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一種基于電容的全隔離直流電源傳輸電路

發(fā)布時間:2013-01-09 責任編輯:Lynnjiao

【導讀】本文介紹了一種基于電容的電磁干擾全隔離直流傳輸電路。電容擁有的電荷存儲特性以及MOS管和光電耦合器的運用,使得該電路可以將輸出端與來自輸入端的電磁干擾完全隔離,從而有效地抑制了來自電源的傳導干擾,可以廣泛地使用在電磁環(huán)境惡劣的電源電路中。

本文提出了一種基于電容的全隔離直流電源傳輸電路,它依靠幾組電容存儲電荷來實現傳輸電能。由于電路輸入、輸出端不存在電磁耦合通路,電路實現了完全的電磁隔離。
 
高性能的電子電路要求高度潔凈的電源。然而目前在供電線路上的各種電器設備會產生許多高次諧波,對供電質量造成影響。開關型穩(wěn)壓電源以及DC-DC變換器都在輸入回路中采用開關管作為斬斷電流的器件。高頻變壓器把脈動的電流信號由初級回路傳輸到次級回路,再通過采樣反饋到初級,實現穩(wěn)壓調節(jié)。在典型的電源電路中[1][2][3],盡管輸入端與輸出端不共地,但高頻變壓器作為電磁耦合通道,其傳遞函數有一定的頻率選擇性。輸入端電源窄脈沖干擾含有十分豐富的頻率分量,會耦合到輸出端,使電源的供電質量下降,存在使微機程序跑飛的可能性。

電路總體結構
  
本直流傳輸電路的系統(tǒng)框圖如圖1所示。

直流傳輸電路系統(tǒng)框圖
圖1:直流傳輸電路系統(tǒng)框圖 

圖1中A是MOS管的陣列,B是電容的陣列,C是光電耦合器的陣列,D是穩(wěn)壓電路,E是電壓比較器,F是單片機。
  
光電耦合器控制MOS管的導通與斷開,從而控制電容的工作狀態(tài)。而光電耦合器的控制信號來自單片機。單片機的觸發(fā)信號來自穩(wěn)壓電路與電壓比較器組成的判決電路。
  
穩(wěn)壓電路將輸出電壓穩(wěn)定為固定值,分壓后作為閾值電壓Vth。電壓比較器將輸出電壓Vout 與閾值電壓Vth 比較,若Vout 小于Vth ,觸發(fā)單片機。單片機收到觸發(fā)信號后,控制光電耦合器的導通與斷開,從而控制MOS管的導通與斷開,改變電容的工作狀態(tài)。

供電及電磁隔離的原理
  
為了利用電容給負載供電并且同時保證負載兩端電壓的穩(wěn)定,采用多個電容是理想的解決方法。可以將多個電容分為兩組,在同一時刻,保證有一組電容給負載供電而另外一組接受外部電源的充電。在單片機控制下的MOS管實現輸入輸出間的電磁隔離。
  
圖2表示電容、MOS管、光電耦合器的連接圖,即圖1中的A、B、C的連接。

電容、MOS管、光電耦合器的連接圖
圖2:電容、MOS管、光電耦合器的連接圖

其中#1、#2、#3、#4接單片機的四個輸出端口。
當#1為高電平,#2為低電平時,輸入端的兩個MOS管導通,電容處于充電狀態(tài)。
當#1為低電平,#2為高電平時,輸出端的兩個MOS管導通,電容處于給負載供電狀態(tài)。
當#1為低電平,#2為低電平時,輸入端和輸出端的MOS管關斷,電容處于懸空狀態(tài)。
而#1、#2都為高電平的情況是不允許的,這相當于把輸入端與輸出端連接起來,輸入端的電磁干擾就會傳遞到輸出端。在單片機編程時可以避免這種情況。
#3、#4的情況同#1、#2。
  
如圖1和圖2所示,電路輸入端與輸出端采用不同的“地”,避免電磁干擾通過共接的“地”傳遞到輸出端。
  
下面對兩組電容工作的時序進行詳細的分析。以四個電容為例,分兩組,每組兩個電容。
  
圖3體現了本電路在時序上的兩個特點。第一,在同一組電容中,充電與供電狀態(tài)之間存在一個懸空狀態(tài),即電容與輸入、輸出端都斷開,從而使輸入、輸出端之間不可能存在電磁耦合通路。第二,兩組電容輪流供電時,有一段共同供電的時間,保證在任意時刻都有電容給負載供電,從而避免了兩組電容同時切換帶來的輸出電壓的突變,提高了輸出電壓的穩(wěn)定性。

兩組電容的工作時序
圖3:兩組電容的工作時序 

圖4表示了與圖3對應的兩組電容的電壓變化。

兩組電容的電壓隨時間變化圖
圖4:兩組電容的電壓隨時間變化圖

單片機編程流程
  
圖5中,“1H,2L,3H,4L”表示控制端口1為高電平,2為低電平,3為高電平,4為低電平。其它依此類推?! ?/p>

單片機編程流程
圖5:單片機編程流程

單片機按照圖3工作。在單片機編程時,用到三個延時:充電延時t1 ,、懸空延時t2 ,和供電延時 t5。

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