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IGBT并聯(lián)設(shè)計指南，拿下！
大功率系統(tǒng)需要并聯(lián) IGBT來處理高達(dá)數(shù)十千瓦甚至數(shù)百千瓦的負(fù)載，并聯(lián)器件可以是分立封裝器件，也可以是組裝在模塊中的裸芯片。這樣做可以獲得更高的額定電流、改善散熱，有時也是為了系統(tǒng)冗余。部件之間的工藝變化以及布局變化，會影響并聯(lián)器件的靜態(tài)和動態(tài)電流分配。
2025-01-24
IGBT 并聯(lián)設(shè)計
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功率器件熱設(shè)計基礎(chǔ)（十三）——使用熱系數(shù)Ψth(j－top)獲取結(jié)溫信息
功率半導(dǎo)體熱設(shè)計是實現(xiàn)IGBT、碳化硅SiC高功率密度的基礎(chǔ)，只有掌握功率半導(dǎo)體的熱設(shè)計基礎(chǔ)知識，才能完成精確熱設(shè)計，提高功率器件的利用率，降低系統(tǒng)成本，并保證系統(tǒng)的可靠性。
2025-01-24
功率器件 熱設(shè)計 熱系數(shù) 結(jié)溫
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利用創(chuàng)新FPGA技術(shù)：實現(xiàn)USB解決方案的低功耗、模塊化與小尺寸
USB技術(shù)的開發(fā)面臨著獨特的挑戰(zhàn)，主要原因是需要在受限的設(shè)備尺寸內(nèi)實現(xiàn)穩(wěn)定互連、高速度和電源管理。各種器件兼容性問題、各異的數(shù)據(jù)傳輸速度以及對低延遲和低功耗的要求，給工程師帶來了更多壓力，他們需要在嚴(yán)格的技術(shù)限制范圍內(nèi)進行創(chuàng)新。工程師必須將USB功能集成到越來越小的模塊中，并在功能...
2025-01-24
FPGA技術(shù) USB
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服務(wù)器電源設(shè)計中的五大趨勢
由于服務(wù)器對于處理數(shù)據(jù)通信至關(guān)重要，因此服務(wù)器行業(yè)與互聯(lián)網(wǎng)同步呈指數(shù)發(fā)展。盡管服務(wù)器單元最初是基于 PC 架構(gòu)，但服務(wù)器系統(tǒng)必須能夠應(yīng)對日益增加的網(wǎng)絡(luò)主機數(shù)量和復(fù)雜性。
2025-01-24
服務(wù)器電源
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音頻放大器的 LLC 設(shè)計注意事項
設(shè)計音頻放大器的電源時必須將特殊注意事項考慮在內(nèi)。與標(biāo)準(zhǔn)隔離式電源相比，音頻信號的非線性性質(zhì)提出了不同的設(shè)計挑戰(zhàn)。
2025-01-23
音頻放大器 LLC
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基于 SiC 的三相電機驅(qū)動開發(fā)和驗證套件
工業(yè)電機驅(qū)動器涵蓋廣泛的應(yīng)用，從低壓工業(yè)驅(qū)動器（例如風(fēng)扇、泵和傳送帶、熱泵和空調(diào)）以及伺服驅(qū)動器。據(jù)估計，這些通常由交流電源驅(qū)動的電動機占工業(yè)用電量的 70-80%。因此，人們有強烈的動機來提高這些驅(qū)動器的效率。即使該參數(shù)的微小改進也能在節(jié)省能源和成本方面產(chǎn)生深遠(yuǎn)的影響。國際電化學(xué)委...
2025-01-21
SiC 三相電機驅(qū)動
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賀利氏燒結(jié)銀在功率模塊中的應(yīng)用
功率模塊是現(xiàn)代工業(yè)和技術(shù)領(lǐng)域不可或缺的組件，它們負(fù)責(zé)高效、可靠地進行電能的轉(zhuǎn)換和控制。這些模塊直接影響到一個系統(tǒng)的性能、效率和耐用性，是各類電子設(shè)備和系統(tǒng)中關(guān)鍵的技術(shù)基礎(chǔ)。
2025-01-20
賀利氏 燒結(jié)銀 功率模塊
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大電流、高性能降壓-升壓穩(wěn)壓器
許多應(yīng)用都需要寬輸入和/或輸出電壓范圍，例如電池供電系統(tǒng)。在輸入電壓可能低于或高于輸出電壓的情況下，電源需要調(diào)節(jié)其輸出電壓。只要不需要接地隔離，四開關(guān)降壓-升壓拓?fù)浣Y(jié)構(gòu)就能為此類應(yīng)用提供超高的效率和功率密度。此外，降壓-升壓穩(wěn)壓器非常靈活，可用作單純的降壓電源或升壓（帶短路保護）...
2025-01-20
電流 降壓-升壓穩(wěn)壓器
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用第三代 SiC MOSFET設(shè)計電源性能和能效表現(xiàn)驚人！
在各種電源應(yīng)用領(lǐng)域，例如工業(yè)電機驅(qū)動器、AC/DC 和 DC/DC 逆變器/轉(zhuǎn)換器、電池充電器、儲能系統(tǒng)等，人們不遺余力地追求更高效率、更小尺寸和更優(yōu)性能。性能要求越來越嚴(yán)苛，已經(jīng)超出了硅 (Si) 基 MOSFET 的能力，因而基于碳化硅 (SiC) 的新型晶體管架構(gòu)應(yīng)運而生。
2025-01-17
監(jiān)控電路 工業(yè)
- 重磅公告！意法半導(dǎo)體2025年Q2業(yè)績發(fā)布及電話會議時間確定
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