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為什么去耦電容器很重要
系統(tǒng)噪聲是當(dāng)今所有數(shù)字設(shè)備普遍面臨的問題。不斷追求更快的接口和更低的功耗導(dǎo)致設(shè)備越來越容易受到來自電源和信號(hào)線的干擾。
2023-10-14
去耦電容器 系統(tǒng)噪聲
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電流傳感器磁場(chǎng)干擾管理
本文介紹 Allegro 的 ACS71x 電流傳感器集成電路 (IC)，無需集中器，可控制并地減少外部磁場(chǎng)干擾。這些器件可以通過簡單的布局步驟提高小電流差異化的性能。ACS71x 設(shè)備中的當(dāng)前路徑。電流沿任一方向通過 U 形環(huán)路并繞過霍爾元件 (X)。U 形環(huán)安裝在 SOIC8 封裝中的芯片下方。
2023-10-13
電流傳感器 磁場(chǎng)干擾
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使用霍爾效應(yīng)傳感或磁場(chǎng)傳感技術(shù)的應(yīng)用
隨著支持技術(shù)的增強(qiáng)，使用霍爾效應(yīng)傳感或磁場(chǎng)傳感技術(shù)的應(yīng)用目前已變得有效。本技術(shù)文檔介紹了霍爾效應(yīng)技術(shù)，并對(duì)應(yīng)用進(jìn)行了回顧，特別是區(qū)分霍爾傳感器 IC 的主要類型以及它們可以支持的各種傳感行為。此外，它還探討了一些使能技術(shù)，例如信號(hào)處理方面的進(jìn)步，這些技術(shù)使該技術(shù)比早期更加強(qiáng)大。這...
2023-10-12
霍爾效應(yīng)傳感 磁場(chǎng)傳感技術(shù)
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共模輸出濾波和共模扼流圈
如前所述，輸出干擾由不對(duì)稱和對(duì)稱分量組成。紋波主要是差動(dòng)干擾，噪聲主要是共模干擾。由于對(duì)稱噪聲信號(hào)同時(shí)出現(xiàn)在所有輸出上，因此任何輸出電容都無法“看到”該信號(hào)，并且添加輸出 LC 濾波并不能減少干擾。如果負(fù)載完全對(duì)稱、線性且隔離，共模噪聲就不會(huì)成為問題。
2023-10-11
共模輸出濾波 共模扼流圈
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氮化鎵在采用圖騰柱 PFC 的電源設(shè)計(jì)中達(dá)到高效率
幾乎所有現(xiàn)代工業(yè)系統(tǒng)都涉及交流/直流電源，這些系統(tǒng)從交流電網(wǎng)獲得能量，并將經(jīng)過妥善調(diào)節(jié)的直流電壓輸送到電氣設(shè)備。隨著全球功耗增加，交流/直流電源轉(zhuǎn)換過程中的相關(guān)能量損耗，成為電源設(shè)計(jì)人員整體能源成本考慮的重要部份，特別是高耗電電信和服務(wù)器應(yīng)用的設(shè)計(jì)人員。
2023-10-10
氮化鎵 圖騰柱 PFC 電源設(shè)計(jì)
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使用 ACC 控制器的節(jié)能模式
電力系統(tǒng)容量基于額定負(fù)載、電池容量和所需的冗余。有些應(yīng)用需要為不能以全功率運(yùn)行的設(shè)備供電。負(fù)載可能會(huì)周期性變化，有時(shí)會(huì)出現(xiàn)長時(shí)間的中斷。同時(shí)，電池充電并不是一個(gè)持續(xù)的過程。在這種情況下，總負(fù)載可減少至 10%。
2023-10-10
ACC 控制器 節(jié)能模式
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利用片上網(wǎng)絡(luò) IP 加速 RISC－V 開發(fā)
在片上系統(tǒng) (SoC) 設(shè)備領(lǐng)域，架構(gòu)師在配置處理器子系統(tǒng)時(shí)會(huì)遇到許多選擇。選擇范圍從單處理器到集群，再到主要是異構(gòu)的但偶爾是同構(gòu)的多集群。
2023-10-09
片上網(wǎng)絡(luò) IP RISC－V
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利用封裝、IC和GaN技術(shù)提升電機(jī)驅(qū)動(dòng)性能
電機(jī)驅(qū)動(dòng)設(shè)計(jì)方面的技術(shù)進(jìn)步為我們開啟了許多大門。例如在運(yùn)動(dòng)控制系統(tǒng)中，更高精度、效率和控制能力給用戶體驗(yàn)性和安全性、資源優(yōu)化以及環(huán)境友好性等方面帶來了諸多好處。無刷電機(jī)技術(shù)的引入則是業(yè)界朝著全面提升效率邁出的重要一步。
2023-10-09
封裝 IC GaN技術(shù) 電機(jī)驅(qū)動(dòng)
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了解高壓分立Si MOSFET (≥ 2 kV)
Littelfuse擁有廣泛的產(chǎn)品系列、具有競(jìng)爭(zhēng)力的產(chǎn)品性能和先進(jìn)的技術(shù)，在高壓（HV）分立Si MOSFET市場(chǎng)具有領(lǐng)導(dǎo)地位，特別是在1700V以上產(chǎn)品，包括電壓阻斷能力高達(dá)4700V的器件，能夠支持客戶開發(fā)需求嚴(yán)苛的應(yīng)用。
2023-10-08
高壓分立 Si MOSFET
- 協(xié)同創(chuàng)新，助汽車行業(yè)邁向電氣化、自動(dòng)化和互聯(lián)化的未來
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