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安森美半導體與Transphorm合作推出600 V GaN 晶體管,用于緊湊型電源及適配器

發(fā)布時間:2015-03-17 責任編輯:susan

【導讀】2015年3月17日,安森美半導體宣布,與功率轉(zhuǎn)換器專家Transphorm建立雙方合作關(guān)系,為使基于氮化鎵(GaN)電源方案進入市場,聯(lián)名推出NTP8G202N (TPH3202PS)和NTP8G206N (TPH3206PS) 600 V GaN共源共柵(cascade)晶體管和使用這些器件的240 W參考設(shè)計。
 
兩款新品NTP8G202N和NTP8G206N,導通阻抗典型值為150 mΩ和290 mΩ,采用優(yōu)化的TO-220封裝,易于根據(jù)客戶現(xiàn)有的制板能力而集成。兩款600 V產(chǎn)品均已使用JEDEC標準認證并在量產(chǎn)。 
 
NCP1397GANGEVB (TDPS250E2D2)評估板為客戶提供完整的參考設(shè)計,以實現(xiàn)和評估他們的電源設(shè)計中的GaN共源共柵晶體管。該評估板為客戶提供比使用傳統(tǒng)器件的電源更小的占位面積和更高的能效。升壓段提供98%的能效并采用NCP1654功率因數(shù)校正控制器。LLC DC-DC段使用NCP1397諧振模式控制器提供97%的滿載能效。這性能在以200+ 千赫茲(kHz)運行時實現(xiàn),而且顯然也能滿足EN55022的B類電磁兼容(EMC)性能。完整的文檔請從安森美半導體網(wǎng)站獲取。
 
安森美半導體電源分立分部副總裁兼總經(jīng)理Paul Leonard說:“GaN晶體管為開關(guān)電源和其它在能效及功率密度至關(guān)重要的應(yīng)用帶來了性能飛躍。隨著更多工程師熟悉氮化鎵器件的優(yōu)勢,基于GaN的產(chǎn)品需求將快速增長。安森美半導體和Transphorm正工作于新的發(fā)展前沿,并加速市場的廣泛采納。”
 
蒞臨安森美半導體在2015 APEC的 407展臺(Transphorm – 1317展臺)觀看關(guān)于GaN器件以及新的電流模式LLC電源和汽車電機驅(qū)動器的演示。
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