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佛羅里達(dá)研究OLED能效獲新突破 每瓦50流明
美國佛羅里達(dá)大學(xué)材料科技系的研究人員日前使用藍(lán)色OLED光源，創(chuàng)造了有機(jī)發(fā)光二極管（OLED）的能效新紀(jì)錄。由于藍(lán)色是白光的重要組成部分，該突破有望解決OLED照明發(fā)展道路上的一大障礙，讓這種能效遠(yuǎn)高于熒光燈，同時照明質(zhì)量類似于白熾燈的新一代光源早日實現(xiàn)普及。
2008-12-29
OLED 有機(jī)發(fā)光二極管 《應(yīng)用物理通訊》 Jiangeng Xue
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電子元器件業(yè)過冬 多家公司下調(diào)業(yè)績預(yù)測
“電子元器件行業(yè)步入冬天。”進(jìn)入第四季度，上述字眼越來越多地見諸于各大研究機(jī)構(gòu)報告中。如今，A股投資者終于直面了這份寒冷。
2008-12-26
電子元件 冬天 需求萎縮
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EMIF02-SPK02F2：ST手機(jī)應(yīng)用微型濾波器
到2010年，超過75%的新手機(jī)將具有MP3音樂播放功能。隨著音樂手機(jī)普及，音頻性能成為設(shè)計者的關(guān)注焦點。新手機(jī)設(shè)計將更要求改進(jìn)降噪性能，意法半導(dǎo)體針對新的市場需求，推出全新濾波器EMIF02-SPK02F2。
2008-12-26
EMIF02-SPK02F2 干擾噪聲 濾波器 TDMA 分立器件 EMI
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MT9V136：Aptina高感光度圖像傳感器
美光科技（Micron Technology）網(wǎng)站消息，Aptina公司日前發(fā)布了型號為MT9V136的高感光度圖像傳感器解決方案。這款傳感器采用更完善的全集成式（all-in-one）單芯片系統(tǒng)芯片(SOC)設(shè)計，能提供出色的低照度性能，超出人們對CCD傳感器的預(yù)期需求，而且在夜視環(huán)境下還具有優(yōu)異的近紅外(NIR)響應(yīng)性能。
2008-12-26
MT9V136 高感光度圖像傳感器 IPcamera 圖像傳感器
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東芝擬斥資3.3億美元新建鋰電池廠
據(jù)國外媒體報道，東芝近日透露，將在日本新潟縣柏崎市新建一座可快速充電的新型鋰離子電池工廠。東芝計劃斥資約300億日元(約合3.3億美元)，工廠最早于明年動工。
2008-12-26
鋰離子電池 電動汽車 半導(dǎo)體 SCiB 電池
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工信部建議彩電企業(yè)并購面板商
受金融危機(jī)影響，面板企業(yè)陷入前所未有的低迷。“面板企業(yè)生存困難為國內(nèi)平板電視企業(yè)吸納人才和并購、合作等解決行業(yè)發(fā)展的瓶頸提供了重要機(jī)遇?！惫ば挪窟\行檢測協(xié)調(diào)局副巡視員高素梅昨日在“2008年中國電子信息產(chǎn)業(yè)經(jīng)濟(jì)運行公報”會議上表示。
2008-12-25
面板 平板電視 液晶
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松下和三洋電機(jī)宣布資金及業(yè)務(wù)全面合作
松下和三洋電機(jī)08年12月19日就資本及業(yè)務(wù)合作舉行了緊急新聞發(fā)布會。雙方此前于08年11月7日宣布開始協(xié)商資本及業(yè)務(wù)合作。松下代表董事社長大坪文雄強(qiáng)強(qiáng)調(diào)了此次資本及業(yè)務(wù)合作的意義：“伴隨新興市場國家的重要性日趨提高，產(chǎn)品均價開始下滑，同時又出現(xiàn)了源自金融危機(jī)的行業(yè)低迷，因此希望通過與三...
2008-12-24
燃料電池 太陽能電池 鋰離子充電電池 家電 鎳氫充電電池 混合動力車 醫(yī)療電子 新能源
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電感器：市場競爭改變行業(yè)格局
我國已基本建立起一個傳統(tǒng)與新型產(chǎn)品兼顧的電感器產(chǎn)業(yè)，并具有相當(dāng)經(jīng)濟(jì)規(guī)模，在國際市場上占據(jù)了一定地位。但我國電感器件產(chǎn)業(yè)大而不強(qiáng)，新型片式電感器件所占的份額較小，因此我們要狠抓技術(shù)創(chuàng)新、產(chǎn)業(yè)做大做強(qiáng)和優(yōu)化產(chǎn)品出口結(jié)構(gòu)這三個環(huán)節(jié)，推動我國電感器產(chǎn)業(yè)的發(fā)展。
2008-12-24
電感 磁珠 LTCC 風(fēng)華高科 順絡(luò) TDK 村田
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Si7633DP/135DP：Vishay最新低導(dǎo)通電阻MOSFET
日前，Vishay Intertechnology, Inc.宣布推出新型 20-V 和 30-V p-通道 TrenchFET功率 MOSFET --- Si7633DP和Si7135DP。這次推出的器件采用 SO-8 封裝，具有 ±20V 柵源極電壓以及業(yè)內(nèi)最低的導(dǎo)通電阻。
2008-12-24
Si7633DP Si7135DP MOSFET 超低導(dǎo)通電阻
- 車輛區(qū)域控制架構(gòu)關(guān)鍵技術(shù)——趨勢篇
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