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STW55NM60ND:意法半導體快速恢復MOSFET產品

發(fā)布時間:2008-05-06

產品特性:ST快速恢復MOSFET STW55NM60ND

  • 600V N溝道MOSFET晶體
  • 導通電阻:0.060歐姆,低損耗
  • TO-247封裝
  • 最大漏極電流達到51A
  • 恢復時間短

應用范圍:

  • 再生能源控制器
  • 以能效為中心的應用環(huán)境

意法半導體推出快速恢復MOSFET晶體管新產品系列,用于包括再生能源控制器在內的以能效為中心的應用需求。新產品在現(xiàn)有產品的基礎上提高了開關性能,同時還使導通電阻實現(xiàn)超過18%的降幅。

STW55NM60ND是新的超結FDmesh™ II系列產品的首款產品,這是一款600V N溝道MOSFET晶體管,0.060歐姆的導通電阻在快速恢復MOSFET晶體管市場上創(chuàng)下最低記錄,采用工業(yè)標準的TO-247封裝。由于最大漏極電流達到51A,在對空間有嚴格要求的電信設備和服務器系統(tǒng)轉換器中,可以用一個MOSFET晶體管替代多個標準器件。再加上降低的損耗實現(xiàn)更高的熱管理效率,新產品讓設計工程師大幅度提高功率密度。ST快速恢復MOSFET STW55NM60ND

為把這些改進的性能變?yōu)楝F(xiàn)實,ST對FDmesh超結架構進行了技術改進,在傳統(tǒng)的帶狀MOSFET結構中融合垂直結構,同時還內置一個速度更快、可靠性更強的本征體二極管。除降低導通電阻和恢復時間外,通過降低柵電容、柵電荷和柵輸入電阻,這些技術改良更能提高開關效率,降低驅動損耗。在開關期間提高的可靠性,特別是在橋式拓撲中,包括在低負載下的零壓開關(ZVS)結構,使新產品具有很高的dv/dt值。

采用這項技術的未來產品還將提供更多的封裝選擇和電流性能,每款封裝都讓快速恢復MOSFET晶體管具有很低的導通電阻。其中,STP30NM60ND采用TO-220封裝,額定漏極電流25A,導通電阻0.13歐姆;STD11NM60ND采用DPAK貼裝封裝,漏極電流10A,導通電阻0.45歐姆;ST的FDmesh II系列產品將不斷推出新產品,以擴大電壓和電流性能的選擇范圍,后續(xù)產品將采用業(yè)內標準的功率封裝。

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