你的位置:首頁 > 電源管理 > 正文

SiR494DP:Vishay新款第三代12V功率MOSFET

發(fā)布時間:2009-07-31

產(chǎn)品特性:
  • 最大導(dǎo)通電阻分別為1.2mΩ和1.7mΩ
  • 該器件在4.5V電壓下的柵電荷只有85nC
  • VDS=12V,VGS=±20V
  • 采用PowerPAK SO-8封裝
應(yīng)用范圍:
  • 低輸入電壓(5V~3.3V)同步降壓轉(zhuǎn)換器
  • 低輸出電壓(5V,3.3V和更低)OR-ing應(yīng)用
  • 各種采用5V和3.3V輸入電壓負(fù)載點(diǎn)(POL)轉(zhuǎn)換器的系統(tǒng)
日前,Vishay 宣布推出具有業(yè)內(nèi)最低導(dǎo)通電阻的新款N溝道MOSFET器件 --- SiR494DP,將該系列的第三代TrenchFET功率MOSFET的電壓降至12V,同時該器件的導(dǎo)通電阻與柵電荷的乘積也是這種額定電壓的器件當(dāng)中最低的。

額定電壓12V的SiR494DP在10V和4.5V柵極驅(qū)動下的最大導(dǎo)通電阻分別為1.2mΩ和1.7mΩ。導(dǎo)通電阻與柵電荷的乘積是評價(jià)用于DC-DC轉(zhuǎn)換器應(yīng)用中MOSFET的關(guān)鍵品質(zhì)因數(shù)(FOM),該器件在4.5V電壓下的柵電荷只有85nC。

與對低傳導(dǎo)損耗和低開關(guān)損耗進(jìn)行過優(yōu)化的最接近的競爭器件相比,這些指標(biāo)表明該器件在10V和4.5V下的導(dǎo)通電阻分別減小了40%和35%,F(xiàn)OM降低了29%。更低的導(dǎo)通電阻和柵電荷意味著更低的傳導(dǎo)和開關(guān)損耗。

Vishay Siliconix SiR494DP可用于采用低輸入電壓(5V~3.3V)同步降壓轉(zhuǎn)換器、低輸出電壓(5V,3.3V和更低)OR-ing應(yīng)用,以及各種采用5V和3.3V輸入電壓負(fù)載點(diǎn)(POL)轉(zhuǎn)換器的系統(tǒng)中的低壓側(cè)MOSFET,在這些應(yīng)用中,新器件的低導(dǎo)通損耗和低開關(guān)損耗將能夠更有效率地使用能源。

對于低輸出電壓的應(yīng)用,12V的柵源額定電壓恰好夠用,但迄今為止,設(shè)計(jì)工程師被迫選用20V的器件,尤其是設(shè)計(jì)者同時需要最低的導(dǎo)通電阻和20V的柵源電壓時。SiR494DP是具有這些特性的首款MOSFET:VDS=12V,VGS=±20V,在10V柵極驅(qū)動下的導(dǎo)通電阻只有1.2mΩ。

新型功率MOSFET采用PowerPAK SO-8封裝。這款無鉛、無鹵素的器件符合IEC 61249-2-21的要求,符合RoHS Directive 2002/96/EC規(guī)范,并100%通過了Rg和UIS測試。

SiR494DP現(xiàn)可提供樣品,并已實(shí)現(xiàn)量產(chǎn),大宗訂貨的供貨周期為十周至十二周。
要采購轉(zhuǎn)換器么,點(diǎn)這里了解一下價(jià)格!
特別推薦
技術(shù)文章更多>>
技術(shù)白皮書下載更多>>
熱門搜索
?

關(guān)閉

?

關(guān)閉