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STGxL6NC60D:意法半導(dǎo)體新款I(lǐng)GBT系列

發(fā)布時(shí)間:2008-05-13

產(chǎn)品特性:

  • 關(guān)斷能耗低
  • 封裝內(nèi)含有一個(gè)超快速軟恢復(fù)二極管,高dV/dt抗擾性
  • 提供四種封裝選擇 意法半導(dǎo)體新款I(lǐng)GBT系列STGxL6NC60D
  • 工作頻率超過20KHZ 

應(yīng)用范圍:

  • 70W-150W高頻鎮(zhèn)流器
  • 開關(guān)電源
  • 功率因數(shù)控制器
  • 其它的高頻功率開關(guān)設(shè)備

意法半導(dǎo)體推出一系列新的絕緣柵雙極晶體管(IGBT),新系列產(chǎn)品采用高效的壽命控制工藝,有效降低了關(guān)斷期間的能耗。如果設(shè)計(jì)工程師采用ST的全新IGBT(包括STGxL6NC60D 600V PowerMESH),用于工作頻率超過20kHz的照明鎮(zhèn)流器等節(jié)能型電路內(nèi),應(yīng)用的整體功率可望提高到一個(gè)新的水平,遠(yuǎn)勝標(biāo)準(zhǔn)技術(shù)的MOSFET。

開關(guān)性能的改進(jìn)容許設(shè)計(jì)工程師把IGBT用于以硬開關(guān)拓?fù)浜椭C振電路為特點(diǎn)的高度競爭力產(chǎn)品。新產(chǎn)品關(guān)斷能耗降低,使用很小的緩沖電容器即可在低結(jié)溫下工作,帶來降低功耗、提高可靠性、縮小電路板空間等優(yōu)點(diǎn)。

在芯片的單位面積性能方面,ST的新IGBT技術(shù)遠(yuǎn)遠(yuǎn)勝于傳統(tǒng)的MOSFET晶體管,有助于實(shí)現(xiàn)成本更加低廉的解決方案。新產(chǎn)品還有一個(gè)優(yōu)點(diǎn):封裝內(nèi)含有一個(gè)超快速軟恢復(fù)二極管,保證新產(chǎn)品具有其它功率器件無法實(shí)現(xiàn)的高dV/dt抗擾性。新系列超高速IGBT的目標(biāo)應(yīng)用包括70W-150W高頻鎮(zhèn)流器以及開關(guān)電源、功率因數(shù)控制器和其它的高頻功率開關(guān)設(shè)備。

STGxL6NC60D系列產(chǎn)品共有四款產(chǎn)品,提供豐富的功率封裝選擇:TO-220、TO-220FP、DPAK和 D2PAK。

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