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前沿調(diào)制通過減少IC中的高頻RMS電流來提高電源性能

發(fā)布時間:2013-01-01 責(zé)任編輯:Lynnjiao

【導(dǎo)讀】為了消除給離線功率轉(zhuǎn)換器添加PFC前端級所產(chǎn)生的損耗,一些設(shè)計人員使用了各種各樣的PFC拓?fù)浣Y(jié)構(gòu),例如:可降低開關(guān)損耗的PFC升壓跟隨器和/或能夠減少傳導(dǎo)損耗的交錯式PFC。

一般,我們需要使用一個雙級功率系統(tǒng)的電源,來滿足80+計劃功率因數(shù)要求和EN61000-3-2諧波電流要求,其具體如下:

1.一個功率因數(shù)校正(PFC)升壓預(yù)穩(wěn)壓器(第1級),用于整形輸入電流和提供高功率因數(shù)。
2.由于PFC升壓電壓非常高,因此要求一個次級(第2級)將這種高升壓電壓調(diào)低至可用輸出電平。

這種方法存在的主要問題是,在功率轉(zhuǎn)換器前端添加一個次級,降低了電源的效率。這讓其很難達(dá)到80+電源計劃的高效率要求。

降低損耗的另一種方法是,設(shè)計一個使用前沿脈寬調(diào)制(PWM)的主級(第1級)和使用傳統(tǒng)后沿調(diào)制的次級(第2級)。本文將為您介紹什么是前沿調(diào)制,以及它是如何通過減少升壓電容器(IC)中的高頻RMS電流來提高效率的。

后沿與前沿脈寬調(diào)制

后沿脈寬調(diào)制比較器通過對比鋸齒電壓波形(OSC)和誤差電壓(ERR)來控制功率轉(zhuǎn)換器占空比(D)。一般,誤差電壓由一個反饋運算放大器控制。在后沿脈寬調(diào)制中,OSC引腳被饋送給脈寬調(diào)制比較器的負(fù)輸入,而誤差電壓則饋送至脈寬調(diào)制比較器的非反相輸入。脈寬調(diào)制比較器的輸出用于控制功率轉(zhuǎn)換器(QA)的FET柵極。該柵極驅(qū)動導(dǎo)通信號與OSC信號波谷同步。在這種配置結(jié)構(gòu)中,F(xiàn)ET柵極驅(qū)動的后沿經(jīng)過調(diào)制,以達(dá)到功率轉(zhuǎn)換器占空比(D)。該后沿為FET關(guān)斷時(請參見圖1)。

使用功率因數(shù)校正的雙級離線功率轉(zhuǎn)換器
圖1:使用功率因數(shù)校正的雙級離線功率轉(zhuǎn)換器

請注意,在脈寬調(diào)制控制器中,在每個脈寬調(diào)制周期之前添加一個人為停滯時間,其在每個脈寬調(diào)制周期開始以前關(guān)閉功率級開關(guān)。必須使用停滯時間來防止出現(xiàn)100%占空比,從而防止出現(xiàn)磁飽和。需要注意的是,為了簡便起見,圖1并未顯示停滯時間。

前沿調(diào)制脈寬調(diào)制稍微不同于后沿調(diào)制。OSC信號饋送至非反相脈寬調(diào)制比較器輸入,而誤差電壓則饋送給反相引腳。FET (QB)關(guān)閉與OSC峰值電壓和前沿同步,當(dāng)FET導(dǎo)通時對前沿進(jìn)行調(diào)制以達(dá)到占空比(請參見圖2)。

后沿與前沿PWM
圖2:后沿與前沿PWM

前后沿調(diào)制一起使用的好處

首先,我們來看使用后沿調(diào)制控制圖1所示功率級Q1和Q2時PFC升壓電容器電流(IC)。請注意,我們將PFC控制電壓(ERR1)與振蕩器斜率(OSC)進(jìn)行比較,以控制PFC FET(Q1)的導(dǎo)通和關(guān)斷時間。另外,DC/DC轉(zhuǎn)換器(第2級)控制電壓(ERR2)與振蕩器斜線比較,以控制FET Q2的導(dǎo)通和關(guān)斷時間。

在振蕩器運行初期正常工作情況下,兩個FET同時導(dǎo)通(t1,案例A)。在這段時間內(nèi),PFC升壓電容器(CBOOST)必須對進(jìn)入第2個功率級的所有電流(IT1)提供支持。在這種配置結(jié)構(gòu)中,在FET開關(guān)期間,有一段時間FET Q1導(dǎo)通而Q2為關(guān)斷,這時PFC升壓電感(L1)通電,而功率級2的初級線圈不要求任何電流。這時,沒有電流(IC)進(jìn)入升壓電容器。所有電感電流均流經(jīng)晶體管Q1。

同樣,有一段時間兩個FET Q1和Q2均為關(guān)斷。這時,CBOOST傳導(dǎo)所有升壓電感電流,其流經(jīng)二極管D1(ID1)。請注意,圖3為一張隨意照下來的圖片。正常工作情況下,第1級的占空比隨線壓而變化,以保持PFC升壓電壓。功率級2的占空比在正常工作時保持恒定不變,因為輸入/輸出電壓為固定。

其次,我們通過控制前沿調(diào)制控制的FET Q1和后沿調(diào)制的FET Q2,研究其對于升壓電容器電流(IC)的影響(圖3“案例B”)。在這種評估過程中,F(xiàn)ET Q1和Q2的導(dǎo)通時間和占空比與“案例A”情況相同。

在這種配置結(jié)構(gòu)中,F(xiàn)ET Q2在振蕩器谷底導(dǎo)通,并根據(jù)PWM比較器電壓水平關(guān)斷。FET Q1根據(jù)前沿PWM比較器導(dǎo)通,并在振蕩器峰值時關(guān)斷。相比使用前沿調(diào)制的兩個功率級,利用前沿/后沿PWM調(diào)制組合法錯開安排FET的首次導(dǎo)通,可以縮短FET Q1和Q2同時導(dǎo)通的時間(t1,“案例B”)。

與“案例A”情況類似,有一段時間(t2)Q1導(dǎo)通而Q2關(guān)斷,并且沒有電流進(jìn)出升壓電容器(IC)。同樣,有一段時間(t3,“案例B”)兩個FET均關(guān)斷,并且需要通過CBOOST吸收ID1.在“案例B”中,有一段時間FET Q2導(dǎo)通而Q1關(guān)斷。這時,進(jìn)入升壓電容器的電流為ID1,其小于IT1(t4,“案例B”)。

相比兩個功率級都使用后沿調(diào)制控制,這種使用前沿/后沿調(diào)制控制的方法,可以減少FET QA和QB同時導(dǎo)通的時間。它帶來更低的升壓電容器RMS電流(IC)。

相比控制使用后沿調(diào)制的兩個功率級,這種配置結(jié)構(gòu)中使用的前沿/后沿調(diào)制,升壓電容器(IC) RMS電流減少30%。

升壓電容器中RMS電流的減少,可以降低升壓電容器ESR損耗,從而提高整體系統(tǒng)效率。

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