)中的電場隨之增強(qiáng)。這樣通過空間電荷區(qū)的電子,就會(huì)在電場作用下,不斷的加速。當(dāng)電場增加到一定臨界值,自由運(yùn)行的電子獲得的速度將足以撞擊出其它原子里的電子,產(chǎn)生自由電子和空穴。而新產(chǎn)生的自由電子又會(huì)撞擊其它原子,繼續(xù)產(chǎn)生自由電子和空穴。一撞十,十撞百,百撞千,就像滾雪球一樣,IGBT內(nèi)部載流子迅速增加,流過PN結(jié)的電流也急劇增大,這種碰撞電離導(dǎo)致?lián)舸┚头Q為雪崩擊穿。


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發(fā)生雪崩擊穿后器件一定損壞嗎?


發(fā)生雪崩擊穿后器件一定損壞嗎?并不是。 功率器件都有一定的雪崩耐量。對于設(shè)計(jì)良好的IGBT來說,如果雪崩時(shí)我們能夠把電流控制在很低的水平,即雪崩能量不超該器件的臨界能量,那么雪崩擊穿是可逆的,可以反復(fù)多次測試。而且一般功率器件實(shí)際的雪崩擊穿電壓,都會(huì)比標(biāo)稱的額定電壓留有一定裕量。


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FF600R17ME4的雪崩擊穿曲線,實(shí)際擊穿電壓為2000V


好的,既然器件設(shè)計(jì)中耐壓會(huì)有一定的裕量,雪崩后器件也不一定損壞,那電壓稍微超一點(diǎn)也不用擔(dān)心了對不對!


不對!首先要明確的一點(diǎn)是,上述雪崩擊穿測試是靜態(tài)測試,即在器件未開啟,沒有導(dǎo)通電流時(shí)進(jìn)行測試,這時(shí)器件內(nèi)部只有少量的自由電子。而實(shí)際應(yīng)用中,最常出現(xiàn)過電壓的情況,是在IGBT關(guān)斷時(shí),快速變化的di/dt在回路雜散電感上產(chǎn)生感應(yīng)電壓,疊加在母線電壓上,使IGBT集電極承受比較高的電壓尖峰。


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在這個(gè)過程中,IGBT依然有很大的電流流過,器件內(nèi)部充盈著大量的電子和空穴。多余載流子變相降低了襯底的電阻率,使襯底的臨界電場遠(yuǎn)低于靜態(tài)條件下的臨界電場,也就是動(dòng)態(tài)下的雪崩擊穿電壓要遠(yuǎn)小于靜態(tài)下的雪崩擊穿電壓。這時(shí)如果集電極出現(xiàn)比較高的電壓就容易發(fā)生動(dòng)態(tài)雪崩擊穿。


好吧,那我就不開關(guān)IGBT,總可以多加點(diǎn)電壓了吧?也不是!要知道,數(shù)據(jù)手冊上給出的額定電壓,是指25℃結(jié)溫條件下,IGBT阻斷電壓不低于這個(gè)值。但I(xiàn)GBT的阻斷電壓是隨溫度的降低而降低的。25℃時(shí)額定電壓1200V的器件,在零下40℃的條件下,額定電壓可能就只有1100V了。另外海拔也是制約IGBT阻斷電壓的一個(gè)因素。海拔越高,宇宙射線引起的失效概率更高,而更高的母線電壓會(huì)加劇這種失效。所以高海拔應(yīng)用時(shí)一般要做電壓降額。


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現(xiàn)在明白了吧,好好對待你的IGBT,多給它留點(diǎn)裕量。此外還要盡量降低環(huán)路雜感電感,避免產(chǎn)生過高的電壓尖峰。如果雜感很難降低,也要加點(diǎn)保護(hù),比如有源鉗位、兩電平關(guān)斷、吸收電容。詳細(xì)內(nèi)容見后篇分解。



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