【導讀】由于便攜式終端設(shè)備受到體積的限制,不能簡單地通過不斷增加單節(jié)鋰電池容量來延長待機時間,因此主電池+備電池的雙電池供電方案不啻成為延長待機時間的優(yōu)選方案。本文介紹了基于充電管理芯片bq24161以及ORing控制芯片TPS2419的雙電池供電方案的設(shè)計。
文中分析了雙電池供電方案的設(shè)計要求,給出了設(shè)計框圖以及原理圖,在此基礎(chǔ)上分析了充電管理電路、ORing電路的具體設(shè)計方法,并且詳細分析了各部分電路的工作原理。基于所設(shè)計的電路,對其供電可靠性等性能指標進行了測試。測試內(nèi)容包括在靜態(tài)負載電流以及動態(tài)負載電流條件下,備電插入、拔出過程中對系統(tǒng)供電可靠性的測試。測試結(jié)果表明:該方案能夠在備電插入、拔出過程中保證系統(tǒng)供電的可靠性,并且能夠?qū)Τ潆姽芾黼娐愤M行靈活管理,是一個適合于多種終端設(shè)備的雙電池供電解決方案。
1 概述
當今智能手機、便攜式路由器等便攜式終端產(chǎn)品正朝著體積更小、厚度更薄以及重量更輕的趨勢發(fā)展。但是隨著便攜式終端產(chǎn)品處理能力的不斷提升以及功能的不斷豐富,其功耗卻越來越大。在電池技術(shù)沒有得到突破之前,主電池+備電池的雙電池解決方案就成為延長待機時間較好的方案。主電池設(shè)計在機殼內(nèi)部,處于常在的狀態(tài),備電設(shè)計在機殼外部,可以隨意拔插?;谥麟姵?備電池的結(jié)構(gòu)特點,雙電供電方案的設(shè)計要求主要包括以下兩個方面:
1) 備電池在拔插過程中要保證系統(tǒng)供電的可靠性;
2) 備電池通路與主電池通路之間不會相互影響;
3) 對主電池以及備電池可以進行靈活的充電管理。
圖1給出了基于bq24161+TPS2419的雙電池供電方案的設(shè)計框圖。主電池與備電池的充電管理分別由兩片充電管理芯片bq24161進行單獨控制。bq24161是高集成度的帶有動態(tài)路徑管理功能(DPPM)的單節(jié)鋰電池充電管理芯片。主處理器與bq24161通過總線進行通信,實現(xiàn)對主電池以及備電池的充電管理,其中包括對充電電流、充電電壓、狀態(tài)監(jiān)測與控制等功能的靈活控制。
TPS2419是適用于N+1供電系統(tǒng)的ORing電路控制器,它與低導通電阻N溝道MOSFET配合使用,在獲得MOSFET高效性能的同時,也提供了ORing二極管反向電流保護功能。TPS2419通過對電源電壓以及系統(tǒng)電壓的檢測來打開或者關(guān)斷對應通路MOSFET。一方面TPS2419及時打開MOSFET可以保證電源對系統(tǒng)供電的及時性和可靠性,另外一方面TPS2419迅速關(guān)斷MOSFET可以防止及減小系統(tǒng)電壓到輸入端電源的反灌電流。ORing電路冗余設(shè)計的特性保證了主電池與備電池電源通路互為備用的同時,也保證了備電插拔過程中系統(tǒng)電壓的安全性及可靠性。
2 電路設(shè)計方法分析
2.1 電路設(shè)計原理圖
電路原理圖中U1、U2是充電管理芯片bq24161,分別實現(xiàn)對主電池以及備電池的充電管理功能。U3、U4是ORing控制器TPS2419,實現(xiàn)主電池電源通路與備電池電源通路互為備用的雙電源供電結(jié)構(gòu)。
充電管理芯片bq24161具有適配器檢測的功能,可以檢測到適配器的插入或者拔出。當插入電源適配器或者USB充電線后,bq24161會有相應的標志寄存器置位,由于默認配置下IN輸入通道相對于USB輸入通道享有更高的優(yōu)先級,因此電流會從IN輸入通道提供。Host可以通過I2C接口讀取U1、U2充電管理芯片內(nèi)部寄存器的信息,并且通過I2C接口實現(xiàn)對主電、備電充電管理的靈活控制。在使能充電之前需要配置的參數(shù)包括充電電壓、充電電流、充電終止電流、輸入限流、VIN-DPM的門檻值等。
