其中D == 占空比

 

對于LM2673這樣的非同步設(shè)備，在MOSFET關(guān)閉時(shí)，二極管被正向偏置。在此期間，電感電流通過輸出電容、負(fù)載和正向偏置二極管。負(fù)載電流流過二極管產(chǎn)生的功率耗散可以用公式2表示：

 

 

其中VF是選定二極管的正向電壓降。

 

除了集成MOSFET與環(huán)流二極管中的傳導(dǎo)損耗，電感器中也有傳導(dǎo)損耗，因?yàn)槊恳粋€(gè)電感器都有有限的直流電阻（DCR），即線圈中導(dǎo)線的電阻。公式3表示電感器中的功率耗散：

 

 

傳導(dǎo)損耗取決于負(fù)載電流。負(fù)載增大時(shí)，MOSFET中的傳導(dǎo)損耗會(huì)增加，而且是主要損耗因素。傳導(dǎo)損耗加上開關(guān)、驅(qū)動(dòng)和低壓差線性穩(wěn)壓器（LDO）損耗會(huì)產(chǎn)生很多的熱量，增加集成電路（IC）的結(jié)溫。增加的結(jié)溫可以用公式4表示：

 

 

其中ICTj是IC的結(jié)溫，TA是環(huán)境溫度，θJA是IC到空氣的熱阻，ICPd是IC中總功率耗散。

 

MOSFET的RDSON通常有一個(gè)溫度系數(shù)(RdsonTco)。當(dāng)IC的結(jié)溫升高時(shí)，RDSON會(huì)在溫度系數(shù)的基礎(chǔ)上超出額定值。數(shù)據(jù)表可能不含有這一參數(shù)，而TI的WEBENCH® Power Designer軟件可以提供這一信息，用以計(jì)算設(shè)計(jì)效率，讓計(jì)算結(jié)果更精確。公式5可以根據(jù)結(jié)溫調(diào)整RDSON：

 

 

其中RdsonNom是 RDSON的額定值，可以在數(shù)據(jù)表中找到。

 

RDSON的增加取決于設(shè)備的散熱性能和結(jié)溫。不正確的散熱可以導(dǎo)致RDSON的大幅增加，引起最大負(fù)載效率的大幅下降。當(dāng)IC的連接焊盤（DAP）與IC板上的焊接不正確時(shí)，就會(huì)出現(xiàn)上述情況。

 

計(jì)算損耗是一個(gè)迭代過程。在每一次迭代計(jì)算IC功率損耗時(shí)，都需要評估結(jié)溫和相應(yīng)的RDSON，以得到精確的效率結(jié)果。WEBENCH Power Designer能很好的處理這一過程；還能顯示被動(dòng)元件損耗的計(jì)算結(jié)果。了解這些損耗是非常重要的，因?yàn)檫@可以幫助選擇正確的元件和DC/DC穩(wěn)壓器，以保持良好的效率。現(xiàn)在，總傳導(dǎo)損耗可以用公式6表示：

 

 

有了上述所有損耗，公式7對其進(jìn)行加總得到總損耗：

 

 

公式8是得到的DC/DC穩(wěn)壓器設(shè)計(jì)效率：

 

 

圖1是LM2673在不同輸入電壓時(shí)的負(fù)載電流曲線對應(yīng)的整體效率?？梢宰⒁獾截?fù)載電流低時(shí)，效率會(huì)變差；從文章的第1和第2部分可以知道，這是開關(guān)損耗以及驅(qū)動(dòng)與LDO的損耗造成的。還需注意在最大負(fù)載電流時(shí)，輸入電壓 (VIN)越高效率越低，這是因?yàn)殡妷涸礁唛_關(guān)損耗就越高。負(fù)載電流在1A以上時(shí)，低VIN效率會(huì)相對較高，因?yàn)殚_關(guān)損耗降低。

 

圖1：LM2673效率

 

至此，我的關(guān)于數(shù)據(jù)表中效率的三篇博客文章就全部結(jié)束了?，F(xiàn)在，你應(yīng)當(dāng)能夠理解DC/DC穩(wěn)壓器設(shè)計(jì)中不同元件的損耗。根據(jù)你的應(yīng)用需求，你現(xiàn)在可以清楚地確定何時(shí)選擇DC/DC穩(wěn)壓器及其開關(guān)頻率、散熱電路板空間，以及何時(shí)選擇二極管和電感器等被動(dòng)元件。選擇一個(gè)易電源DC/DC穩(wěn)壓器，在WEBENCH Power Designer中開始進(jìn)行設(shè)計(jì)吧。

 

 

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