產(chǎn)品特性：

• 電壓范圍從40V至200V
• 符合AEC-Q101標準，材料環(huán)保不含鉛
• 在5000次溫度循環(huán)時的最大導通電阻變化不到10%

應用范圍：

• 電動助力轉向系統(tǒng)、集成式起動發(fā)電機泵和電機控制
• 內(nèi)燃機和混合動力汽車平臺上的其它重載應用

IR近日推出車用MOSFET系列，可為一系列應用提供基準導通電阻(Rds(on)) ，包括電動助力轉向系統(tǒng) (EPS) 、集成式起動發(fā)電機(ISA)泵和電機控制，以及內(nèi)燃機 (ICE) 和混合動力汽車平臺上的其它重載應用。

全新溝道HEXFET功率MOSFET系列采用多款表面貼裝器件(SMD)封裝，電壓范圍從40V至200V。標準和邏輯電平柵級驅動MOSFET都為IR車用塑料封裝MOSFET產(chǎn)品系列設定了導通電阻性能新標準?；鶞蕦娮柙?0V下最大為1.25毫歐，60V下最大為2.1毫歐，75V下為2.6毫歐，100V下為4.0毫歐。在D2Pak-7P封裝中許多器件的最大額定電流達240A。

IR亞太區(qū)銷售副總裁潘大偉表示：“IR全新車用溝道MOSFET系列可在下一代汽車應用，包括集成式起動發(fā)電機和電動助力轉向系統(tǒng)應用中實現(xiàn)基準性能。”

所有IR車用MOSFET產(chǎn)品都遵循IR要求零缺陷的汽車質量理念，并經(jīng)過了動態(tài)和靜態(tài)器件平均測試及100%自動晶圓級目視檢查。AEC-Q101標準要求器件在經(jīng)過1, 000次溫度循環(huán)測試后，導通電阻變化幅度不能超過20%。然而，經(jīng)過延長測試后，IR的新款AU物料單在5,000次溫度循環(huán)時的最大導通電阻變化不到10%，體現(xiàn)了該物料單的高強度和耐用性。

新器件符合AEC-Q101標準，所采用的材料環(huán)保，不含鉛，也符合電子產(chǎn)品有害物質管制規(guī)定 (RoHS) 。