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使用模擬乘法器的同步解調(diào)與基于開關(guān)的乘法器
在之前的文章中，我們了解了同步解調(diào)技術(shù)的基礎(chǔ)知識(shí)。該技術(shù)有助于測(cè)量隱藏在閃爍噪聲中的低頻信號(hào)。它試圖以比電路的 1/f 拐角頻率高得多的頻率運(yùn)行電路，以便閃爍噪聲不再是限制因素。
2023-05-06
模擬乘法器
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BUCK-BOOST 拓?fù)潆娫丛砑肮ぷ鬟^程解析
在非隔離電源方案中，基礎(chǔ)拓?fù)涞腂uck、Boost、Buck-Boost電路中，前兩種已經(jīng)在前面章節(jié)進(jìn)行了詳細(xì)描述。很多工程師對(duì)Buck和Boost電路都特別熟悉，只是對(duì)Buck-Boost不熟悉。
2023-05-06
BUCK-BOOST 拓?fù)潆娫?/p>
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DSP 中數(shù)字下變頻的基礎(chǔ)知識(shí)
數(shù)字下變頻是一種數(shù)字信號(hào)處理技術(shù)，廣泛用于數(shù)字無線電接收機(jī)。本文將回顧數(shù)字下變頻器 (DDC) 的基礎(chǔ)知識(shí)。我們將首先了解使用 DDC 而不是模擬對(duì)應(yīng)物的優(yōu)勢(shì)。然后，我們將討論一個(gè)示例并探索 DDC 的基本操作。
2023-05-05
DSP 數(shù)字下變頻
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在高速 ADC 中增加 SFDR 的局限性
我們還將了解 ADC 中 SFDR 和SNR（信噪比）之間的一般權(quán)衡，并為以后有關(guān)應(yīng)用抖動(dòng)技術(shù)改善 ADC SFDR 的有趣討論奠定基礎(chǔ)。抖動(dòng)是一種有意向 ADC 輸入添加適當(dāng)噪聲分量以改善 AD 轉(zhuǎn)換系統(tǒng)某些性能方面的技術(shù)。認(rèn)為添加噪聲可以改善 SFDR 這聽起來很神奇。
2023-05-05
高速 ADC SFDR
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解析直流偏壓現(xiàn)象
在構(gòu)建多層陶瓷電容器（MLCC）時(shí)，電氣工程師們通常會(huì)根據(jù)應(yīng)用選擇兩類電介質(zhì)——1類，非鐵電材料介質(zhì)，如C0G/NP0；2類，鐵電材料介質(zhì)，如X5R和X7R。它們之間的關(guān)鍵區(qū)別在于，隨著電壓和溫度的提升，電容是否還具備良好的穩(wěn)定性。
2023-05-05
直流偏壓
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使用電池溫度監(jiān)控構(gòu)建更好的電池供電應(yīng)用
使用可充電電池運(yùn)行的現(xiàn)代產(chǎn)品應(yīng)用程序通常具有內(nèi)置傳感器和電池管理系統(tǒng) (BMS) 電路。BMS 監(jiān)控可充電電池系統(tǒng)的電壓、電流和溫度，無論是單個(gè)電池、模塊（一組電池）還是電池組（一組模塊）。監(jiān)測(cè)電池的電壓和電流通常不足以確定電池的健康狀況。
2023-05-05
電池溫度監(jiān)控 電池供電應(yīng)用
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巧用MOS管的體二極管
用過MOS管的小伙伴都知道，其內(nèi)部有一個(gè)寄生二極管，有的也叫做體二極管。PMOS管做開關(guān)用，S極作電源輸入，D極作輸出，當(dāng)Vsg大于閾值電壓，MOS管導(dǎo)通，一般MOS管的導(dǎo)通內(nèi)阻都很小，毫歐級(jí)別，過幾安培的電流，壓降也才毫伏級(jí)別，此時(shí)體二極管是截至狀態(tài)的。
2023-05-04
MOS管 體二極管
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驅(qū)動(dòng)5G基礎(chǔ)設(shè)施
5G 基站的數(shù)量以及能源消耗呈指數(shù)級(jí)增長(zhǎng)，因此高效供電變得非常重要。本文將討論這個(gè)主題，并且針對(duì)電源模塊如何為基站提供高功率密度和可靠的性能提出了一些解決方案。
2023-05-04
5G基站 電源模塊
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RS-485基礎(chǔ)知識(shí)：失效防護(hù)偏置網(wǎng)絡(luò)的兩種方法
在本系列的上一部分中，我介紹了何時(shí)需要端接 RS-485 網(wǎng)絡(luò)以及如何實(shí)施標(biāo)準(zhǔn)和交流端接方案。在這一部分中，我將介紹處理空閑總線條件的兩種常見方法，以便保證總線上的邏輯狀態(tài)。
2023-04-30
RS-485 失效防護(hù) 偏置網(wǎng)絡(luò)
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