- ST鞏固在能效功率控制市場的領導地位
- 是節(jié)能技術領域的一次巨大飛躍
- 減少封裝尺寸,降低材料(BOM)成本
橫跨多重電子應用領域、全球領先的半導體供應商意法半導體(STMicroelectronics,簡稱ST;紐約證券交易所代碼:STM)推出打破高壓功率MOSFET晶體管世界記錄的MDmesh V功率MOSFET晶體管。MDmesh V系列已是市場上性能最高的功率MOSFET晶體管,擁有最低的單位面積通態(tài)電阻,在650V額定電壓應用中可實現(xiàn)最高的能效和功率密度;現(xiàn)在新產品的推出又將重要的能效指標提高23%以上,對于以熱量形式損耗電能的系統(tǒng)功率轉換電路,如電子照明控制器、消費電子電源和太陽能光電轉換器,新產品的成功推出在節(jié)能技術領域是一次巨大飛躍。
意法半導體功率晶體管市場總監(jiān)Maurizio Giudice表示:“新記錄突顯并鞏固了意法半導體在超結型MOSFET市場的領導地位,MDmesh V體現(xiàn)了意法半導體最新的經過市場檢驗的Multi-Drain Mesh技術,新產品的性能提升讓客戶能夠降低應用設計能耗,同時強化了意法半導體關于提供對環(huán)境負責的產品同時通過設計研發(fā)創(chuàng)新產品為客戶提供卓越性能的承諾。”
新產品STW88N65M5 MDmesh V MOSFET的通態(tài)電阻僅為 0.029Ω,是標準TO-247封裝650V市場上通態(tài)電阻最低的產品,打破了同樣是MDmesh V器件創(chuàng)造的0.038 Ω的原行業(yè)基準。設計工程師可直接將新產品替代通態(tài)電阻較高的MOSFET來提高終端應用的能效,或并聯(lián)更少的MOSFET晶體管,從而減少封裝尺寸,降低材料(BOM)成本。
相較于同類600V競爭產品,意法半導體的650V STW88N65M5及其余的 MDmesh V產品的安全邊際更高,從而提高MOSFET對交流電力線上常見電涌的承受能力。
意法半導體經過市場檢驗的MDmesh V產品采用多種類型的封裝,包括Max247、TO-247、D2PAK、TO-220/FP、PowerFLAT 8x8 HV以及I2PAK。TO-247封裝的STW88N65M5現(xiàn)已上市。