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飛兆100V BOOSTPAK解決方案,節(jié)省空間降低成本

發(fā)布時(shí)間:2013-06-06 責(zé)任編輯:eliane

【導(dǎo)讀】飛兆100 V BoostPak設(shè)備系列通過將MOSFET 和二極管集成到一個(gè)獨(dú)立封裝內(nèi),簡(jiǎn)化了電路板裝配并節(jié)省了空間,該解決方案提高了可靠性,降低了LED應(yīng)用中的系統(tǒng)成本。與肖特基二極管相比,其泄漏電流更低,改進(jìn)了高溫應(yīng)用中的系統(tǒng)可靠性。

飛兆半導(dǎo)體通過引入100 V BoostPak設(shè)備系列優(yōu)化MOSFET和二極管選擇過程,將MOSFET和二極管集成在一個(gè)封裝內(nèi),代替LED 電視/顯示器背光、LED照明和DC-DC轉(zhuǎn)換器應(yīng)用中目前使用的分立式解決方案。

通過將MOSFET 和二極管集成到一個(gè)獨(dú)立封裝內(nèi),F(xiàn)DD1600N10ALZD和FDD850N10LD設(shè)備節(jié)省了電路板空間,簡(jiǎn)化了裝配,降低了材料清單成本并改進(jìn)了應(yīng)用的可靠性。

飛兆100V BOOSTPAK將MOSFET 和二極管集成在一個(gè)封裝內(nèi)
圖:飛兆100V BOOSTPAK將MOSFET 和二極管集成在一個(gè)封裝內(nèi)

該元件的N溝道MOSFET采用飛兆半導(dǎo)體 PowerTrench工藝生產(chǎn),這一先進(jìn)工藝專用于最小化導(dǎo)通電阻,同時(shí)保持卓越的開關(guān)性能。 NP二極管為超快速整流器,帶低正向?qū)▔航?,具有出色的開關(guān)性能。 與肖特基二極管相比,其泄漏電流更低,改進(jìn)了高溫應(yīng)用中的系統(tǒng)可靠性。

FDD1600N10ALZD 主要功能:

• RDS(ON) = 124 mΩ(典型值)@ VGS = 10 V,ID = 3.4 A
• RDS(ON) = 175 mΩ(典型值)@ VGS = 5 V,ID = 2.1 A
• 低柵極電荷 = 2.78 nC(典型值)
• 低反向電容 (Crss) = 2.04 pF(典型值)

FDD850N10LD 主要功能:

• RDS(ON) = 61 mΩ(典型值)@ VGS = 10 V,ID = 12 A
• RDS(ON) = 64 mΩ(典型值)@ VGS = 5.0 V,ID = 12 A
• 低柵極電荷 = 22.2 nC(典型值)
• 低反向電容 (Crss) = 42 pF(典型值)

主要特點(diǎn):

• 快速開關(guān)
• 100%經(jīng)過雪崩測(cè)試
• 可提高dv/dt處理能力
• 符合 RoHS 標(biāo)準(zhǔn)

供貨信息及報(bào)價(jià)(訂購(gòu)1K)

FDD1600N10ALZD的價(jià)格為0.49美元,F(xiàn)DD850N10LD的價(jià)格為0.57美元,均可按請(qǐng)求提供樣品,收到訂單后 8-12 周內(nèi)可交貨。

更多詳細(xì)信息可參閱:
飛兆100V BOOSTPAK 解決方案:FDD1600N10ALZD 主要參數(shù)信息
飛兆100V BOOSTPAK 解決方案:FDD850N10LD主要參數(shù)信息

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