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透視2012年十大ICT產(chǎn)業(yè)關(guān)鍵議題
工研院IEK歸納出十個(gè)將影響2012年產(chǎn)業(yè)的重大議題，包括零組件層的聲控或體感人機(jī)技術(shù)、系統(tǒng)封裝技術(shù)、行動(dòng)內(nèi)存、低耗電芯片與高畫(huà)質(zhì)面板等；終端產(chǎn)品層的智能電視平臺(tái)、Ultrabook PC、平價(jià)智能手機(jī)、3D電視等；還有平臺(tái)層的Windows反擊、巨量數(shù)據(jù)應(yīng)用等變革。
2012-02-24
ICT 3D電視 智能手機(jī) 平板電腦 智能電視
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μPA2812T1L：瑞薩發(fā)布低損耗高效P溝道MOSFET用于筆記本電腦
先進(jìn)半導(dǎo)體解決方案之頂尖供應(yīng)商瑞薩電子宣布推出5款低損耗P-Channel金屬氧化物半導(dǎo)體場(chǎng)效電晶體(MOSFET)系列產(chǎn)品，包括針對(duì)筆記型電腦鋰離子二次電池之充電控制開(kāi)關(guān)，以及AC變壓器電源供應(yīng)開(kāi)關(guān)之電源管理開(kāi)關(guān)等用途進(jìn)行最佳化的μPA2812T1L。
2012-02-23
μPA2812T1L 瑞薩 MOSFET
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PCB電路板溫升因素分析及散熱方式探討
電子設(shè)備工作時(shí)產(chǎn)生的熱量，使設(shè)備內(nèi)部溫度迅速上升，若不及時(shí)將該熱量散發(fā)，設(shè)備會(huì)持續(xù)升溫，器件就會(huì)因過(guò)熱失效，電子設(shè)備的可靠性將下降。因此，對(duì)電路板進(jìn)行散熱處理十分重要。本文將在分析引起印制電路板溫升的因素的基礎(chǔ)上，介紹幾種實(shí)用的電路板散熱方式。
2012-02-23
PCB 電路板 散熱 溫升
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電容的選型技巧和應(yīng)用趨勢(shì)
電容有很多種命名方法，按照功能分，包括旁路電容，去耦電容，濾波電容等。在電路中，電容的應(yīng)用非常廣泛，因此如何選擇適合和電容器就成了許多工程師關(guān)注的話題。本期半月談將聚焦電容在不同場(chǎng)合的選型和應(yīng)用，同時(shí)展望電容在應(yīng)用市場(chǎng)上呈現(xiàn)的趨勢(shì)。
2012-02-22
電容 濾波電容 電容器
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PCB高速信號(hào)完整性整體分析設(shè)計(jì)
信號(hào)完整性問(wèn)題是高速PCB設(shè)計(jì)者必需面對(duì)的問(wèn)題。阻抗匹配、合理端接、正確拓?fù)浣Y(jié)構(gòu)解決信號(hào)完整性問(wèn)題的關(guān)鍵。傳輸線上信號(hào)的傳輸速度是有限的，信號(hào)線的布線長(zhǎng)度產(chǎn)生的信號(hào)傳輸延時(shí)會(huì)對(duì)信號(hào)的時(shí)序關(guān)系產(chǎn)生影響，所以PCB上的高速信號(hào)的長(zhǎng)度以及延時(shí)要仔細(xì)計(jì)算和分析。
2012-02-22
PCB 高速信號(hào) 信號(hào)完整性 阻抗匹配
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同步升壓轉(zhuǎn)換器設(shè)計(jì)中MOSFET的選擇要素分析
在個(gè)人計(jì)算機(jī)應(yīng)用領(lǐng)域，隨著為核心DC-DC轉(zhuǎn)換器開(kāi)發(fā)的同步升壓轉(zhuǎn)換器的開(kāi)關(guān)頻率向著1MHz-2MHz范圍轉(zhuǎn)移，MOSFET的損耗進(jìn)一步增加。如果考慮其它支配損耗機(jī)制的參數(shù)，如電源輸入電壓和門(mén)極電壓，就要處理更為復(fù)雜的現(xiàn)象，還會(huì)遇到可能造成損耗極大惡化并降低電源轉(zhuǎn)換效率(ξ)的二次效應(yīng)，及體二極管反向...
2012-02-22
同步升壓轉(zhuǎn)換器 MOSFET 轉(zhuǎn)換器
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IMF：TE推出用于零瓦電路的靈敏雙穩(wěn)態(tài)小尺寸繼電器
TE Connectivity 公司推出用于零瓦電路的IMF繼電器。如果沒(méi)有像移動(dòng)手機(jī)連接器之類(lèi)的終端設(shè)備，零瓦充電器就會(huì)停止從電網(wǎng)中取電， TE的IMF是專為這樣的應(yīng)用而設(shè)計(jì)的，其設(shè)計(jì)是對(duì)現(xiàn)有AXICOM IM繼電器產(chǎn)品線的補(bǔ)充。
2012-02-22
IMF TE 零瓦電路 繼電器
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Si8497DB/Si8487DB：Vishay推出小尺寸低導(dǎo)通電阻MOSFET
Vishay宣布引入兩款在尺寸和導(dǎo)通電阻上設(shè)立了新的行業(yè)基準(zhǔn)的p溝道30V器件---Si8497DB和Si8487DB，擴(kuò)充其MICRO FOOT TrenchFET Gen III功率MOSFET家族。新的Si8497DB是業(yè)內(nèi)首款采用小巧的1mm x 1.5mm外形尺寸的30V芯片級(jí)MOSFET，是目前市場(chǎng)上尺寸最小的此類(lèi)器件；而Si8487DB在1.6mm x 1.6mm外形尺寸...
2012-02-21
Si8497DB Si8487DB Vishay MOSFET
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平板產(chǎn)業(yè)將有望通過(guò)其周期性的市場(chǎng)特性來(lái)恢復(fù)自身發(fā)展
“平板產(chǎn)業(yè)將有望通過(guò)其周期性的市場(chǎng)特性來(lái)恢復(fù)自身發(fā)展?！盢PD DisplaySearch制造研究副總裁Charles Annis表示，“2012年和2013年面板產(chǎn)能擴(kuò)張已明顯遲延，加上持續(xù)增長(zhǎng)的市場(chǎng)需求將有望推動(dòng)產(chǎn)業(yè)朝更為健康的方向發(fā)展?！?/p>
2012-02-21
平板 面板 液晶面板 液晶電視
- 重磅公告！意法半導(dǎo)體2025年Q2業(yè)績(jī)發(fā)布及電話會(huì)議時(shí)間確定
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