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DMP1245UFCL:Diodes推出微型12V P通道強(qiáng)化型MOSFET用于智能手機(jī)

發(fā)布時(shí)間:2011-11-29 來(lái)源:Diodes公司

產(chǎn)品特性:

  • 超精密及高熱
  • 效率的DFN1616封裝
  • 極低的導(dǎo)通電阻 (RDS(on)) 特性
  • 提供防靜電放電 (ESD) 的增強(qiáng)保護(hù)

應(yīng)用范圍:

  • 智能手機(jī)、平板計(jì)算機(jī)等


Diodes公司推出微型12V P通道強(qiáng)化型MOSFET——DMP1245UFCL,有助提升電池效率及減少電路板空間,并滿足空間局限的便攜式產(chǎn)品設(shè)計(jì)要求,如智能手機(jī)及平板計(jì)算機(jī)等。

這款新MOSFET采用超精密及高熱效率的DFN1616封裝,并具有極低的導(dǎo)通電阻 (RDS(on)) 特性,能將傳導(dǎo)損耗降至最低水平,從而延長(zhǎng)電池壽命。例如在VGS為4.5V的條件下,該MOSFET的導(dǎo)通電阻僅為29mΩ,這比其最接近的競(jìng)爭(zhēng)對(duì)手產(chǎn)品的導(dǎo)通電阻性能還要優(yōu)越15%,有利于電源中斷及一般負(fù)載開(kāi)關(guān)的應(yīng)用。

DFN1616的標(biāo)準(zhǔn)離板剖面為0.5毫米,比其對(duì)手的產(chǎn)品薄20%,并只占2.56平方毫米的印刷電路板面積 (PCB),比競(jìng)爭(zhēng)對(duì)手同類型2毫米乘2毫米的較大封裝節(jié)省55%的空間。

同時(shí),DMP1245UFCL為用戶提供防靜電放電 (ESD) 的增強(qiáng)保護(hù)。該MOSFET的額定閘極保護(hù)為3kV,比同類產(chǎn)品高出50%,因此對(duì)人為產(chǎn)生的靜電放電所造成的影響有很強(qiáng)的抵御作用。

 

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