機(jī)遇與挑戰(zhàn)：

• GaN將會成為電源管理半導(dǎo)體領(lǐng)域中大有前途的新星

市場數(shù)據(jù)：

• 氮化鎵(GaN)電源管理半導(dǎo)體市場到2013年預(yù)計(jì)將達(dá)到1.836億美元
• 2010年還幾乎一片空白

據(jù)iSuppli公司，由于高端服務(wù)器、筆記本電腦、手機(jī)和有線通訊領(lǐng)域的快速增長，氮化鎵(GaN)電源管理半導(dǎo)體市場到2013年預(yù)計(jì)將達(dá)到1.836億美元，而2010年實(shí)際上還幾乎一片空白。

GaN是面向電源管理芯片的一種新興工藝技術(shù)，最近已從大學(xué)實(shí)驗(yàn)階段進(jìn)入商業(yè)化階段。該技術(shù)對于供應(yīng)商來說是一個有吸引力的市場機(jī)會，它可以向它們的客戶提供目前半導(dǎo)體工藝材料可能無法企及的性能。

iSuppli公司認(rèn)為，在過去兩年里，有幾件事情使得GaN成為電源管理半導(dǎo)體領(lǐng)域中大有前途的新星。

首先，硅在電源管理半導(dǎo)體中已經(jīng)達(dá)到實(shí)際極限。另外，在硅上面生長GaN層已經(jīng)取得突破。電源設(shè)計(jì)師也想開發(fā)更有效率的系統(tǒng)和升級高壓產(chǎn)品，以消耗更少的電力。

元件供應(yīng)商已開始提供GaN器件。例如，國際整流器公司2月份推出了它的首款GaN負(fù)載點(diǎn)(POL)解決方案，Efficient Power Conversions Corp. (EPCC)正在全力開發(fā)GaN技術(shù)，本月推出了10款功率MOSFET器件。

圖3所示為iSuppli公司對2008-2013年GaN電源管理芯片的營業(yè)收入預(yù)測。

可改善效率

GaN材料將使效率得到提高，使器件尺寸縮小，這些優(yōu)點(diǎn)將促進(jìn)GaN器件得到更廣泛的接受。對于移動PC和智能手機(jī)等便攜電子產(chǎn)品來說，這些好處都是求之不得的。對于企業(yè)服務(wù)器和有線通訊基礎(chǔ)設(shè)備等耗電量較大的電子設(shè)備，GaN器件也具有許多好處。

但是，由于采用GaN材料涉及較高的成本，所以2010和2011年上述應(yīng)用對GaN技術(shù)的接受速度將比較緩慢。隨著2012和2013年該技術(shù)的發(fā)展，以及制造GaN器件的成本下降，該技術(shù)將開始奪取傳統(tǒng)MOSFET、驅(qū)動IC和電壓調(diào)節(jié)IC的市場份額。

最先采用GaN器件的很可能是服務(wù)器，因?yàn)榉?wù)器總是需要高性能器件，而且經(jīng)常是第一個接受可以改善性能的新技術(shù)的產(chǎn)品領(lǐng)域。在未來三年，GaN器件出貨量的主要推動者將是筆記本電腦，因其非常需要GaN來節(jié)省功率和縮小外形尺寸。