Host主機根據(jù)具體的需求控制U1、U2充電使能或終止,可以同時使能主電、備電的充電,也可以控制主電、備電的充電優(yōu)先級。當同時使能主電、備電的充電,如果適配器的輸入電流能力能夠同時滿足主電、備電充電的需求,那么U1、U2可以按照配置的充電電流給主電、備電同時充電。如果電源適配器的電流不能同時滿足充電的需求,bq24161的VIN-DPM功能就會被激活,會自動減小輸入限流點以保證輸入電壓穩(wěn)定在所設(shè)置的VIN-DPM的門檻電壓,內(nèi)部寄存器DPM_STATUS位也會置位,此時主、備電的充電電流都不能達到設(shè)定的值,此時Host主機可以控制主電、備電的優(yōu)先級,比如關(guān)斷備電充電讓主電先充電,主電充電完成后備電再開始充電。
U3、U4是ORing控制器TPS2419,實現(xiàn)主電與備電互為備用的雙電源供電結(jié)構(gòu)。當備電作為系統(tǒng)供電電源時,在備電突然拔出的條件下,U3能夠迅速打開主電通路以保證系統(tǒng)電壓的可靠性。當電壓較高的備電突然插入時,U4會打開備電源通路,由備電提供系統(tǒng)供電。
2.2 充電管理電路設(shè)計
bq24161是高度集成的開關(guān)型高效率單節(jié)鋰離子電池充電管理芯片,支持IN和USB雙通道輸入,最大充電電流可以達到2.5A。bq24161具有基于輸入電壓的動態(tài)功率管理功能(Vin-DPM)和動態(tài)功率路徑管理功能(DPPM)。其中VIN-DPM功能可以在充電器無法完全提供系統(tǒng)及充電電流能力的情況下,自動調(diào)整減小輸入電流門限值,使輸入端口電壓維持在一定的門檻值,防止適配器(或USB電源)當機,另外Vin-DPM的門檻值可以靈活地進行編程設(shè)置。因此,bq24161可與具有不同電流能力的適配器(USB電源)配合使用。
在DPPM功能中,若SYS電壓由于負載原因跌落到最小系統(tǒng)電壓(VMINSYS),bq24161會自動減小充電電流,以滿足系統(tǒng)的供電需求。如果充電電流減小停止充電后都滿足不了系統(tǒng)的供電需求,bq24161會立即進入補電模式,即電池向系統(tǒng)放電來滿足系統(tǒng)負載的需求,從而保證系統(tǒng)電壓的可靠性以及系統(tǒng)正常工作。因此,bq24161能夠在保證系統(tǒng)供電可靠性的條件下,實現(xiàn)對電池的靈活充電管理,并且能夠在電池過放或者電池不在位的條件下保證系統(tǒng)的正常供電。
充電管理電路部分的線路設(shè)計主要包括U1和U2。U1實現(xiàn)對主電池的充電管理,U2實現(xiàn)對備電池的充電管理,兩者充電管理部分設(shè)計參數(shù)基本相同,因此這里只對主電池管理電路即U1電路部分進行討論。
當前市場上的終端產(chǎn)品大多對外只設(shè)一個接口兼容USB和適配器電源輸入。因此本文設(shè)計中IN和USB輸入端口是連接在一起的,主處理器可以通過內(nèi)部寄存器來設(shè)置兩個電源輸入通道的優(yōu)先級來分別滿足適配器充電以及USB充電的需求。由于bq24161工作模式為開關(guān)型,因此需要在IN端口以及USB端口分別就近連接1uF的輸入電容到地作旁路濾波作用。
對于功率電感的設(shè)計,bq24161推薦的功率電感的選擇范圍為1.5uH~2.2uH,為了盡量地減小紋波電流、提高效率,本設(shè)計選取2.2uH的電感,其峰值電流計算如下:
取VINMAX=10V,VOUT=4.2V,ILOAD(MAX)=2.5A計算峰值電流IPEAK=2.87A,因此選擇TDK LTF5022T-2R2N3R2電感,其直流電流可以達到3.2A。
bq24161采用的是內(nèi)部補償方式,為了保證其工作穩(wěn)定性,要求輸出電容在10uF~200uF之間,本設(shè)計中選取10uF的陶瓷電容作為輸出電容。為了盡量減小開關(guān)過程中高頻電流環(huán)路的面積,需要在PMIDI以及PMIDU引腳分別放置4.7uF的陶瓷電容。另外SYS引腳以及BAT引腳對地也需要放置1uF的陶瓷電容。另外如果設(shè)計場合對動態(tài)響應有要求,那么建議在SYS端對地增加容值至少為47uF的旁路電容,以提高充電管理電路動態(tài)性能。
主處理器通過總線與bq24161之間進行通信,實現(xiàn)對相關(guān)控制寄存器及狀態(tài)寄存器的配置和讀取。STAT引腳是一個開漏極輸出口,可以用來對bq24161的工作狀態(tài)進行顯示,設(shè)計中可以用來驅(qū)動LED燈來顯示不同的工作狀態(tài),或者可以連接到主處理器的GPIO口以供主處理器直接讀取。INT引腳也是一個開漏極輸出口,可以與主處理器的外部觸發(fā)中斷相連,當報警發(fā)生時可以觸發(fā)主處理器的中斷,主處理器可以及時進行相應的報警處理。另外CD引腳是硬件關(guān)斷控制,當為“高”時bq24161會設(shè)置在高阻抗模式下,主處理器可以根據(jù)需要對CD引腳進行靈活控制。
