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實現(xiàn)高降壓比的三種緊湊型解決方案
本文將闡述為何非隔離式DC-DC降壓轉(zhuǎn)換器（在本文中簡稱為降壓轉(zhuǎn)換器）在高輸出電流下將高DC輸入電壓轉(zhuǎn)換為很低的輸出電壓時會面臨嚴峻挑戰(zhàn)，并介紹可以實現(xiàn)高降壓比，同時保持小尺寸的三種不同方法。
2024-04-03
DC-DC 降壓轉(zhuǎn)換器
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自適應(yīng)能量采集PMIC有助于構(gòu)建環(huán)保的自動互聯(lián)設(shè)備
人們常提議利用環(huán)境能量采集技術(shù)為遠程物聯(lián)網(wǎng)設(shè)備的電池充電，但這種技術(shù)尚未普及。本博客探討了導致這一情況的原因，并介紹了Nexperia（安世半導體）的創(chuàng)新型電源管理集成電路(PMIC)，該集成電路將從根本上提高能量采集的可行性，且環(huán)境效益顯著。
2024-04-03
能量 PMIC 環(huán)保 自動互聯(lián)設(shè)備
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基于RTC的低功耗精準時鐘同步
時鐘同步的應(yīng)用廣泛，但常規(guī)的時鐘同步方案或?qū)K端設(shè)備要求高，或原理相對復雜。對此，本文利用大普的RTC秒上升沿即時生效原理，設(shè)計一種低功耗、高精確時鐘同步方案。
2024-04-03
RTC 時鐘
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利用雙MOSFET最大限度地提高開關(guān)轉(zhuǎn)換器應(yīng)用的功率密度和性能
工業(yè)和汽車開關(guān)轉(zhuǎn)換器和電機驅(qū)動器都需要體積小、效率高、電氣噪聲低的金屬氧化物硅場效應(yīng)晶體管 (MOSFET)。雙 MOSFET 方法有助于滿足這些要求。
2024-03-29
雙MOSFET 開關(guān)轉(zhuǎn)換器
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光的波長對視覺成像性能的影響
當光穿過介質(zhì)（玻璃、水、空氣等）時，不同的波長會以不同的角度彎曲。這通常是在陽光穿過棱鏡并產(chǎn)生彩虹效果時觀察到的；較短的波長比較長的波長彎曲得更多。當試圖在成像系統(tǒng)中解析細節(jié)和獲取信息時，同樣的情形會產(chǎn)生問題。
2024-03-29
波長 視覺成像
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如何為您的PCB選擇正確的阻焊層厚度和類型
在研究電路板時，特別是作為電子行業(yè)的初學者，我總會好奇為什么 PCB 的頂層是綠色的。答案各有不同，但每個人都同意一件事：阻焊層有助于檢查，為導體提供保護，并防止手工裝配過程中的視覺疲勞。各種 PCB 阻焊層類型在應(yīng)用方式、成分以及價格方面各不相同。
2024-03-28
PCB 阻焊層
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【測試解讀】ESD保護設(shè)計中的傳輸線脈沖TLP，怎么測？
隨著電子器件在汽車和其他產(chǎn)品上的應(yīng)用越來越廣泛（智能化），芯片的集成度也越來越高、體形也越來越小、研發(fā)的難度也越來越高，這些器件通常具有線間距短、線細、集成度高、運算速度快、功耗低和高輸入阻抗的特點，這也導致了這類器件對靜電的要求越來越高。
2024-03-27
測試 ESD保護 脈沖TLP
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數(shù)字示波器的DSO體系結(jié)構(gòu)及功能
數(shù)字存儲示波器（通常稱為 DSO）是為了彌補模擬示波器的諸多不足而發(fā)明的。 DSO 輸入一個信號，并通過模數(shù)轉(zhuǎn)換器將其數(shù)字化。圖 顯示了是德科技數(shù)字示波器采用的一種 DSO 體系結(jié)構(gòu)。
2024-03-27
數(shù)字示波器的 DSO 體系結(jié)構(gòu)
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GaAs 二極管在高性能功率轉(zhuǎn)換中的作用
高壓硅二極管具有較低的正向傳導壓降，但由于其反向恢復行為，會在功率轉(zhuǎn)換器中產(chǎn)生顯著的動態(tài)損耗。SiC 二極管表現(xiàn)出可忽略不計的反向恢復行為，但確實表現(xiàn)出比硅更高的體電容和更大的正向傳導壓降。由于 GaAs 技術(shù)能夠提供硅和 SiC 的有用特性，本文探討了一項比較 10kW、100kHz 相移全橋 (PSFB) ...
2024-03-26
GaAs 二極管 功率轉(zhuǎn)換
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