產(chǎn)品特性：

• FDMA1027是20V P溝道PowerTrench MOSFET
• FDFMA2P853則是20V P溝道PowerTrench MOSFET，帶有肖特基二極管
• 采用2mm x 2mm x 0.55mm MLP封裝
• 提供卓越的功率消耗和降低傳導(dǎo)損耗
• 能夠耗散1.4W功率
• 符合RoHS和無鉛回流焊的要求

應(yīng)用范圍：

• 便攜應(yīng)用

飛兆半導(dǎo)體公司 (Fairchild Semiconductor) 推出全新超薄的高效率MicroFET產(chǎn)品FDMA1027，滿足現(xiàn)今便攜應(yīng)用的尺寸和功率要求。FDMA1027是20V P溝道PowerTrench MOSFET，F(xiàn)DFMA2P853則是20V P溝道PowerTrench MOSFET，帶有肖特基二極管，并采用2mm x 2mm x 0.55mm MLP封裝。相比低電壓設(shè)計(jì)中常用的3mm x 3mm x 1.1mm MOSFET，新產(chǎn)品的體積減小55%、高度降低50%。這種薄型封裝選項(xiàng)可滿足下一代便攜產(chǎn)品如手機(jī)的超薄外形尺寸需求。

FDMA1027和FDFMA2P853專為更高效率而設(shè)計(jì)，能夠解決影響電池壽命的豐富功能的功率挑戰(zhàn)。這些器件采用飛兆半導(dǎo)體專有的PowerTrench MOSFET工藝，能降低傳導(dǎo)和開關(guān)損耗，提供卓越的功率消耗和降低傳導(dǎo)損耗。與采用2mm x 2mm SC-70封裝類似尺寸的器件比較，F(xiàn)DMA1027和FDFMA2P853提供更低的傳導(dǎo)損耗 (降低約60%)，并且能夠耗散1.4W功率，而SC-70封裝器件的功率消耗則為300mW。

飛兆半導(dǎo)體的MicroFET系列提供了具吸引力的優(yōu)勢(shì)如緊湊型封裝和高性能，能夠滿足電池充電、負(fù)載轉(zhuǎn)換、升壓和DC-DC轉(zhuǎn)換的需求。

FDMA1027和FDFMA2P853采用無鉛 (Pb-free) 端子，潮濕敏感度符合IPC/JEDEC J-STD-020標(biāo)準(zhǔn)對(duì)無鉛回流焊的要求。所有飛兆半導(dǎo)體產(chǎn)品均滿足歐盟有害物質(zhì)限用指令 (RoHS) 的要求。