BGATE引腳是用來提供PMOSFET Q1的驅(qū)動信號,Q1是可選擇性設(shè)計,主要目的是為了在電池放電條件下優(yōu)化放電通路的性能。Q1與bq24161內(nèi)部的放電MOSFET并聯(lián)使用,并聯(lián)后的導通阻抗更小,這樣就可以減小放電MOSFET上的損耗,從而提高效率,延長產(chǎn)品的續(xù)航時間。
本設(shè)計中,備電的充電管理電路硬件設(shè)計與主電相同,因此可以參考主電的設(shè)計方法進行設(shè)計。
2.3 ORing電路設(shè)計
ORing電路是通過兩片TPS2419來實現(xiàn)的,TPS2419是適用于N+1供電系統(tǒng)的ORing電路控制器,其精確的電壓檢測和可編程的關(guān)斷門限可以充分保證系統(tǒng)供電的靈活性和可靠性。其中A、C引腳為電壓檢測輸入引腳,分別連接N-MOSFET的源極和漏極,當母線電壓VC低于供電電壓VA,并且滿足V(A-C)>65mV時,TPS2419會迅速打開外部的N-MOSFET管。當母線電壓VC接近或者大于VA供電電壓時,TPS2419會迅速關(guān)斷外部的N-MOSFET,切斷母線電壓VC與供電電壓VA的通路。TPS2419的關(guān)斷門檻電壓差V(A-C)可以由RSET引腳電阻設(shè)置,默認典型值為3mV(RSET懸空)。
下面在備電突然插入或者拔出的情況下,針對不同的條件對TPS2419ORing電路的工作原理進行分析,圖3是備電插入、拔出系統(tǒng)供電流程圖。
1) 當主電池給系統(tǒng)供電時,插入備電,如果備電電壓滿足VBAT2_SYS-VSYS>65mV,那么備電的TPS2419會打開外部的MOSFET,備電給系統(tǒng)供電,VSYS=VBAT2_SYS-Vdrop2,其中Vdrop2是MOSFET上的導通壓降。對于主電的通路來說,如果此時VBAT1_SYS-VSYS滿足關(guān)斷條件,那么主電池通路的MOSFET會關(guān)斷,由備電給系統(tǒng)供電,關(guān)斷過程中VSYS電壓保持穩(wěn)定,能夠保證系統(tǒng)供電的可靠性。如果VBAT1_SYS-VSYS不滿足關(guān)斷條件,那么主電的通路的MOSFET仍然導通,此時主電備電的同時給系統(tǒng)供電。
2) 當主電池給系統(tǒng)供電時,拔出備電,因為此時備電通路MOSFET沒有打開,拔出備電對VSYS沒有任何影響,VSYS仍然由主電來提供。
3) 當備電給系統(tǒng)供電時,拔出備電。在拔出備電的過程中VSYS電壓會有下降的趨勢,當VSYS電壓跌落到主電通路VBAT1_SYS-VSYS>65mV的導通門檻時,主電回路的TPS2419會迅速打開MOSFET,VSYS電流由主電池來提供,由于TPS2419能夠迅速打開,因此在整個切換過程中能夠保證VSYS供電的可靠性。
綜合以上幾種條件下分析,表明本文中TPS2419設(shè)計實現(xiàn)的ORing電路在備電突然插入或者拔出的情況下,能夠完全保證系統(tǒng)供電的可靠性。
下面先來分析討論一下主電通路TPS2419電路的設(shè)計,如圖4所示。
TPS2419的A、C引腳電壓檢測輸入引腳,用來檢測外部MOSFET上的壓降,分別連接MOSFET的源極和漏極,分別連接470nF的去耦電容。對于MOSFET的選擇要考慮電壓等級、Rdson、尺寸、驅(qū)動電壓等級以及成本等因素。本設(shè)計中采用CSD16412Q5A型N-MOSFET,其VDS電壓等級為25V,RDS(on)只有13mΩ。為了最大程度減小對TPS2419內(nèi)部電源的干擾,BYP引腳需要連接一個2.2nF的去耦電容。GATE引腳提供外部MOSFET的柵極驅(qū)動信號,其強健的驅(qū)動能力可以使得TPS2419在100-200ns的時間里迅速的關(guān)斷外部MOSFET,為了防止過快的電流變化對電路的影響,需要GATE引腳與MOSFET的柵極之間串聯(lián)一個10Ω~200Ω的電阻,本設(shè)計中選取30Ω電阻R13。RSET引腳是用力設(shè)置MOSFET的關(guān)斷門檻,如下式:
