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Si8422DB :Vishay采用MICRO FOOT封裝的MOSFET

發(fā)布時間:2009-01-21

產品特性: Si8422DB :Vishay采用MICRO FOOT封裝的MOSFET
  • 器件具有背面絕緣的特點
  • 1.55mm ×1.55mm的超小尺寸及0.64mm的超薄厚度
  • VGS 1.8V時0.043? 至4.5V時0.037?的低導通電阻
  • 最大柵源電壓為 ±8 V
應用范圍:
  • 手機、PDA、數(shù)碼相機
  • MP3 播放器及智能電話等便攜設備
日前,Vishay Intertechnology, Inc.(NYSE 股市代號:VSH) 宣布推出業(yè)界首款采用 MICRO FOOT芯片級封裝的 TrenchFET功率 MOSFET --- Si8422DB,該器件具有背面絕緣的特點。

Si8422DB 針對手機、PDA、數(shù)碼相機、MP3 播放器及智能電話等便攜設備中的功率放大器、電池和負載切換進行了優(yōu)化。該器件 2-mil背面涂層可實現(xiàn)對 MICRO FOOT 封裝的頂部絕緣,以防與便攜器件中移動部件暫時接觸而產生的電路短路。

此絕緣設計令該器件可用于具有非常嚴格的高度要求的應用,從而設計人員可靈活放置 MOSFET,屏蔽、按鈕或觸摸屏等其他零部件可直接放置在 MOSFET 的上方,這在壓低上述部件空間時將進一步壓縮產品的高度。此設計靈活性還可減少寄生效應,由于無需路由至 PCB 上的區(qū)域及更少的高度限制,電路布局可更好地優(yōu)化。

20V n 通道 Si8422DB 具有 1.55mm × 1.55mm 的超小尺寸及 0.64mm 的超薄厚度。該器件提供了1.8V VGS 時 0.043 ? 至 4.5V VGS 時 0.037? 的低導通電阻范圍,且最大柵源電壓為 ±8 V。

目前,新型 Si8422DB 可提供樣品,并已實現(xiàn)量產,大宗訂單的供貨周期為 10 至 12 周。
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