負的關(guān)斷門檻可以防止由于總線上噪聲引起的誤關(guān)斷動作,但也會造成大的反向電流;正的關(guān)斷門檻可以防止或減小反向電流,但是對噪聲的敏感度高,易在輕載時不斷關(guān)斷、重起。由于本設(shè)計是針對電池的應用,輸入電源噪聲很小,另外負載電流不太大,為了盡量防止反向電流引起的電池之間互充,可以設(shè)置關(guān)斷門檻為0mV,因此取
EN引腳為TPS2419的使能控制,為了最大限度的減小系統(tǒng)待機時候的靜態(tài)電流,當系統(tǒng)處于待機條件下OREN1信號拉低,TPS2419處于不使能狀態(tài),靜態(tài)電流可以維持在最小,此時系統(tǒng)的供電經(jīng)過肖特基二極管D2來提供。
圖5是備電通路TPS2419電路的設(shè)計。
備電池通路與主電池通路TPS2419電路設(shè)計基本相同,只是MOSFET管的設(shè)計稍有區(qū)別。對于相同部分的電流這里不再贅述,只對MOSFET部分進行分析討論。如果在應用中需要關(guān)斷備電池的放電,如果選用單MOSFET的設(shè)計,當OREN2設(shè)置TPS2419處于不使能狀態(tài)時,如果備電池電壓高于VSYS時,電流就會從外部MOSFET的體二極管流向VSYS,從而不能斷開備電的放電,因此這里需要采用對管的結(jié)構(gòu),這樣就可以完全切斷備電放電的通路。
2.4 實驗結(jié)果分析
測試電路在靜態(tài)負載以及動態(tài)負載不同負載條件下,系統(tǒng)供電電壓VSYS的穩(wěn)定性以及VBAT1_SYS與VBAT2_SYS之間是否相互影響:
1) 備電不在位,主電提供系統(tǒng)電壓VSYS,VBAT1_SYS>VBAT2_SYS條件下插入備電。過程中不存在主電、備電切換供電過程,測試VSYS電壓的穩(wěn)定性以及備電對主電通路的影響;
2) 備電不在位,主電提供系統(tǒng)電壓VSYS,VBAT1_SYS<="" p="">
3) 備電在位,主電提供系統(tǒng)電壓VSYS,VBAT1_SYS>VBAT2_SYS,拔出備電。過程中不存在主電、備電切換供電過程,測試VSYS的穩(wěn)定性以及備電對主電通路的影響;
4) 備電在位,備電提供系統(tǒng)電壓VSYS,VBAT1_SYS<="" p="">
下面分為靜態(tài)負載電流以及動態(tài)負載電流兩種情況,在不同工作條件下測試系統(tǒng)電壓VSYS的穩(wěn)定性以及VBAT1_SYS與VBAT2_SYS之間是否相互影響,其中:CH1-VSYS,CH2-VBAT1_SYS,CH3-VBAT2_SYS,CH4-ISYS。
1) 持續(xù)負載電流條件下測試
測試方法:VSYS系統(tǒng)供電端上加恒定3A靜態(tài)電流負載,在主電、備電供電條件下,測試備電插入、拔出過程中VSYS電壓的穩(wěn)定性和穩(wěn)定性。
測試結(jié)果表明:在靜態(tài)電流負載條件下,備電的插入、拔出能夠保證系統(tǒng)電壓VSYS電壓的穩(wěn)定性以及供電的可靠性,另外備電的插入、拔出不會對主電電源產(chǎn)生影響。
2) 動態(tài)負載電流條件下測試
VSYS提供功率放大電路電源,功放工作在最大功率發(fā)射條件下,動態(tài)負載電流在0~3A之間持續(xù)變化,高低電流的持續(xù)時間均為500us,電流變化率為1A/us。測試備電插入、拔出過程中VSYS供電的可靠性。
測試結(jié)果表明:在動態(tài)電流負載條件下,備電的插入、拔出能夠保證系統(tǒng)電壓VSYS電壓的穩(wěn)定性以及供電的可靠性,另外備電的插入、拔出不會對主電電源產(chǎn)生影響。
3 總結(jié)
本文主要分析了基于bq24161+TPS2419的雙電池供電方案的設(shè)計方法,并且針對不同的應用場景進行了測試分析,測試結(jié)果表明該方案能夠滿足雙電池供電系統(tǒng)的要求,能夠應用于智能手機、WIFI Router等多種便攜式終端產(chǎn)品。
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